Размышляю об использовании биполярников в качестве ключей в преобразователях, прошу поделиться опытом по теме. По некоторым сведениям, на сколько я понял, биполярники могут быть интереснее мосфетов по сопротивлению окрытого канала, цене и др. Актуален вопрос - а как их использовать? Широко они используются в полумостовых автогенераторах, где они управляются сигналом с токового трансформатора. Чтоб они управлялись сигналом с контроллера - я такого не встречал, хотя это ещё не говорит об невозможности такого - просто мосфеты лучше. Но, если задаться целью, что нужно предпринять - чтоб использовать биполярники после микросхем?

Во первых, не совпадает напряжение - у контроллеров минимум 9В., у биполярников - максимум 7В. Это проблема? В автогенераторах с управляющего трансформатора сигнал не ограничивается по напряжению, а значит - может быть и десять и двадцать вольт, всё решает сопротивление и сила тока. Ставить последовательно с базой резистор и всё? Можно питать контроллер двадцатью вольтами и резистор не пропустит ток большого напряжения на базу? Но какого значения резистор, если сопротивление базы может варьироваться? Или ставить стабилитрон на пять вольт параллельно базе? Это вопрос.

Для мосфетов полумостовых преобразователей на несколько сотен ватт характерны ёмкостя затворов один - несколько нанофарад, для чего хватает максимального тока выхода драйвера порядка одного ампера. У биполярников, для открытого состояния, для типичного усиления порядка 10, и тока коллектора порядка ампера, для преобразователей на несколько сотен ватт, постояный ток базы составит порядка ста миллиампер - это на порядок меньше, чем может выдать амперный драйвер. Значит ли это - что драйвер вполне способен обеспечить полное открытие биполярника с любой нагрузкой?

Что ещё нужно знать по этому поводу? - прошу просветить.

Что такое "максимум 7 В" у транзистора? Это обратное напряжение Б-Э, которое обязан выдержать эмиттерный переход. Всё равно как плюс-минус 15 или 25 вольт у мосфета. Драйвер, естественно, даёт больше - но обычно только в плюс, так что это не вызовет пробоя. Ток, разумеется, надо ограничить резистором. О токах. Надо смотреть конкретные драйвера, ведь они выдают ток только на время переключения, пока заряжаются-разряжаются все ёмкости, а между переключениями затвор, можно сказать, вовсе не жрёт. В отличие от базы, которая жрать ток будет всё время, пока транзистор открыт. Вот на это надо обратить внимание.

Здесь не много не лаконично расписано, я перефразирую и попробуем понять. Перечитал инфы - но не нашёл аргументирования предельных характеритик транзисторов. В частности - предельное напряжение перехода база-эмиттер. Вы хотите сказать - что на базу относительно эмиттера подётся отрицательное напряжение и оно не должно составлять больше 7 вольт? То есть, в плане управления драйвером это не актуально?

Для MJE13003 имеем:
Collector-Emitter Voltage VCEO(SUS) 400V
Collector-Emitter Voltage (VBE=0) VCES 700V
Emitter Base Voltage VEBO 9V
Base Current Continuous IB 0.75A


Тогда какой параметр отражает максимальное значение положительного напряжения на базе? - Emitter Base Voltage VEBO?

Или на базу можно подават хоть сто вольт, но при этом следует ограничить проходящий ток резистором, который, в купе с внутренним сопротивлением базы, создаст делитель напряжения, посредством которого от ста вольт на базе останется децел? - Какой? Как узнать значение этого резистора? Если я правильно понимаю - то здесь надо отталкиваться от параметра IB=0.75В. Для драйвера с напряжением 12В при максимальном режиме имеем сопротивление резистора 16Ом - правильно?

И для усиления (пусть) 10, и токе коллектора (пусть) 1А, мы будем иметь ток базы 0,1А, что на резисторе создаст напряжение 16Ом*0.1А=1.6В - правильно? То есть от 12-ти вольт на базу пойдёт 12В-1.6В=10.4В - транзистор выдержит такое напряжние? Где это описано?



Простите - на что обратить внимание? Я понимаю так - ёмкостная нагрузка при разрядах и зарядах поднимает потребление тока до (пусть) ампера, на этот ток (пусть) рассчитан драйвер, он может его выдержать и блок питания может его обеспечить. Это условия - при которых можно питать любую нагрузку, лишь бы она не превышала этот ампер. Или я чего-то не понял?

