Осторожнее с ней, а то или ИИ проснется или портал в параллельный мир откроется
_________________ "Вся военная пропаганда, все крики, ложь и ненависть исходят от людей, которые на эту войну не пойдут !" / Джордж Оруэлл / "Война - это,когда за интересы других,гибнут совершенно безвинные люди." / Уинстон Черчилль /
Оказывается, для устройств на базе Android в Play Market есть утилита для осуществления TRIM:СпойлерПозволяет задействовать принудительно, так-как ядро выполняет эту процедуру "по расписанию", и крайне редко.
Поставил на смартфон - работает. На планшет не ставил - нет ROOT.
А как проверял работу? Даже на компьютере работу трим можно проверить только с помощью сторонних утилит. Если винда пишет, что всё включено и работает, это ещё не значит, что оно действительно работает и команда трим доходит до контроллера. Проверяется работа трим с помощью специальной программы, которая при первом запуске заполняет некоторые блоки "ненужной" информацией, потом подаётся команда трим и снова запускается эта программа, которая проверяет записанную ранее информацию. Если информация исчезла - значит трим работает. Если нет - не работает. Либо с помощью сторонних утилит для выполнения трим. В некоторых сразу пишет, удалось выполнить эту команду или нет.
Обязательным условием долгой и стабильной работы Li-FePO4-аккумуляторов, в том числе и производства EVE Energy, является применение специализированных BMS-микросхем. Литий-железофосфатные АКБ отличаются такими характеристиками, как высокая многократность циклов заряда-разряда, безопасность, возможность быстрой зарядки, устойчивость к буферному режиму работы и приемлемая стоимость. Но для этих АКБ очень важен контроль процесса заряда и разряда для избегания воздействия внешнего зарядного напряжения после достижения 100% заряда. Инженеры КОМПЭЛ подготовили список таких решений от разных производителей.
Компания EVE выпустила новый аккумулятор серии PLM, сочетающий в себе высокую безопасность, длительный срок службы, широкий температурный диапазон и высокую токоотдачу даже при отрицательной температуре.
Эти аккумуляторы поддерживают заряд при температуре от -40/-20°С (сниженным значением тока), безопасны (не воспламеняются и не взрываются) при механическом повреждении (протыкание и сдавливание), устойчивы к вибрации. Они могут применяться как для автотранспорта (трекеры, маячки, сигнализация), так и для промышленных устройств мониторинга, IoT-устройств.
Думал тестируемая флешка таки сдохла, уже обрадовался. А оказалось что просто программа глюканула, так как без неё вручную всё нормально писалось. Перезагрузил комп и продолжилось писаться как ни в чём не бывало. Уже почти 6 терабайт. То есть почти полторы тысячи циклов перезаписи. Считаю это совсем не мало.
Добавлено after 3 hours 8 minutes 5 seconds: Порылся в программе, которой тестирую флешку, оказывается она ведёт подробный лог на всём протяжении записи. А я и не знал, я вручную считал и сам в отдельный файл записывал. Но так как я не знал, у меня в "и того" более терабайта потерялось. Это потому что 8го февраля я отформатировал флешку, предварительно скопировав программу на компьютер, а потом записав её обратно на флешку. После этого ещё пару раз форматировал (копируя на фллешку программу, которую скопировал на комп восьмого февраля) Поэтому и запись на 8 февраля только одна, а следующая запись только на 14 февраля (когда я начал писать уже без всяких форматирований). То есть чтобы программа считала всё правильно, мне надо было или не форматировать флешку или копировать программу на комп перед каждым форматированием и записывать её-же обратно. А не так как я сделал, скопировал только один раз и потом эту папку копировал обратно после форматирований. Так-то удобно сделано, самому ничего считать не надо. Кому интересно, выложил лог.
