Объясните пожалуйста, что такое Gate-Source Threshold Voltage в MOSFET транзисторах? Например IRFUC20, для него min 2v, max 4v, как понял это напряжение которое нужно подать чтобы он открылся?
Может быть есть какая-то хорошая современная литература чтобы понять как это работает(полевик в целом)?

Это пороговое напряжение. Ниже него транзистор считается закрытым - у него будет присутствовать только ток утечки. При росте напряжение выше этого порога транзистор начнёт открываться - сопротивление канала будет уменьшаться с ростом напряжения.

Пороговое напряжение у каждого MOSFET индивидуально и ещё зависит от температуры (с ростом температуры оно понижается). Поэтому в даташитах указывают т.н. коридор, в котором находятся значения порогового напряжения для всех выпускаемых транзисторов этой модели.

Вообще на тему, как работает полевой транзистор и как расшифровать его параметры, существует куча литературы в интернете.
http://microsin.net/adminstuff/hardware ... orial.html
http://electricalschool.info/electronic ... -chto.html
http://go-radio.ru/parametri-mosfet-transistorov.html
и т.д. и т.п.

Добавлено after 1 minute:
вашето ТАМ ВСЕ ОПЫСАНО ПАДРОПНО

PCBWay - всего $5 за 10 печатных плат, первый заказ для новых клиентов БЕСПЛАТЕН

Сборка печатных плат от $30 + БЕСПЛАТНАЯ доставка по всему миру + трафарет

Онлайн просмотровщик Gerber-файлов от PCBWay + Услуги 3D печати

Спасибо, всё понятно. Еще по ссылочкам почитаю

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Обязательным условием долгой и стабильной работы Li-FePO4-аккумуляторов, в том числе и производства EVE Energy, является применение специализированных BMS-микросхем. Литий-железофосфатные АКБ отличаются такими характеристиками, как высокая многократность циклов заряда-разряда, безопасность, возможность быстрой зарядки, устойчивость к буферному режиму работы и приемлемая стоимость. Но для этих АКБ очень важен контроль процесса заряда и разряда для избегания воздействия внешнего зарядного напряжения после достижения 100% заряда. Инженеры КОМПЭЛ подготовили список таких решений от разных производителей.

Подробнее>>

А как быть с емкостями затвор - исток и затвор - сток, оно вообще говоря образует емкостный делитель со средней точкой на затворе на которую вполне может прилететь пол напряжения питания и открыть закрытый транзистор или закрыть открытый или превысить максимально допустимое напряжение на затворе.

Новый аккумулятор EVE серии PLM для GSM-трекеров, работающих в жёстких условиях (до -40°С)

Компания EVE выпустила новый аккумулятор серии PLM, сочетающий в себе высокую безопасность, длительный срок службы, широкий температурный диапазон и высокую токоотдачу даже при отрицательной температуре. Эти аккумуляторы поддерживают заряд при температуре от -40/-20°С (сниженным значением тока), безопасны (не воспламеняются и не взрываются) при механическом повреждении (протыкание и сдавливание), устойчивы к вибрации. Они могут применяться как для автотранспорта (трекеры, маячки, сигнализация), так и для промышленных устройств мониторинга, IoT-устройств.

Подробнее>>

Ёмкость затвор - исток шунтируется ещё драйвером затвора.

Да, может. С этим явлением (ёмкостный делитель) ведётся борьба на этапе проектирования. Задача "минимум" - не дать "выбить" затвор, задача "максимум" - избежать паразитных открытий транзистора. Метод - обычно обеспечение низкого сопротивления нижнего плеча этого делителя (т.е. затвор-исток). Гораздо реже - компенсирующий заряд.

А как это делается? есть какие то примеры схем?

Смотрите любой импульсный источник питания с ключом - полевым транзистором.
А ещё почитайте вот это, ибо пересказывать довольно скушно, но особенно обратите внимание вот на эту статью.

Супер! переделал и о чудо токовый выброс при открытии ключа упал почти в ноль.

Скажите, а верхний предел это напряжение сток-исток?

Сток - это третий электрод. Если речь идёт о gate, сток трогать какой смысл?
Максимально допустимое напряжение Gate-Source определяется прочностью изоляции затвора от канала и составляет обычно не более 20 вольт.

Да интересует именно максимально допустимое напряжение Gate-Source, для IRF9310PBF в даташите не нашел, да и как то раньше не встречал данную характеристику.
https://static.chipdip.ru/lib/298/DOC000298128.pdf
Gate threshold voltage max 2.4V, это значит 5В его убьет?

На первой же странице в таблице "Absolute Maximum Ratings". 20 вольт.

Пардон, за невнимательность)