ничего она не переписывает пока не дана конкретная команда на это по шине...
Да, ничегл не переписывается и не перезаряжается. Вот например у самсунга 840EVO (где самсунг вроде как впервые использовал TLC память) впоследствии вылезла проблема, что скорость считывания старых файлов была во много раз ниже, чем считывание свежезаписанных файлов. Оказалос, это потому что ячейки постепенно разряжались и напряжение заряда снижалось. Пришлось им делать прошивку, которая учитывала бы время хранееия данных и считывала бы уже с учётом снижения напряжения. Типа на новой записи напряжения 0 1 2 3 вольта, а через год не пытаться прочитать с них это-же напряжение, а чтобы было достаточно считать например 0 0,7 1,7 и 2,7 вольта. Тогда при коррекции ошибок не надо будет высчитывать, типа "а вот 1,7 вольта - это читать как 1 вольт или как 2?".
musor писал(а):
а вот место размецения сисемной областти длямпродления ресурся динамически сколзит по резервной зоне ПРИКАЖДОЙ ЗАПСИИЛИ СТИРАНИ ФЛЕША
Есть сейчас ещё и такое понятие, как SLC кэширование, когда для увеличения скорости, данные сперва побыстрому пишутся в SLC режиме, а потом в фоне переписываются уже в TLC режиме. Если алгоритм кэширования кривой, это кэширование махом убьёт накопитель.
musor писал(а):
(тока проэто мало кто знает технологии патентованые и закрытые) .
Технологии настолько закрытые, что об них из каждого утюга вещали, в целях конспирации)
Так и надо делать. Рассказывают всем похожую на правду историю и никто не лезет разбираться, а на самом деле...
_________________ "Вся военная пропаганда, все крики, ложь и ненависть исходят от людей, которые на эту войну не пойдут !" / Джордж Оруэлл / "Война - это,когда за интересы других,гибнут совершенно безвинные люди." / Уинстон Черчилль /
Тут видно, что не зависимо от типа памяти, ресурс может отличаться в десятки раз. Но TLC в среднем сильно отстаёт (что и не удивительно). На картинке первые места заняли накопители на MLC памяти, но у них проходит тестирование SSD с 3D TLC, который уже почти дотянул до 5000 терабайт и имеет 87% здоровья. Ну и там-же тестируется накопитель на 3D MLC, который пока набрал чуть меньше (4500 терабайт), но помирать пока не собирается даже и близко и имеет 100% здоровья. А вот самый нижний, который на 3D TLC, помер из-за кривого SLC кэширования (о котором я написал чуть выше). Там ячейки были перезаписаны более 30000 раз, не смотря на совсем небольшой записанный объём. Кстати, даже этот совсем небольшой объём, в обычных домашних условиях (если накопитель работает просто в качестве системного диска) задолбаешься записывать. Скорее сам от старости помрёшь.
Обязательным условием долгой и стабильной работы Li-FePO4-аккумуляторов, в том числе и производства EVE Energy, является применение специализированных BMS-микросхем. Литий-железофосфатные АКБ отличаются такими характеристиками, как высокая многократность циклов заряда-разряда, безопасность, возможность быстрой зарядки, устойчивость к буферному режиму работы и приемлемая стоимость. Но для этих АКБ очень важен контроль процесса заряда и разряда для избегания воздействия внешнего зарядного напряжения после достижения 100% заряда. Инженеры КОМПЭЛ подготовили список таких решений от разных производителей.
Компания EVE выпустила новый аккумулятор серии PLM, сочетающий в себе высокую безопасность, длительный срок службы, широкий температурный диапазон и высокую токоотдачу даже при отрицательной температуре.
Эти аккумуляторы поддерживают заряд при температуре от -40/-20°С (сниженным значением тока), безопасны (не воспламеняются и не взрываются) при механическом повреждении (протыкание и сдавливание), устойчивы к вибрации. Они могут применяться как для автотранспорта (трекеры, маячки, сигнализация), так и для промышленных устройств мониторинга, IoT-устройств.
Рассуждения: вот к примеру взять два равных по ёмкости носителя - микросхему NAND-flash в корпусе TSOP-48 (её применяют в USB-флешках и SSD), и карту памяти MicroSD. Пускай они будут по 8 Гб каждая. Меня смущает такая огромная разница в площади кристаллов, при одинаковом заявленном ресурсе. Тот, кто разбирал микросхему TSOP-48, знает, что кристалл там занимает почти всю площадь корпуса, к тому-же обычно он там не один ("бутерброд"). В MicroSD же кристалл явно на порядок меньше. В чём тут подвох? Естественно, что разный техпроцесс; но ведь при меньшем техпроцессе и срок службы уменьшается! А они пишут 10'000 и там, и там, не стесняясь.
