подскажите методику,поэтапного расчета однокаскадного унч,если не трудно распишите как правильно это сделать(схему прилагаю)




Сюда перенес.
aen

Правильно ли сделал расчет,дедал по этому сайту http://irls.narod.ru/azb/rtk01.htm

транзистор 2n2221
hfe-20min pmax-0.8w Icm-0.5 A напряжение питания Eп=12 в 5.66 ом-Re
pmax= 0.8*800=640 mW 50.94 ом- Rk
ik0=Ррас/Uke=Ррас/(Еп/2)=640 Mw/6 в=0.106 A
Rk+Re=(Eп/2)/Ik0=(12V/2)/0.106 А= 6в/0.106А=56.6 Ом
uk0=(Uke0+Ik0*Re)=(Eп-Ik0*Rk)=12в-0.106А*50.94 ом=6.6в
Ib=Ik/H21=0.106/20=0.0053 A
Ток делителя Iд=10*0.0053=0.053 A
тогда RБ1+Rб2=Eп/Iд=12/0.053=227 ом
Напряжение на эмиттере без сигнала Ue=Ik0*Re=0.106x5.66=0.59 В
Напр на базе 0.66 для перевода в активный режим
Ub=0.59+0.66=1.25 V
Тогда Rb2=(Rb1+rb2)*Ub/Eп=227*1.25/12=23.64 Ом
rb1=227-23.64=203.36 ом

PCBWay - всего $5 за 10 печатных плат, первый заказ для новых клиентов БЕСПЛАТЕН

Сборка печатных плат от $30 + БЕСПЛАТНАЯ доставка по всему миру + трафарет

Онлайн просмотровщик Gerber-файлов от PCBWay + Услуги 3D печати

Раз предельные параметры не превышены, то можно и так считать...
А можно исходить и из требований "а что надо получить в результате?"...Может у вас нагрузка
10К и не обязательно в коллекторе иметь 50 Ом и греть транзистор на всё "что написано"....

Организация питания на основе надежных литиевых аккумуляторов EVE и микросхем азиатского производства

Качественное и безопасное устройство, работающее от аккумулятора, должно учитывать его физические и химические свойства, профили заряда и разряда, их изменение во времени и под влиянием различных условий, таких как температура и ток нагрузки. Мы расскажем о литий-ионных аккумуляторных батареях EVE и нескольких решениях от различных китайских компаний, рекомендуемых для разработок приложений с использованием этих АКБ. Представленные в статье китайские аналоги помогут заменить продукцию западных брендов с оптимизацией цены без потери качества.

Подробнее>>

страшно сказать но нагрузка 6 омный динамик

Новый аккумулятор EVE серии PLM для GSM-трекеров, работающих в жёстких условиях (до -40°С)

Компания EVE выпустила новый аккумулятор серии PLM, сочетающий в себе высокую безопасность, длительный срок службы, широкий температурный диапазон и высокую токоотдачу даже при отрицательной температуре. Эти аккумуляторы поддерживают заряд при температуре от -40/-20°С (сниженным значением тока), безопасны (не воспламеняются и не взрываются) при механическом повреждении (протыкание и сдавливание), устойчивы к вибрации. Они могут применяться как для автотранспорта (трекеры, маячки, сигнализация), так и для промышленных устройств мониторинга, IoT-устройств.

Подробнее>>

С постоянным током через его катушку? Зря, зря.

Ерундой не занимайтесь.
Десятки раз на форуме писали, что выложенная Вами схема это, предварительный усилитель.
Низкоомные же динамики подключают в оконечные усилители мощности, а схемотехника оконечных усилителей мощности работающих на НИЗКООМНУЮ на нагрузку отличается от схем предварительных усилителей.
Повторять это в десятый раз вряд ли кто будет, поэтому читайте начиная с этого поста и дальше
viewtopic.php?p=1602943#p1602943
И с этого
viewtopic.php?p=653641#p653641
Хотя кто его знает?
Возможно найдутся охотники написать все это в десятый раз.

Всем добрый вечер. Возник такой вопрос. Усилитель с общим эмиттером и ООС по току. Различия только в способе задания рабочей точки - изображение ниже

ООС вроде есть в обоих случаях. Как я вижу различия (не считая способа задания рт) только во входном сопротивлении. При задании рт током вх сопротивление выше.
Какие преимущества есть у схемы слева (рт напряжением задается) перед схемой справа (током)?
Вопрос возник т.к. во всяких книжках вч усилители рисуют только с делителем, а не с резистором на базу.
Только в увч в коллекторе индуктивность стоит

У схемы слева рабочая точка стабилизирована.
У схемы справа рабочая точка плавает при изменении бэты транзистора. Хотя и не так сильно, как при коротком замыкании эмиттерного резистора.

Однако, кучу схем видел промышленной (бытовой) с задачей током, особенно в приемной аппаратуре.

Вы имеете ввиду, при подстановки в схему транзисторов такого же типа, но с разными бэттами или у одного транзистора коэффициент плавает? Если второе, то вы про изменение температуры транзистора, вызываемое изменение коэф-та усиления по току?
Если бы схема с делителем не обладала существенно более низким входным сопротивлением (в общем случае) была бы вообще красота.

