транзистор 2n2221 hfe-20min pmax-0.8w Icm-0.5 A напряжение питания Eп=12 в 5.66 ом-Re pmax= 0.8*800=640 mW 50.94 ом- Rk ik0=Ррас/Uke=Ррас/(Еп/2)=640 Mw/6 в=0.106 A Rk+Re=(Eп/2)/Ik0=(12V/2)/0.106 А= 6в/0.106А=56.6 Ом uk0=(Uke0+Ik0*Re)=(Eп-Ik0*Rk)=12в-0.106А*50.94 ом=6.6в Ib=Ik/H21=0.106/20=0.0053 A Ток делителя Iд=10*0.0053=0.053 A тогда RБ1+Rб2=Eп/Iд=12/0.053=227 ом Напряжение на эмиттере без сигнала Ue=Ik0*Re=0.106x5.66=0.59 В Напр на базе 0.66 для перевода в активный режим Ub=0.59+0.66=1.25 V Тогда Rb2=(Rb1+rb2)*Ub/Eп=227*1.25/12=23.64 Ом rb1=227-23.64=203.36 ом
Раз предельные параметры не превышены, то можно и так считать... А можно исходить и из требований "а что надо получить в результате?"...Может у вас нагрузка 10К и не обязательно в коллекторе иметь 50 Ом и греть транзистор на всё "что написано"....
Обязательным условием долгой и стабильной работы Li-FePO4-аккумуляторов, в том числе и производства EVE Energy, является применение специализированных BMS-микросхем. Литий-железофосфатные АКБ отличаются такими характеристиками, как высокая многократность циклов заряда-разряда, безопасность, возможность быстрой зарядки, устойчивость к буферному режиму работы и приемлемая стоимость. Но для этих АКБ очень важен контроль процесса заряда и разряда для избегания воздействия внешнего зарядного напряжения после достижения 100% заряда. Инженеры КОМПЭЛ подготовили список таких решений от разных производителей.
Компания EVE выпустила новый аккумулятор серии PLM, сочетающий в себе высокую безопасность, длительный срок службы, широкий температурный диапазон и высокую токоотдачу даже при отрицательной температуре.
Эти аккумуляторы поддерживают заряд при температуре от -40/-20°С (сниженным значением тока), безопасны (не воспламеняются и не взрываются) при механическом повреждении (протыкание и сдавливание), устойчивы к вибрации. Они могут применяться как для автотранспорта (трекеры, маячки, сигнализация), так и для промышленных устройств мониторинга, IoT-устройств.
_________________ ВНИМАНИЕ! Я часто редактирую свои сообщения, поэтому перед ответом мне советую обновить страницу. За перенос модераторами в МЯВУ тем с моими сообщениями я ответственности не несу.
Ерундой не занимайтесь. Десятки раз на форуме писали, что выложенная Вами схема это, предварительный усилитель. Низкоомные же динамики подключают в оконечные усилители мощности, а схемотехника оконечных усилителей мощности работающих на НИЗКООМНУЮ на нагрузку отличается от схем предварительных усилителей. Повторять это в десятый раз вряд ли кто будет, поэтому читайте начиная с этого поста и дальше viewtopic.php?p=1602943#p1602943 И с этого viewtopic.php?p=653641#p653641 Хотя кто его знает? Возможно найдутся охотники написать все это в десятый раз.
Всем добрый вечер. Возник такой вопрос. Усилитель с общим эмиттером и ООС по току. Различия только в способе задания рабочей точки - изображение ниже ООС вроде есть в обоих случаях. Как я вижу различия (не считая способа задания рт) только во входном сопротивлении. При задании рт током вх сопротивление выше. Какие преимущества есть у схемы слева (рт напряжением задается) перед схемой справа (током)? Вопрос возник т.к. во всяких книжках вч усилители рисуют только с делителем, а не с резистором на базу. Только в увч в коллекторе индуктивность стоит
У схемы слева рабочая точка стабилизирована. У схемы справа рабочая точка плавает при изменении бэты транзистора. Хотя и не так сильно, как при коротком замыкании эмиттерного резистора.
_________________ Ваше открытие опровергает науку? Нет, это наука опровергает ваш бред. Истина никогда не бывает посередине. Ведь середина на стороне того, кто больше лжёт. Не стыдно писать в МЯЯЯУ! - стыдно вести себя не как порядочный Радио Кот.
У схемы справа рабочая точка плавает при изменении бэты транзистора.
Вы имеете ввиду, при подстановки в схему транзисторов такого же типа, но с разными бэттами или у одного транзистора коэффициент плавает? Если второе, то вы про изменение температуры транзистора, вызываемое изменение коэф-та усиления по току? Если бы схема с делителем не обладала существенно более низким входным сопротивлением (в общем случае) была бы вообще красота.
Усилитель с общим эмиттером и ООС по току. Различия только в способе задания рабочей точки...