Я кстати тоже думал про это. До кристаллов не разбирал, но всё равно микросхемы очень сильно отличаются размерами. При этом читал, что в SSD и флешках используюся одни и те же кристаллы, но типа отбраковку во флешки, хорошие в SSD. Пришёл к выводу, что таки из-за техпроцесса, плюс TLC позволяет делать кристаллы такими мелкими. А в крупные микросхемы набирают по несколько мелких кристаллов (во всяком случае я про 3D память такое читал). Ну а что пишут про 10000 перезаписей, так на заборах тоже всякое нехорошее пишут. Вон недавно же делал эксперимент с флешкой. Около 3000 циклов и хана. А если объём будет больше, скорее всего ещё меньше циклов будет (но за счёт объёма, по ресурсу всё равно выиграет). Сейчас кстати новая память появилась, 3D X-Point. Скорость почти как у оперативки, ресурс гораздо больше, чем у NAND, но цена пока очень кусается. Такие SSD уже во всю продаются, но предназначены чисто для кэширования (и работают только на мамках, которые поддерживают это кэширование, забыл как называется технология). Объёмы этих SSD - 16 и 32 гига (ну которые в продаже видел). Цена как у 128 гигов SSD.
Вот размеры кристаллов относительно корпуса TSOP48 (тут сравнение ёмкости по годам)СпойлерВот по такому принципу пакуют несколько кристаллов в корпус TSOP48 для увеличения ёмкостиСпойлер
Здесь корпус растворили, остались потроха "бутерброда"СпойлерНу а это размер кристалла microSD. Справа вверху виднеется управляющий контроллер, "положенный" по тому же принципу бутерброда сверху, прямо на кристалл NANDСпойлер
_________________ Ваше открытие опровергает науку? Нет, это наука опровергает ваш бред. Истина никогда не бывает посередине. Ведь середина на стороне того, кто больше лжёт. Не стыдно писать в МЯЯЯУ! - стыдно вести себя не как порядочный Радио Кот.
Вот ещё размышления: флеш-память имеет довольно интересную логику. Запись в ячейки производится блоками, у каждого типа размер блока разный (обычно 4 Кб), стирание производится ещё более большими блоками (256 Кб за раз).
Отсюда вопрос: какой оптимальный размер кластера выбирать при форматировании, исходя из этой логики? Пытался форматировать в FAT32, принудительно включив размер кластера 4 Кб (при форматировании в Windows он выбирается по-умолчанию), и при этом размере кластера скорость записи на флешку падает почти на 40%.
Изначально флешки форматированы с размером кластера 32 Кб, такой-же размер выбирают и программы для спец-форматирования/восстановления. Скорость записи увеличивается ощутимо, да. Но при 32 Кб размере кластеров возрастает так называемое waste space, которое увеличивается вообще катастрофически, если пишется очень много мелких файлов (многие приложения так чудят со своим кэшем).
А вот кто что слышал про следующий слух: якобы, в домикроконнтроллерную эпоху, флеш-память имела разный ресурс ячеек для служебной области диска и области данных? Действительно, битый кластер в области данных легко блокируется ОС, лишь бы служебные области не пострадали...
Где? В Windows, или в спец-программах (навроде сертифицированной SanDisk-ом "SD Formatter")? Windows форматирует в 4 Кб, а SD Formatter - в 32 Кб.
Думаю, как-раз с этим моментом связаны многочисленные жалобы пользователей, что после форматирования их флеш-носителей, скорость записи "вдруг" катастрофически уменьшилась; отсюда и мифы о якобы вредности процедуры форматирования...
Пытался наискать разумную инфу в интернете, но натыкаюсь только на дилетантские "статьи" школьников, написанные (а чаще скопипастенные) видимо только ради заполнения своих бложиков.
Если что, я веду речь о флеш-картах (microSD в частности).
С другой стороны: вот при кластере в 32 Кб всё хорошо, скорость записи потрясающая, да. Около 14 Мб/сек на Class10. Но! Вот у меня есть приложение, которое срёт в свой кэш маленькими файлами, которых тысячи. И очень неприятно смотреть свойства этой папки с кэшем, когда размер папки с over 9000 файлов - 620 Мб, а на microSD она фактически занимает почти гигабайт, за счёт того самого wasted space, в котором виноват крупный размер кластеров.
Вобщем, здесь нужны компетентные источники информации (желательно на русском), но я их что-то не нахожу.
Где? В Windows, или в спец-программах (навроде сертифицированной SanDisk-ом "SD Formatter")? Windows форматирует в 4 Кб, а SD Formatter - в 32 Кб.
Я с этим вообще не заморачиваюсь. Не меняю размер кластера. И спецпрограммами не пользуюсь (ну если только образ какой-то на флешку залить). Меня как-то не волнует ни ресурс флешек, ни сколько на них записано (флешки уже давно имеют гораздо больший объём, чем нужно (во всяком случае мне). Да и скорость тоже мало волнует. У меня флешки в основном работают в режиме чтения. Да и вообще, для меня флешки - это расходный материал. А вот SSD - это другое дело. В общем надо ждать, когда 3D X-Point станут стоить как NAND, тогда это будут супер накопители. Огромный ресурс, огромная скорость. Но читал, что пока никаких предпосылок нет, что эта технология когда либо подешевеет.
Сейчас этот форум просматривают: нет зарегистрированных пользователей и гости: 36
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения