А просто двумя резисторами сместить общую шину на 5 вольт выше - не катит?
Кто то ищет стабилизатор для БП для отрицательного 5 вольт, а я просто ставлю 7805 кверх ногами...(если нет под рукою 7905). Какая нах разница? Потенциал ведь относительно какого то общего провода...(разумеется, чтоб тут не спорили, подаю на стабилизатор с диодного моста отрицательный потенциал, примерно 8 - 9 вольт).
Двуполярное питание: просто раздели однополярное пополам. Всего 2 резистора и один бочонок с электролитом. Общий провод = в серединке.

Подниму-ка я тему из недр форума.
У меня тут стал один вопрос. Я в попытках оживить УКНЦ, собрал тестер для этих микросхем памяти.

Всё как бы хорошо. Тестер работает просто: записывает в весь объём памяти псевдослучайную последовательность бит, а потом через секунду считывает всё проверяет, чтобы всё считалось правильно. Затем ещё через секунду повторяет процесс. Между этими операциями производится регенерация ОЗУ, как указано в справочнике, с периодом 2 мс.
Тестер отлично выявляет битую память от хорошей.
Но потом я тут из интереса взял и увеличил период регенерации в два раза больше: 4 мс. Исправная ОЗУ (у меня КР565РУ5Г 1991 г.) продолжала исправно работать. Увеличил ешё вдвое - работает. В итоге дошел до того, что в принципе убрал регенерацию между записью-чтением (т.е. регенерация происходит через 1 с в процессе этих операций) - работает! Увеличил интервал между записью-чтением до 5 с - &$%#$, работает!
И только когда я увеличил интервал до 10 с стали появляться ошибки чтения: 0.7% всей области ОЗУ оказалось битым. При увеличении интервала до 20 с уже примерно 50% записанных данных оказывается битыми (ну т.е. вся, учитывая что я записываю псевдослучайную последовательность).
Проверил осциллографом, не подаёт ли у меня МК лишние импульсы RAS - нет, не подаёт. Запись и чтение ровно через указанный интервал.

Так вот вопрос. Кто нибудь реально измерял какой реально максимальный период регенерации у этих ОЗУ? У меня получились цифры в 2500 раз больше справочника! Не могу понять, я что-то не учитываю или РУ5Г реально может хранить данные секундами?

Ну раз получилось - значит, может. Другое дело, что на такие интервалы регенерации в рабочих изделиях рассчитывать не нужно - хранение должно быть гарантированным даже для "наихудшего" экземпляра.

PCBWay - всего $5 за 10 печатных плат, первый заказ для новых клиентов БЕСПЛАТЕН

Сборка печатных плат от $30 + БЕСПЛАТНАЯ доставка по всему миру + трафарет

Онлайн просмотровщик Gerber-файлов от PCBWay + Услуги 3D печати

Я понимаю, что параметры могут разнится от микросхеме к микросхеме, но не во столько же раз. Как будто в документации ошибку допустили: вместо 2 с написали 2 мс. Вот я и прикол понять не могу.

Причём значения повторяются от ОЗУ к ОЗУ. Я пробовал вместо КР565РУ5Г 91 г. ставить другую такую же. А теперь я вместо этой ОЗУ поставил старую микросхему КР565РУ5 (без буквы) 89 г. То же самое: на 10 с выдержки ошибка чтения составляет 0.9 % всех бит (т.е. статистически 1,8 % ОЗУ портится). На выдержки 5 с - тот же результат. На 2 с - ошибка 0.6%. На 1 с - ОЗУ читает без ошибок.

Ну т.е. как бы ладно. КР565РУ5Г 91 г. выдерживает выдержку 5 с. КР565РУ5 89 г. начинает страдать амнезией уже через 2 с. Но 1 с - это тоже в 500 раз больше паспорта. Два порядка.

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Обязательным условием долгой и стабильной работы Li-FePO4-аккумуляторов, в том числе и производства EVE Energy, является применение специализированных BMS-микросхем. Литий-железофосфатные АКБ отличаются такими характеристиками, как высокая многократность циклов заряда-разряда, безопасность, возможность быстрой зарядки, устойчивость к буферному режиму работы и приемлемая стоимость. Но для этих АКБ очень важен контроль процесса заряда и разряда для избегания воздействия внешнего зарядного напряжения после достижения 100% заряда. Инженеры КОМПЭЛ подготовили список таких решений от разных производителей.

Подробнее>>

Тест одиночной микросхемы не реальная схема, в которой таких микросхем несколько штук плюс разводка монтажа и прочие мелочи типа температуры окружающей среды и прочего...
Для работы и один "битый" бит может огромный вред нанести в реальном устройстве. Почему и дается гарантированный параметр.

Новый аккумулятор EVE серии PLM для GSM-трекеров, работающих в жёстких условиях (до -40°С)

Компания EVE выпустила новый аккумулятор серии PLM, сочетающий в себе высокую безопасность, длительный срок службы, широкий температурный диапазон и высокую токоотдачу даже при отрицательной температуре. Эти аккумуляторы поддерживают заряд при температуре от -40/-20°С (сниженным значением тока), безопасны (не воспламеняются и не взрываются) при механическом повреждении (протыкание и сдавливание), устойчивы к вибрации. Они могут применяться как для автотранспорта (трекеры, маячки, сигнализация), так и для промышленных устройств мониторинга, IoT-устройств.

Подробнее>>

Так какие преимущества такой низкой регенерации, разве оно позволит менять денные на высокой скорости ?
Может наоборот стоит уменьшать это время для ускорения работы.

Так какое потребление в этом замедленном режиме, экономия есть ?

Любая ДОЗУ может регенерироваться и при переборе лишь только строк, или столбцов, или процедурой чтения, или записи. Т.е. остановите работу с памятью полностью(не трогайте её вообще) и через 2мс вы добьётесь своего, она спокойно всё забудет.))

Добавлено after 10 minutes 4 seconds:

Одиночный"Битый" бит в байте ловится и исправляется элементарно битом "четности", достаточно дважды проинвертировать считанные из памяти данные. Так что одиночные ошибки в каждом байте памяти вычислительное устройство может вообще НЕ замечать.Просто будет работать немного медленнее на аппаратном, или программном уровне.