PCBWay - всего $5 за 10 печатных плат, первый заказ для новых клиентов БЕСПЛАТЕН

Сборка печатных плат от $30 + БЕСПЛАТНАЯ доставка по всему миру + трафарет

Онлайн просмотровщик Gerber-файлов от PCBWay + Услуги 3D печати

прочитав ваши посты понял вы не вьехали даже в параметры биполяра о каком проекте может вестись речь -повторяйте готовое где КОТЫУченые все расчитали До Вас...
учите МАТЧАСТь может тогда позже дойдет что в режиме ключа для его закрывания нужно подать в базу ОБРАТКУ...
а пока говорить не о чем...смотрите ка сделанро в готовых пром схемах
а то что в ряде случаев биполяры лучше мосфетов НЕОСПОРИМЫЙ ФАКТ правда наджо помнь что давно есть-ГИБРИД IGBTкоторый рвет в клочья обоих прототивоф

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Обязательным условием долгой и стабильной работы Li-FePO4-аккумуляторов, в том числе и производства EVE Energy, является применение специализированных BMS-микросхем. Литий-железофосфатные АКБ отличаются такими характеристиками, как высокая многократность циклов заряда-разряда, безопасность, возможность быстрой зарядки, устойчивость к буферному режиму работы и приемлемая стоимость. Но для этих АКБ очень важен контроль процесса заряда и разряда для избегания воздействия внешнего зарядного напряжения после достижения 100% заряда. Инженеры КОМПЭЛ подготовили список таких решений от разных производителей.

Подробнее>>

Я хочу сказать: если на базу попадёт обратное напряжение больше максимального, то эмиттерный переход может пробиться. Актуально оно или нет - зависит от смехотехники.
Никакой. Максимально допустимое прямое напряжение на базе не оговаривается. Какое есть, такое и сойдёт. Оговаривается максимальный ток базы.
Примерно так. Только не сопротивление базы, а "диод" - эмиттерный PN-переход.
Нет там резистора. Есть переход, ВАХ можно найти в даташите в виде графика. Понятно, что значение, взятое из этого графика, очень приблизительное. А точное знать ни к чему. Давать в базу максимально допустимый ток - зачем? Лучше (правильнее) взять максимальный ток коллектора, поделить его на минимальный коэффициент передачи тока (при этом коллекторном токе) и умножить где-то на три - это и будет потребный ток базы. Сопротивление базового резистора считать, исходя из этого тока. Можно учесть падение на эмиттерном переходе, но не обязательно - из-за его малости.
Ток базы здесь рассчитан (пусть) правильно. Базовый резистор - нет. Он должен быть 12/0.1=120 Ом.
Последнее.
Ещё раз, медленно и печально: в базу биполярного транзистора ток, и довольно не маленький, идёт всё время, пока он открыт. Соответственно, всё это время драйвер трудится. Надо проверять, что ему не поплохеет. А вот в случае мосфета всё не так: драйвер ведь не постоянно заряжает ёмкость, а только коротенькими импульсами.
Рано вам браться за всякие фиговины, ой рано. Читайте хотя бы Хоровица-Хилла до просветления.

Новый аккумулятор EVE серии PLM для GSM-трекеров, работающих в жёстких условиях (до -40°С)

Компания EVE выпустила новый аккумулятор серии PLM, сочетающий в себе высокую безопасность, длительный срок службы, широкий температурный диапазон и высокую токоотдачу даже при отрицательной температуре. Эти аккумуляторы поддерживают заряд при температуре от -40/-20°С (сниженным значением тока), безопасны (не воспламеняются и не взрываются) при механическом повреждении (протыкание и сдавливание), устойчивы к вибрации. Они могут применяться как для автотранспорта (трекеры, маячки, сигнализация), так и для промышленных устройств мониторинга, IoT-устройств.

Подробнее>>

Ну милейший - где я говорю об резисторе в транзисторе? Из текста не выявляется - что я на столько несведущь. Естественно, как и вы писали ранее, речь идёт об внешнем резисторе в цепи базы.

Что за - "умножить где-то на три"?



