Наверное, закрытый переход Э-К "отключает" переход Э-Б от батареи.

Т.е. получается что без поступления основных носителей заряда в базу (через ее контакт) прямого смещения эмиттерного перехода не происходит?
Чуть-чуть по-другому: основные носители поступают в базу только при прямом напряжении на переходе (ток перехода зависит экспоненциально от прямого напряжения).

Но почему большое напряжение эмиттер-коллектор не создает прямое смещение эмиттерного перехода?
Давайте, для простоты, рассматривать идеальный случай. Коллекторный переход полностью заперт обратным напряжением, тока нет, значит нет и прямого смещения эмиттерного перехода (иначе был бы ток), все напряжение приложено к коллекторному переходу.

Ведь оно создает мощное поле, которое действует против поля этого pn-перехода!
Все поле сосредоточено в обратносмещенном коллекторном переходе.

Но зачем нам дырки в базе, ведь сильное поле батареи само тянет эти электроны из эмиттера!
Само оно не может (оно все между базой и коллектором). Нужно, чтобы что-то "выманило" носитель из эмиттера, чтобы он проскочил в коллектор. Напомню - база тонкая и это делает вероятность рекомбинации в ней существенно меньше единицы. В этом отличие транзистора от двух встречных диодов.

P.S. Транзистор "не знает", в какой схеме он находится (ОБ, ОЭ или ОК), он в любой схеме работает одинаково.

Вот в этом месте осталась непонятка.
Почему все напряжение батареи целиком прикладывается к коллекторному переходу? Что мешает оставить условно 0.6 вольта из 12 на эмиттерном переходе, а остальное приложить на коллектор? Точно так же как при прямом включении диода, когда есть падение напряжения на 0.6 В.

PCBWay - всего $5 за 10 печатных плат, первый заказ для новых клиентов БЕСПЛАТЕН

Сборка печатных плат от $30 + БЕСПЛАТНАЯ доставка по всему миру + трафарет

Онлайн просмотровщик Gerber-файлов от PCBWay + Услуги 3D печати

Потому что нет тока. Нет тока - нет 0.6 вольта...

Организация питания на основе надежных литиевых аккумуляторов EVE и микросхем азиатского производства

Качественное и безопасное устройство, работающее от аккумулятора, должно учитывать его физические и химические свойства, профили заряда и разряда, их изменение во времени и под влиянием различных условий, таких как температура и ток нагрузки. Мы расскажем о литий-ионных аккумуляторных батареях EVE и нескольких решениях от различных китайских компаний, рекомендуемых для разработок приложений с использованием этих АКБ. Представленные в статье китайские аналоги помогут заменить продукцию западных брендов с оптимизацией цены без потери качества.

Подробнее>>

При прямом включении диода через что?
Если через разумно выбранный резистор - то да, но если через резистор ток течёт.
А попробуйте подключить два диода встречно-последовательно, "симулируя транзистор".
Пойдёт микроток - обратный ток коллектора закрытого диода. А при таком токе напряжение на прямосмещённом диоде тоже мизерное.

Новый аккумулятор EVE серии PLM для GSM-трекеров, работающих в жёстких условиях (до -40°С)

Компания EVE выпустила новый аккумулятор серии PLM, сочетающий в себе высокую безопасность, длительный срок службы, широкий температурный диапазон и высокую токоотдачу даже при отрицательной температуре. Эти аккумуляторы поддерживают заряд при температуре от -40/-20°С (сниженным значением тока), безопасны (не воспламеняются и не взрываются) при механическом повреждении (протыкание и сдавливание), устойчивы к вибрации. Они могут применяться как для автотранспорта (трекеры, маячки, сигнализация), так и для промышленных устройств мониторинга, IoT-устройств.

Подробнее>>

Посмотрим, что пишут Тице-Шенк:



Все становится на свои места. Прямое падение напряжения через диод зависит от тока через него и если нет тока (идеальный случай), то нет и напряжения. В реале небольшой обратный ток коллекторного перехода все-таки есть и это может привести к открыванию (пробою) транзистора с оборванной базой. Именно поэтому режим с оборванной базой крайне не рекомендуется, обязательно должен быть резистор (внешняя проводимость) между базой и эмиттером.

Здравствуйте !

Скажите пожалуйста, можно ли заменить отечественный транзистор КТ 361 Д стоящий перед семисегментным индикатором в часах Электроника Г 902 на китайский 2SA1020 или наш КТ 814 Г ?

Вот их характеристики :

2SA1020 / КТ361Д / КТ 814 Г

Структура - p-n-p / p-n-p /p-n-p
Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -50 В / 40 В / 100 В
Напряжение коллектор-база, не более: -50 В / 40 В / 80 В
Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V / 4 В
Ток коллектора, не более: -2 А / 50 мА / 1500 мА
Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.9 Вт / 0.15 Вт / 1 Вт
Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 70 до 240 / от 20 до 90 / от 30 до 275
Граничная частота коэффициента передачи тока: 40 МГц / =>250 МГц / =>3 МГц


Так то вроде можно, но может есть ещё какие то факторы которые нужно учесть ?