Флешка ещё пишется, но скорость более четырёх мегабайт в секунду теперь совсем редко бывает. Уже часто менее трёх опускается. Надеюсь скоро всё В общей сложности, пишется непрерывно три недели
Добавлено after 9 minutes 57 seconds: А вот так кстати выглядит лог, который вёл я:
Вон самсунги в 3D памяти третьего поколения используют уже 48 слоёв на каждом кристалле при 32 нанометровом техпроцессе (предыдущее поколение - 32 слоя при 40 нанометрах).
Вот что-то интересно стало. Я случайно узнал, что у меня самсунг на 250 гигов второй версии, которая на 48 слоёв (там в упаковке отличия и в Россию сейчас только вторая версия поставляется, надо будет ещё серийник глянуть). Но по одним данным сорокавосьмислойная память делается в разрешении 32 нанометра, по другим данным 21 нанометр, а у меня SSD-Z показывает что техпроцесс 40 нанометров. Интересно, они вторую версию 850 EVO всё-таки тоже делают по техпроцессу 40 нанометров или SSD-Z врёт? Но SSD-Z берёт данные из смарта и если в смарте этой информации нет, она оставляет это поле пустым (у меня есть два SSD, которые не показывают, на каком техпроцессе сделаны). Или Самсунг делает эти диски по более тонкой технологии, а в смарте всё равно указывает 40 нанометров? Но зачем им врать в смарте, если они сами распространяют информацию про новую 3D память третьего поколения и даже специально сделали другое оформаление упаковки, чтобы новая версия отличалась от старой.
Набрало уже более 8 терабайт. То есть более 2000 полных циклов перезаписи флешки. Надо бы как-то проверить флешку на ошибки. Только каким образом это сделать? Поищу программы для этих целей. Я так понимаю, надо туда что-то записать, отключить флешку, подождать с недельку и потом проверить читаемость записанного. Если прочитается - значит с флешкай полный порядок, можно продолжать тестирование.
Стоит подчеркнуть, что в тестах мы не просто линейно заливаем на накопители данные, а моделируем действия реального пользователя. Испытания проводятся на SSD с файловой системой; накопители заполняются последовательностью файлов случайного объёма; после полного заполнения накопителя проверяется читаемость записанных файлов; а в конце цикла выполняется удаление файлов, и операция повторяется снова. Таким образом мы заставляем работать все внутренние алгоритмы SSD, включая обработку TRIM, выравнивание износа и сборку мусора, что позволяет достичь близкого к реальности показателя усиления записи. Иными словами, получаемые нами значения выносливости — это реальные числа, которые могут приниматься во внимание без всяких поправок на искусственность тестирования.
На сколько я знаю (ну и судя по описанию) они используют ту-же программу. Я не видел, чтобы программа проверяла читаемость (это же наверное долго должно быть). Но я ещё и неправильно немного делаю. Там когда нажимаешь кнопку START, сперва пишется какой-то тестовый файл размером не менее 1 ГБ. Но так как флешка всего 4 гига, а ещё надо оставить свободное место не менее одного гигабайта, то я этот файл сразу удаляю, чтобы освободить место и дальше пишется без него. Может быть этот тестовый файл для чего-то нужен... Но в любом случае, если флешка сдыхает, то данные сразу могут читаться, а через некоторое время уже могут и не читаться. В общем пока остановил эксперимент, записал туда фильм, весом 3,5 гига и через недельку попробую этот фильм скопировать на комп (а может и посмотреть его прямо с флешки).
Добавлено after 6 minutes 28 seconds: Кстати по поводу этого "ненужного файла" вот чего вычитал (https://3dnews.ru/938764):
Цитата:
Поэтому в нашем тесте выносливости мы используем отформатированные с файловой системой NTFS накопители, на которых непрерывно и попеременно создаются файлы двух типов: мелкие – со случайным размером от 1 до 128 Кбайт и крупные – со случайным размером от 128 Кбайт до 10 Мбайт. В процессе теста эти файлы со случайным заполнением множатся, пока на накопителе остаётся более 12 Гбайт свободного места, по достижении же этого порога все созданные файлы удаляются, делается небольшая пауза и процесс повторяется вновь. Помимо этого, на испытуемых накопителях одновременно присутствует и третий тип файлов – постоянный. Такие файлы общим объёмом 16 Гбайт в процессе стирания-перезаписи не участвуют, но используются для проверки правильной работоспособности накопителей и стабильной читаемости хранимой информации: каждый цикл заполнения SSD мы проверяем контрольную сумму этих файлов и сверяем её с эталонным, заранее рассчитанным значением.
А я как раз этот файл удаляю. Иначе там места совсем не остаётся. Я же не SSD тестирую
Всё-таки моё мнение: программа ведёт некорректный лог. Вот и всё. Не может ни одна flash-память (даже MLC) выдержать три тысячи циклов записи. Либо изготовитель ошибся в планировании ресурса изделия, либо сам враг своему бизнесу.
Вот сейчас у меня появилась microSD на 1 Гб (которая "ни пришей ни пристегни", реальное её использование невозможно). Какую Вы, SeregaT, посоветуете мне программу по "убиванию" этой флешки реальными циклами записи, с подсчётом таковых, и ведением лога в файл?
Всё-таки моё мнение: программа ведёт некорректный лог.
Я свой лог вёл.
Андрей Бедов писал(а):
Не может ни одна flash-память (даже MLC) выдержать три тысячи циклов записи.
Ну вопервых у меня пока не три тысячи у меня выдержала, а всего две. Во вторых - считается что ресурс MLC три тысячи циклов. Ну и ещё вот это...
Цитата:
Нельзя не упомянуть, что Samsung 850 EVO страдает явно заниженной самооценкой. Если посмотреть на то, как менялся параметр B1 (Wear Leveling Count), то окажется, что к концу жизненного цикла среднее число перезаписей ячеек флеш-памяти доросло до 15 с лишним тысяч.
Но производитель накопителя считает, что допустимый предел – это 2100 перезаписей, и после этого нормализованное значение B1 (Wear Leveling Count) падает до нижнего значения, показывая, что ресурс массива флеш-памяти выработан. Что, как мы увидели на практике, ошибочная и чрезмерно пессимистичная оценка.
Там-же и ещё вот тут есть статистические данные и по другим накопителям. У флешек ну может немного меньше.
Андрей Бедов писал(а):
Вот сейчас у меня появилась microSD на 1 Гб (которая "ни пришей ни пристегни", реальное её использование невозможно). Какую Вы, SeregaT, посоветуете мне программу по "убиванию" этой флешки реальными циклами записи, с подсчётом таковых, и ведением лога в файл?
Жду!
Ну и подожди. Я закачаю на файлообменник программу и составлю инструкцию, как ею пользоваться. Но есть у меня сомнения, что она для гиговой флешки сгодится. Там надо оставлять свободное место, а меньше гигабайта не выставить. Можно попробовать вообще без свободного места, но у меня что-то при заполнении флешки скорость сильно упала, я ждать не стал, остановил тест и сделал гиг свободного места. Ну в общем попробуешь сам, может и проканает.
Добавлено after 21 minute 31 second:
Андрей Бедов писал(а):
Какую Вы, SeregaT, посоветуете мне программу по "убиванию" этой флешки реальными циклами записи, с подсчётом таковых, и ведением лога в файл?
Вот программа: https://yadi.sk/d/a8X1g8fp3Fz9gQ Распаковываешь, закидываешь программу на флешку (это важно, так как она пишет файлы в свою-же папку). Запускаешь. Нажимаешь вверху вкладку "Benchmarks", там выбираешь "Endurance testing". Там, где написано "Min GB Free" и стоит цифра 12 - ставишь 0. Там где написано "Test size" (вверху посередине) ставишь 1 (когда вверху на чёрной полосе появится надпись, за какое время записался файл, его надо будет удалить, файл будет находиться в корне флешки, там новая папка появится ("_ASU_BENCH"), вот её и удалишь, только с программой не перепутай). Файлы будут записываться в папку TEST, а в папке DATA будет находиться лог файл, который называется "Endurance_Log.nx1". Просмотреть его можно в этой программе по кнопке "Browse results" (под кнопкой "Stop") и оттуда-же сохранить в формате xls. В этой программе почему-то не всегда написано, что какие колонки обозначают. Вот скрин, где это видно:
Добавлено after 27 minutes 34 seconds: Да, кстати. Только что проверил одну фигню. Оказывается вполне можно будет писать на гиговую флешку, даже если выставить 0 GB свободного места. Надо только количество файлов ограничить. В окошке "Max # of files to create" выставить желаемое количество файлов, сколько влезет на гигабайт. Для этого надо запустить тестирование (с 0 ГБ свободного места), подождать окончания записи тестового файла, не останавливая тестирование удалить папку "_ASU_BENCH", потом зайти в папку TEST, там будут появляться файлы разного объёма. Делаешь вид папки, чтобы был виден объём файлов и как только пошли файлы нулевого размера, значит флешка заполнилась. Смотришь по номеру последнего файла с ненулевым размером, это и будет количество файлов, которые влезают на флешку. Вот это количество и выставляешь. Можно чуть меньше. Для этого надо будет остановить тест, выставить и снова запустить. Тестовый файл, который надо будет удалять, будет записываться после каждого нового запуска программы. Про это надо не забывать. Если тест остановить, и не закрывая программы продолжить, этот файл писаться не будет.
Добавлено after 26 minutes 10 seconds: Кстати вот картинка с результатами тестирования уже сдохших накопителей: Я естественно следил за тем, как продвигается тестирование такого-же самсунга, как и у меня (850EVO). Наконец-то он у них сдох. Его результат более чем вдвое уделывает следующего, который на втором месте. 850EVO сможет уделать наверное только 850PRO
Кстати по поводу приведённой мною картинке с результатами тестов на выносливость. Верхний результат можно убрать, так как это совсем другая память, выполненная по толстенному техпроцессу и заведомо имеющая ресурс, практически недостижимый для планарной памяти. А вот остальные результаты тоже интересны. Особенно интересны тем, что первый (после самсунга) накопитель на TLC памяти, а самый нижний - на MLC памяти. Вот такая вот загогулина. Отсюда можно сделать вывод, что не так страшна трехбитовая память, как её малюют. Она вполне может конкурировать с двухбитовой по выносливости. Сейчас применяются хорошие алгоритмы, которые позволяют увеличивать ресурс ячеек. Это и сжатие данных, которое позволяет снизить "усиление записи" ( соотношение host writes и nand writes) и мощная коррекция ошибок, которая позволяет считывать данные с более изношенной памяти, продлевая срок её службы и т.д. Кстати, даже у нижнего накопителя с минимальным ресурсом, очень неплохой результат. 408 терабайт. Это даже если писать по терабайту в день без выходных, его хватит более чем на год. Но терабайт в день - это очень дофига. Столько никто писать просто физически не сможет, даже если постоянно качать торренты и всякое такое. Даже по сто гигов каждый день (а это тоже дофига, столько тоже почти никто не пишет) этого объёма хватит на 11 лет.
Не может. Но конкурирует. Повторю, но накопитель на TLC набрал больше терабайт, чем накопитель на MLC того-же объёма. Коррекция ошибок позволяет считывать данные с ячеек, с которых данные без этой коррекции считаться не могут.
Карты памяти - это расходный материал, куда и память обычно втыкают ту, которая отбраковывается и не подходит для SSD. Но и как выяснилось на практике, и эта память имеет совсем не хилый ресурс. Я столько даже на HDD никогда не записывал, сколько записал на 4х гиговую флешку. А ресурс флешки всё равно ещё не закончился. Сейчас она с неделю полежит без питания и я попробую скопировать с неё фильм, весом 3,5 гига, который я туда записал и если будет всё нормально, продолжу тестирование. Кстати, не забудь писать иногда, как там у тебя будет продвигаться тестирование флешки.
P.S. Хорош уже меня на Вы называть, мы тут не на официальном международном заседании министров.
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения
Вход
Регистрация
Правила
FAQ
Поиск