А почему вы отталкиваетесь от действующего тока базы? Ведь не резистором он определяется. Ведь если транзистор открыт полностью при базовом токе 0.1А, который получился из тока коллектора, делённого на коэффициент передачи, и есть ещё запас - до 0.75А, то незачем ограничивать этот "запас", ибо возможна ситуация - когда потребуется больше тока базы для открытия, из-за повышения температуры среды, например, а максимальный резистор не даст этому току развиться. Здесь я вас не понимаю. Если мы поставим маленький резистор, то он пропустит любой ток, с любым напряжением. Мы, если захотим, можем поднимать ток вплоть до 0.75А, сколько вздумается, не смотря на то - что транзистор полностью открыт уже давно.

Вобщем, ваши объяснения вполне понятны, я вижу - что достаточно правльно понял вас. Спасибо.

По всей видимости, резисторы баз в полумостовых автогенераторах служат для этой-же цели, и там я не встречал значений соизмеримых со 120Ом, обычно - 27-51Ом, а то и меньше.

ЧЗХ??? Я не официант в трактире, чтобы ко мне так обращаться.
Не о резисторе, а о сопротивлении. Вот тут. Вот это - чьи слова, а?
И ни слова о "диоде", PN-переходе база - эмиттер.
Это - для ключевого режима, чтобы транзистор точно, с гарантией в нём оказался. Классика.
Рекомендую проделать следующее.
1. Взять транзистор, в коллектор ему какую-нибудь нагрузку, а базу через резистор и миллиамперметр подключить, скажем, к 5-вольтовому источнику. Включить всё это дело, измерить ток базы. Затем оторвать нагрузку от коллектора и ещё раз измерить ток базы. Охренеть от результата.
2. Взять тот же транзистор с той же нагрузкой, а в базу ему дать пять вольт прямо от мощного источника без токоограничения. А что? В базу же пойдёт ровно такой ток, какой нужен,
Уменьшить значение базового резистора на случай возможного снижения коэффициента передачи тока - наверно, можно. Пусть будет не 120 Ом.

Простите. Поверьте, не могу понять - чем я мог вас неуважить.



Теперь я обращу внимание:



- Я явно говорю об резисторе, и я не вижу - как его можно спутать с "внутренним сопротивлением базы", - я реально заявляю об разделении ролей внешнего резистора и сопротивления базы, которые составляют последовательное соединение, что приводит к делителю напряжения. Это реально - внешний резистор, сопротивление которого мне нужно расчитать и достать из коробки и припаять к транзистору.



Хорошо.

В принципе, для выявления подобных ситуаций и приёмов я и открывал этот топик.

Спасибо.

Обращение "милейший" - я уже сказал, когда оно уместно. Рекомендую воздержаться от употребления оного в иных случаях.
Да ладно, не будем разбираться с этим. Лениво. Просто знайте, что ток базы не всегда определяется током коллектора, когда будете выбирать номиналы базовых резисторов.

Я, кажется, понял - почему я не вдуплил сразу про обратное напряжение базы, - просто в инфах работа транзистора рассматривается, почему-то, в системе с общей базой. Во включении с общим эмиттером напряжение прямого тока для обратного транзистора: для коллектора "+" относительно эмиттера, и для базы относительно эмиттера - "+" тоже, но при включении с общей базой - относительно базы напряжение на эмиттере будет "-". При включении с общей базой, при, якобы положительном главном напряжении, мы имеем отрицательное напряжение открытого транзистора в нормальном режиме, потому оно и называется обратным. А, кстати, это определение используется не везде - в том-же даташите на MJE13003 указывается параметр - "Emitter Base Voltage" без указания на типа "обратное".

Я ни как не успокоюсь... Получается что - "Emitter Base Voltage VEBO 9V", то есть "Эмиттер-база Vэб", это не что иное как обратное напряжение "База-Эмиттер Uбэ" (наоборот), и оно меряется относительно базы, когда земля вольтметра на базе, и относительно неё меряются потенциалы: на коллекторе, на который приходит "плюс" (для обратного транзистора), и на эмиттере - для которого имеем минус. Чтобы для "главного плюса" не возиться с "минусом", и не создавать непонимание, в название добавили приставку "обратное" и стали говорить этом со знаком "плюс". Это как я замечал выше.