Ни в коем случае нельзя делать так как на схеме справа! Причина в том, что коэффициент В (бэта) транзистора сильно зависит не только от экземпляра, но и от рабочего тока, а, главное, от температуры. Поэтому на В нужно ориентироваться только для оценки тока базы при выборе тока делителя напряжения для задания рабочей точки (первая схема). Ток через этот делитель должен быть в 5-10 раз больше тока базы, чтобы изменения базового тока не сильно влияли на работу каскада. Альтернативный вариант - подключение резистора R3 во второй схеме не к питанию, а к промежуточному потенциалу. При питании цепи эмиттера отрицательным напряжением это может быть потенциал земли. Но и в этом случае падение напряжения на резисторе R3, вызванное протеканием тока базы, должно быть мало, по сравнению с напряжением на эмиттере.
_________________ Like the eyes of a cat in the black and blue...
Вон оно что. Я передатчик мастерил с ЧМ на 100 МГц примерно. У меня какие то каскады с рт задаваемой напряжением, какие то током. Исходил из соображений согласования каскадов. С делителем получается для последнего каскада слишком низкое входное сопротивление
Я передатчик мастерил с ЧМ на 100 МГц примерно. ... С делителем получается для последнего каскада слишком низкое входное сопротивление
Вообще-то, в радиотехнике, для каскадов с такими частотами типовое входное сопротивление - 50 ом, а транзисторы включают по схеме с общей базой. Конечно, есть специальные случаи, н-р усилитель канала вертикального отклонения осциллографа. Но, по-любому, для работы с такими частотами нужен опыт, и я порекомендовал бы начать с изучения и повторения готовых конструкций.
_________________ Like the eyes of a cat in the black and blue...
Ищите причину неработоспособности вашего передатчика в другом месте.
Разве я сказал, что у меня что-то не работает?) Да 50 ом это стандарт и для таких частот и выше, но не обязательно стремится к 50 омам в промежуточных местах схемы. И если уж серьезно относится к согласованию, то нужно не просто реальную часть импеданса согласовывать, а и мнимую, но для этого нужно измерять s параметры, что многим не очень возможно из-за отсутствия приборов и мне в том числе. В промежуточных местах схемы у меня вх сопротивление 500 - 1000 ом или даже больше, но главное чтобы на выходе модуль импеданса был в районе 50 ом. Для этого я делаю каскад с высоким (относительно) вх и низким вых модулем импеданса, причем лучше ниже 50 ом, т.к. использовать четверть волновую антенну чуть меньше 75 см нет особого желания, она будет чуток поменьше, пусть и с удлиняющей катушкой. А вопрос был в том, что я не мог найти существенной разницы кроме вх активного сопротивления этими способами установки рт, спасибо, за ответ
Для схемы ОЭ не нужно забывать про динамическую емкость (эффект Миллера). Для частоты в 100МГц, сопротивлением (импедансом) в 100 Ом обладает емкость в 16пф, которую, даже без учета емкости монтажа, будет иметь на входе каскад ОЭ с усилением 10 и емкостью база-коллектор в 1.5пф.
_________________ Like the eyes of a cat in the black and blue...
Уточнил в датшите. Скб = 16 fF, значит даже при усилении по напряжению в 100 раз (больше у меня и не используется) экв емкость будет около 1.6 pF, модуль импеданса такой ёмкости на 100 МГц около 1ком. Или я где то в логике рассуждений ошибаюсь? И вот ещё вопрос: много радио любительских схем есть где в выходном каскады увч задание рт током базы, видимо для упрощения схемы? И в этом случае при длительной работе из за нагрева транзистора будет меняться h21 и как следствие параметры усилителя поплывут?
Нет, не ошибаетесь. Просто нужно об этом не забывать, как и о емкости монтажа и других паразитных параметрах.
ДмитрийМ писал(а):
...много радиолюбительских схем есть где в выходном каскады увч задание рт током базы...
Нужно видеть конкретную схему. Вообще, разработчики УВЧ схем, почему-то, нередко игнорируют правила стабилизации режима работы каскада по постоянному току. Но, возможно, дело здесь и в другом: если потенциал базы равен потенциалу коллектора, то транзистор находится в активном режиме. Активный режим сохраняется до момента открытия диода база-коллектор (Uбк>~0.4В). Поэтому, например, при работе на трансформаторную нагрузку можно задать потенциал базы равным потенциалу коллектора (альтернативный вариант). В этом случае, правда, амплитуда неискаженного выходного сигнала на коллекторе будет ограничена величиной в 0.4В, но, допустив ограничение (что возможно для ЧМ), можно поднять ее до 0.7В.
_________________ Like the eyes of a cat in the black and blue...
разработчики УВЧ схем, почему-то, нередко игнорируют правила стабилизации режима работы каскада по постоянному току
Здесь же вопрос об усилителе мошности ВЧ. Если какой либо каскад в усилителе мощности, например выходной работает в перенапряженном режиме, то о какой термостабилизации режима этого конкретного каскада там может идти речь? Там может быть конечно схема индикации или защиты работы усилителя при обрыве или рассогласовани нагрузки(антенны), но это совсем другое.
В подобных схемах два пути. В маломощных передатчиках ставят транзисторы по мощности с запасам(о таких схемах думаю и ведет речь ТС), а в мощных передатчиках вводят защиту или вообще делают на лампах.
Не нужно путать работу транзистора в режиме малых и в режиме больших сигналов. Это совершенно разные вещи и подход в этих схемах к термостабилизации разный.
Сейчас этот форум просматривают: нет зарегистрированных пользователей и гости: 37
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения