Поздравляю.
Можно. Выход ОУ тоже должен быть подключен к "Out" через резистор 20 ом (как R3).

Господа !
Понимаю, что такие вопросы уже были, однако у меня непонятки((.
Схема (см. картинку).
Транзистор КТ3117; R1=R2=150 Ом, стоит фотодиод ФД-256.
Проблема: с выводов (к регистрирующему устройству) напряжение такое же, практически, как и напряжение питания 5В. Транзистор рабочий.
Какое в таком случае поставить сопротивление ? (R2>R1 ?).

Чего же вы хотите, с такими номиналами
Закон Ома знаете?

PCBWay - всего $5 за 10 печатных плат, первый заказ для новых клиентов БЕСПЛАТЕН

Сборка печатных плат от $30 + БЕСПЛАТНАЯ доставка по всему миру + трафарет

Онлайн просмотровщик Gerber-файлов от PCBWay + Услуги 3D печати

Да, I=U/R. Однако, не понимаю какие сопротивления поставить((

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Обязательным условием долгой и стабильной работы Li-FePO4-аккумуляторов, в том числе и производства EVE Energy, является применение специализированных BMS-микросхем. Литий-железофосфатные АКБ отличаются такими характеристиками, как высокая многократность циклов заряда-разряда, безопасность, возможность быстрой зарядки, устойчивость к буферному режиму работы и приемлемая стоимость. Но для этих АКБ очень важен контроль процесса заряда и разряда для избегания воздействия внешнего зарядного напряжения после достижения 100% заряда. Инженеры КОМПЭЛ подготовили список таких решений от разных производителей.

Подробнее>>

Так а вы посмотрите какой ток у вашего фотодиода. Напряжение у вас уже есть.
А про эмиттерный повторитель вы что знаете?

Новый аккумулятор EVE серии PLM для GSM-трекеров, работающих в жёстких условиях (до -40°С)

Компания EVE выпустила новый аккумулятор серии PLM, сочетающий в себе высокую безопасность, длительный срок службы, широкий температурный диапазон и высокую токоотдачу даже при отрицательной температуре. Эти аккумуляторы поддерживают заряд при температуре от -40/-20°С (сниженным значением тока), безопасны (не воспламеняются и не взрываются) при механическом повреждении (протыкание и сдавливание), устойчивы к вибрации. Они могут применяться как для автотранспорта (трекеры, маячки, сигнализация), так и для промышленных устройств мониторинга, IoT-устройств.

Подробнее>>

Если хотите, что бы схема надежно работала, то сделайте как здесь.
http://radiokot.ru/circuit/analog/games/15/

Я пытаюсь собрать эмиттерный повторитель для того, чтобы получить больший ток (из теории), чем даёт фотодиод.
Как я понимаю, чем больше R2 (на выходе эмиттера) тем Uдиода будет больше (т.к.Uдиода=Iэ*R2) ?

Таки вам на выходе ток нужен, или напряжение (Uдиода=Iэ*R2)?
Не смотрели в сторону операционных усилителей? (Ключевые слова для поиска "усилитель фотодиода")

Gudd-Head, ток усилить в моём случае было бы полезнее)).

Здраствуйте!
Изучаю эммитерный повторитель в протеусе, режим А ,и не пойму почему появляются искажения при большом токе покоя? Транзистор ZTX450 (Ikмакс 1А), Нагрузка 6 ом , питание 6 вольт. ток покоя 500ма. подаю на вход синусоиду (1000гц, амлитуда 2В) сигнал на выходе обрезан сверху. Если же выбрать ток покоя малым, 1-5ма,(увеличив сопротивление нагрузки до 600-3000 ом), таких искажений нет при входном сигнале с амплитудой вплоть до 6вольт.
Прилагаю скрин с протеуса http://img.radiokot.ru/files/101012/hkxd6gkx8.jpg

Стоявший ZTX450 из библиотеки BIPOLAR Заменил на ZTX450 из библиотеки ZETEX и все заработало. транзистор из библиотеки BIPOLAR видимо неправильный... даже Ube=2В при токе 0.5А...

Если бы ты догадался поиграться величиной R1, то получил бы тот же результат и с первым транзистором. При отсутствии входного сигнала на эмиттере транзистора должно быть 0,5Uпит, 3 вольта.

В первом случае в режиме покоя напряжение на эммитере тоже равно 3В
Вот скрин http://img.radiokot.ru/files/101012/hlnrbpbl9.JPG

Тогда явная ошибка в модели. Uбэ никак не может быть 2 вольта.
У меня в Микрокапе для нормального режима R1 получался около 500 Ом.

Да, при "правильном" ZTX450 из другой библиотеки R1 около 500.
Почитаю ветку про симуляторы.

А какие ограничения на амплитуду входного сигнала? Снизу огарничение условием rэ(диф. сопротивление перехода) << Rнагрузки ?
А сверху условие обратного смещения коллекторного перехода, т.е. нелья "убирать" это смещение? Если да, то какое миниумум смещение должно оставаться?

Если задача стоит - получить максимальную амплитуду на выходе, то в первом приближении смещение надо подобрать так, чтобы без сигнала на эмиттере было напряжение, равное половине напряжения питания. Такую схему смещения, как у тебя почти не используют в нормальной технике, т.к. нужен будет подбор резистора под каждый экземпляр транзистора. Обычно ставят резистивный делитель, ток которого задают >3*Iб, напряжение на базе E/2+ 0,6 В. Потом по осциллограмме можно подкорректировать делитель, чтобы ограничение начиналось одновременно сверху и снизу.
Но это все справедливо, если сопротивление нагрузки, подключаемой через конденсатор, значительно больше, чем резистор в эмиттере. Если ты подключишь нагрузку 4 Ом к своей схеме, то не получится и половины той амплитуды, которая будет на хх. Для работы на низкоомную нагрузку такая схема не применяется. Там нужен ЭП на 2-х транзисторах, как в схемах УНЧ с двухтактным выходом.

Задача стоит понять динамический диапазон входного напряжения. вот выставили мы рабочую точку(пусть одним резистором в конкретно данном случае) в режим А, на холостом ходу на нагрузке падает половина напряженя питания. Питание= 6 вольт. Сколько можно подать максимум на вход? При слишком большом входном сигнале коллекторный переход уже будет без смещения, либо даже смещен в прямом направлении. так? А при слишком малом мгновенном напряжении входного сигнала rэ>Rнагрузки и падает коэффициент усиления (<<1) ? Т.е. какой лимит на размах входного сигнала в классе А при питании 9в?

ЭП в режиме А не применяется для низкоомных нагрузок из-за больших токов покоя и малого КПД, по этой причине же вроде как?..

Если нагрузка после конденсатора высокоомная, при 9 В питании можно получить без искажений двойной размах выходного напряжения почти 9 В, амплитуда 4,5 В. Входное практически такое же.
Если нагрузка низкоомная, тут сложнее. Предположим, Rн= тоже 6 Ом, как и резистор в эмиттере. Тогда при полностью закрытом транзисторе источником сигнала будет заряженный конденсатор, его напряжение (4, 5 В) поделится пополам между 2-мя одинаковыми резисторами, максимальная неискаженная амплитуда отрицательной полуволны будет 2,25 В, и всей синусоиды соответственно то же.