К чему это я... А к тому - что мы имеем значение этого напряжения ни как не безграничное или очень большое, а именно скромненькие "9В" (6В минимум у других транзисторов). Это обычное напряжение тока сигнала, который мы подаём ПРЯМЫМ на базу, если меряем ОТНОСИТЕЛЬНО ЭМИТТЕРА, как и используется транзистор в подавляющем большинстве схем, - как на практике а не в теории по инфам. Поправьте - если не прав.

Новопассит поможет. Боюсь, правда, не входит ли в его состав валерьянка. А то она действует на котов сугубо индивидуально, некоторые начинают беситься.
Ну да, что-то в этом роде.
Правило номер... не помню, какое: если что-то хочешь кому-то объяснить, сначала пойми это сам. Иначе получаются такие вот непонимаемые изречения. Я нихренасеньки не понял. Что такое "напряжение тока сигнала"? Что такое "который"? Который - это что? сигнал? ток? Как можно измерить ток базы относительно эмиттера? Я вижу какое-то непонимание, но не могу понять, где оно спряталось. Давайте обсуждать не транзистор в общем виде, а конкретную схему, желательно с типами и номиналами. Так проще будет.

Не знаю - что за схема вам нужна, но попробую сделать кроспост из инфы по биполярникам:

Рассмотрение работы транзистора начинается со схемы его физической структуры, где база разделяет коллектор и эмиттер, и все процессы рассматриваются относительно базы, чему соответствует схема включения с общей базой. Но обычно, в схемотехнике, используется схема включения с общим эмиттером:



Так обратите внимание - на земле, в первой схеме, крайние потенциалы обозначены как "+-", а на правой схеме - как "--", - от сюда и путаница. В первом случае один ток обратен по знаку и направлению второму току, и, чтобы их как-то сравнивать, их привели к одному измерению - у эмиттерного тока изменили знак на противоположный и добавили приставку "обратный", чтоб не забыть.

Так понятно?

Подытожу: на базу подаётся сигнал, напряжение которого, по модулю, является именно тем напряжением, которое, при максимальной амплитуде, соответствует параметру "максимальное обратное напряжение база-эмиттер" либо "максимальное прямое напряжение эмиттер-база" (в зависимости от даташита). И оно ограничено значением 6-9 вольт, а не безгранично и не опускается в даташитах, как вы говорите.

Прежде всего, никакой земли тут нет: ни в левой схеме, ни в правой. Есть общий провод.
Далее. Левая схема нам не нужна, мы сейчас не рассматриваем каскад ОБ, поэтому все разговоры ведём только по правой схеме, ОЭ.
Итак, смотрим на неё. Напряжение Uбэ, как показано на этой схеме, назовём прямым, поскольку оно приложено в направлении, открывающем эмиттерный PN-переход. Если его измерять, то для NPN-транзистора оно будет положительным, для PNP - соответственно, отрицательным. Обратное напряжение, если его обозначать так же, Uбэ, будет для NPN-транзистора отрицательным. А можно перевернуть щупы вольтметра, тогда обратное напряжение надо обозначить Uэб (а не Uбэ!), и тогда оно будет положительным. Всё это - словоблудие писателей даташитов, для понимания процессов лучше всего говорить "обратное" ("reverse") напряжение, не уточняя его знак. То есть не надо идти бездумно за даташитом.
Ограничено всё-таки обратное напряжение, а не прямое. Именно оно способно пробить переход.

Рад взаимопониманию, спасибо.
Ну вобщем вы согласны с тем - что напряжение базы-эмиттер ограничивается неким максимумом?

Только обратное. За тем, чтобы оно, обратное напряжение база-эмиттер, не превысило этот максимум, должен следить разработчик. Например, подавая через резистор положительное напряжение для открывания транзистора и нулевое для его закрывания (с того же драйвера мосфета), он совершенно не рискует пробить эмиттерный переход. А если он подаст это напряжение через конденсатор - то тут уже могут быть неприятные сюрпризы, если амплитуда этого напряжения окажется достаточной. Положительная полуволна переходу ничего не сделает - она приложена в прямом направлении, и остаток напряжения просто упадёт на последовательном с базой резисторе, а вот отрицательная - может транзистор угробить, и резистор не поможет.