Ни в коем случае нельзя делать так как на схеме справа! Причина в том, что коэффициент В (бэта) транзистора сильно зависит не только от экземпляра, но и от рабочего тока, а, главное, от температуры. Поэтому на В нужно ориентироваться только для оценки тока базы при выборе тока делителя напряжения для задания рабочей точки (первая схема). Ток через этот делитель должен быть в 5-10 раз больше тока базы, чтобы изменения базового тока не сильно влияли на работу каскада. Альтернативный вариант - подключение резистора R3 во второй схеме не к питанию, а к промежуточному потенциалу. При питании цепи эмиттера отрицательным напряжением это может быть потенциал земли. Но и в этом случае падение напряжения на резисторе R3, вызванное протеканием тока базы, должно быть мало, по сравнению с напряжением на эмиттере.

Вон оно что. Я передатчик мастерил с ЧМ на 100 МГц примерно. У меня какие то каскады с рт задаваемой напряжением, какие то током. Исходил из соображений согласования каскадов. С делителем получается для последнего каскада слишком низкое входное сопротивление

Вы идете по ложному пути.
Ищите причину неработоспособности вашего передатчика в другом месте.

Вообще-то, в радиотехнике, для каскадов с такими частотами типовое входное сопротивление - 50 ом, а транзисторы включают по схеме с общей базой. Конечно, есть специальные случаи, н-р усилитель канала вертикального отклонения осциллографа. Но, по-любому, для работы с такими частотами нужен опыт, и я порекомендовал бы начать с изучения и повторения готовых конструкций.

Разве я сказал, что у меня что-то не работает?)
Да 50 ом это стандарт и для таких частот и выше, но не обязательно стремится к 50 омам в промежуточных местах схемы. И если уж серьезно относится к согласованию, то нужно не просто реальную часть импеданса согласовывать, а и мнимую, но для этого нужно измерять s параметры, что многим не очень возможно из-за отсутствия приборов и мне в том числе. В промежуточных местах схемы у меня вх сопротивление 500 - 1000 ом или даже больше, но главное чтобы на выходе модуль импеданса был в районе 50 ом. Для этого я делаю каскад с высоким (относительно) вх и низким вых модулем импеданса, причем лучше ниже 50 ом, т.к. использовать четверть волновую антенну чуть меньше 75 см нет особого желания, она будет чуток поменьше, пусть и с удлиняющей катушкой. А вопрос был в том, что я не мог найти существенной разницы кроме вх активного сопротивления этими способами установки рт, спасибо, за ответ

Для схемы ОЭ не нужно забывать про динамическую емкость (эффект Миллера). Для частоты в 100МГц, сопротивлением (импедансом) в 100 Ом обладает емкость в 16пф, которую, даже без учета емкости монтажа, будет иметь на входе каскад ОЭ с усилением 10 и емкостью база-коллектор в 1.5пф.

Уточнил в датшите. Скб = 16 fF, значит даже при усилении по напряжению в 100 раз (больше у меня и не используется) экв емкость будет около 1.6 pF, модуль импеданса такой ёмкости на 100 МГц около 1ком. Или я где то в логике рассуждений ошибаюсь? И вот ещё вопрос: много радио любительских схем есть где в выходном каскады увч задание рт током базы, видимо для упрощения схемы? И в этом случае при длительной работе из за нагрева транзистора будет меняться h21 и как следствие параметры усилителя поплывут?

Нет, не ошибаетесь. Просто нужно об этом не забывать, как и о емкости монтажа и других паразитных параметрах.
Нужно видеть конкретную схему. Вообще, разработчики УВЧ схем, почему-то, нередко игнорируют правила стабилизации режима работы каскада по постоянному току. Но, возможно, дело здесь и в другом: если потенциал базы равен потенциалу коллектора, то транзистор находится в активном режиме. Активный режим сохраняется до момента открытия диода база-коллектор (Uбк>~0.4В). Поэтому, например, при работе на трансформаторную нагрузку можно задать потенциал базы равным потенциалу коллектора (альтернативный вариант). В этом случае, правда, амплитуда неискаженного выходного сигнала на коллекторе будет ограничена величиной в 0.4В, но, допустив ограничение (что возможно для ЧМ), можно поднять ее до 0.7В.

Вот с этим полностью согласен.

Здесь же вопрос об усилителе мошности ВЧ.
Если какой либо каскад в усилителе мощности, например выходной работает в перенапряженном режиме, то о какой термостабилизации режима этого конкретного каскада там может идти речь?
Там может быть конечно схема индикации или защиты работы усилителя при обрыве или рассогласовани нагрузки(антенны), но это совсем другое.

Первая попавшаяся схема с индикацией.
https://radiokot.ru:443/circuit/analog/ ... ansmit/05/

Красным обвел.
С защитой тоже можно найти.

В подобных схемах два пути.
В маломощных передатчиках ставят транзисторы по мощности с запасам(о таких схемах думаю и ведет речь ТС), а в мощных передатчиках вводят защиту или вообще делают на лампах.

Не нужно путать работу транзистора в режиме малых и в режиме больших сигналов.
Это совершенно разные вещи и подход в этих схемах к термостабилизации разный.