По характеристикам там хватило бы и популярных 2SA733 или КТ502.
А эти с запасом. КТ814Г - выводы жестче, не громоздко будет?

Работать ему, я думаю (схемы нет, но очень вероятно), в ключевом режиме - следовательно, прежде всего именно на параметры этого режима и обращайте внимание. Первый из них - напряжение насыщения коллектор - эмиттер, то есть напряжение на полностью открытом ключе при определённом токе через него. Чем оно меньше, тем лучше: во-вторых, тем больше достанется нагрузке, а во-первых, тем меньше он сам будет нагреваться проходящим через него током. Имеет значение и коэффициент передачи тока: если он окажется слишком маленький, то транзистор просто не войдёт в ключевой режим, оставшись в линейном (усиление), и может помереть от перегрева. Большие мегагерцы граничной частоты в данном случае несущественны, а по остальным параметрам (кроме упомянутого напряжения насыщения) любая из замен явно проходит.

Согласен, тем более, что 2SA733 могу приобрести у себя в городе без проблем.



Все верно - в ключевом. http://img.radiokot.ru/files/80326/17v3ml8kes.jpg
кт 361 Д / 2SA733
Uce 400 мВ / 300 мВ
K усиления по току 20-90 / 90 - 600

Это подходящие параметры для замены ?

Конечно.

БОЛЬШОЕ СПАСИБО за консультацию

Здравствуйте! Вопрос по биполярному транзистору.
Не могу понять как и куда течет ток в схеме с общим коллектором и общей базой. Дошло только насчет общего эмиттера.

Просьба, если не лень, нарисовать схему с ОК и ОБ где можно вращать ручку потенциометра и наблюдать изменение напряжения на нагрузке в случае с ОБ, и тока в случае с ОК.
А то общие схемы, найденные в и-нете не дают представления о сути процесса.




Сюда перенес.
Также в разделе есть прикрепленные темы по конкретным включениям транзистора.
aen

чтобы получить схему с ОК просто перенеси Rн из коллектора в эмиттер в своей схеме.
ну и подстроечник разверни так чтобы он мог регулировать напряжение (один конец на общий провод, другой на батарейку, середину на базу), т.к. эта схема работает с напряжением.

Добавлено after 5 minutes 18 seconds:
для получения схемы с ОБ в исходной схеме (ОК) поменяй местами эмиттер и базу и переверни бататейку в цепи базы.

Добавлено after 7 hours 52 minutes 56 seconds:

Спойлер

правда у тебя нарисован транзистор прямой полярности (проводимости) (пнп), а у меня обратной (нпн), но они отличаются только направлением токов и напряжений

Непонятно, сюда?
рис.1

или сюда?
рис.2

Не знаю, что считать общим проводом.
Так?
рис.3

Или так?
рис.4

Увы, со слов не разобрать.
P.S. Подключать с ОБ побоялся.

рис 4 правильный.

Добавлено after 12 minutes 56 seconds:
рис 1 ты просто поменял местами батарейку и резистор, здесь как раз тот случай "от перемены мест слагаемых сумма не меняется" т.е. резистор как был в коллекторной цепи, так и остался...
рис 2 уже правильно, получилась схема с ОК (общий провод на схеме нижний - на нём, в самой середине сходятся три ветви - от базы, от эмиттера и от коллектора, так вот нога транзистора которая не отделена от общего провода сопротивлением и есть общяя) (батарейки не в счёт, в нашем примере в них нет сопротивления и они служат только для создания смещений).
рис 2 схема с общим коллектором также называется эмиттерным повторителем за то, что наиряжение на эмиттере повторяет напряжение на базе, осталось сделать регулируемое напряжение нв базе...

Добавлено after 8 hours 27 minutes 5 seconds:
для получения схемы с ОБ в исходной схеме (ОЭ) поменяй местами эмиттер и базу и переверни бататейку в цепи базы. (опечатался...)

Добавлено after 3 minutes 27 seconds:
ПС: а ты спойлер не разворачивал? я там все три схемы выложил...

Схема с ОК должна усиливать по току. А почему тогда на нагрузке меняется и ток и напряжение?

Спойлер

меняться и усиливать это разные вещи.
на переходе б-э падает всегда практически одно и то же напряжение => dUб = dUэ т.е. усиление по напряжению =1.

Чесно говоря, не понятно.
Но, спасибо за ответ.

перевод: на переходе транзистора падает около 0,7в (в рабочем режиме) т.е. если на базе был 1в а стало 2в (разница 1в), то на эмиттере было 0,3в стало 1,3в (разница тот же вольт).

Добавлено after 4 minutes 40 seconds:
принцип работы этой схемы похож на принцип работы гидроусилителя руля - поворот будет на тот же угол как и без гидроусилителя но сила (ток) за счет гидротяги которая включается когда пойдет усилие через клапан на рейку (ток коллектора, который появляется когда появляется ток базы) будет много больше.