Kentgaryk, Вам легко жить! Вы просто мало знаете о нелинейностях и флуктуациях в конденсаторах
Да наверное так! Мне не снятся ночами "сегнетоэлектрические эффекты в керамических, модуляция ионной проводимости в электролитических и прочая, прочая, прочая." Более того в музыке я тоже их не слышу, а вот искажения и завал АЧХ на верхах германиевого усилителя слышу отлично. Но тут ведь известный способ изобретен - использования совместно с германиевым (ламповым) усилителем динамика 1ГД28 с ним точно нихера не услышишь.
Я уже писал - основной принцип аудиофила это раздувание любой песчинки до размеров Эвереста! Ему абсолютно не важны количественные показатели явления. Будь это скин-эффект, диэлектрические потери, термопары при спаях проводников из разных металлов, сопротивление кабелей. Если оно есть - значит надо его надуть! Спойлер
Тут ведь как говорит наш Великий и Ужасный ПУ - "Если у вас паранойя, то это еще не значит, что за вами не следят!
ssc, вот Вы постоянно пишете про местную оос в УН которая которая " как снижает выходное сопротивление этого каскада, так и обеспечивает эффективную разрядку диффузионной емкости ВК через выходное сопротивление каскада УН, повышая кроме всего прочего за счет этого частоту среза первого полюса АЧХ, а значит, и площадь ООС в сторону более высоких частот.." Но разве при охвате общей оос не снижается выходное сопротивление УНа?Ведь глубина оос скажем на 20кгц практически одна и на же(хоть с этой местной оос хоть без нее) и мы просто уменьшаем глубину оос на участке до 20кгц
Добавлено after 8 minutes 10 seconds: kentgaryk,да....кабель жирный,да еще и серебряный))))видно у мужика бабла куры не клюют и он аудиофильством шифруется))))
..потому что это достаточно элегантное решение, позволяющее пофиксить сразу несколько проблем..
ибуки писал(а):
Но разве при охвате общей оос не снижается выходное сопротивление УНа?
..нет..
_________________
..не проси у ssc - лучше в гугле ты спроси ..будь ты ботег и экспресс - там для вас ответов лес ..не умеешь ты читать - надо школу посещать ..в общем, сам ответ найдёшь ты - больше нечего сказать
Но разве при охвате общей оос не снижается выходное сопротивление УНа?
Внутренние элементы усилителя не знают о наличии либо отсутствии общей ООС им по барабану, просто при подаче части выходного сигнала на вход в противофазе соответствующим образом меняется коэффициент усиления, и компенсируются внесенные в выходной сигнал искажения.
Обязательным условием долгой и стабильной работы Li-FePO4-аккумуляторов, в том числе и производства EVE Energy, является применение специализированных BMS-микросхем. Литий-железофосфатные АКБ отличаются такими характеристиками, как высокая многократность циклов заряда-разряда, безопасность, возможность быстрой зарядки, устойчивость к буферному режиму работы и приемлемая стоимость. Но для этих АКБ очень важен контроль процесса заряда и разряда для избегания воздействия внешнего зарядного напряжения после достижения 100% заряда. Инженеры КОМПЭЛ подготовили список таких решений от разных производителей.
Внутренние элементы усилителя не знают о наличии либо отсутствии общей ООС им по барабану
..типо, они просто не в курсах...
_________________
..не проси у ssc - лучше в гугле ты спроси ..будь ты ботег и экспресс - там для вас ответов лес ..не умеешь ты читать - надо школу посещать ..в общем, сам ответ найдёшь ты - больше нечего сказать
Компания EVE выпустила новый аккумулятор серии PLM, сочетающий в себе высокую безопасность, длительный срок службы, широкий температурный диапазон и высокую токоотдачу даже при отрицательной температуре.
Эти аккумуляторы поддерживают заряд при температуре от -40/-20°С (сниженным значением тока), безопасны (не воспламеняются и не взрываются) при механическом повреждении (протыкание и сдавливание), устойчивы к вибрации. Они могут применяться как для автотранспорта (трекеры, маячки, сигнализация), так и для промышленных устройств мониторинга, IoT-устройств.
резюк 200...500к с выхода на вход УНа-местная параллельная оос,только мне не понятно в чем преимущество?если скажем глубина оос на 20кгц в обеих случаях скажем 40дб,а на низких частотах в первом случае( без этой местной оос) скажем 70дб а с ней 40дб во всем диапазоне от нч до 20кгц почему тогда в мощных ОУ типа 2050 ее не применяют?
резюк 200...500к с выхода на вход УНа-местная параллельная оос,только мне не понятно в чем преимущество?если скажем глубина оос на 20кгц в обеих случаях скажем 40дб,а на низких частотах в первом случае( без этой местной оос) скажем 70дб а с ней 40дб во всем диапазоне от нч до 20кгц почему тогда в мощных ОУ типа 2050 ее не применяют?
от, блин! всё-таки зацепили! кто-нибудь может посчитать, каким образом такая связь влияет на все параметры каскада? имеется ввиду УН. а то ведь я счас начну приводить формулы, а проверить их будет некому. в связи с этим вопрос: что вы понимаете под выходным сопротивлением каскада УН? во избежание недоразумений. а то у меня по этому элементу пробел
чем ниже выходное сопротивление УНа,тем лучше его способность работать на низкоомную нагрузку а значит выше быстродействие ,а также быстрее разряд паразитных емкостей транзисторов,а значит уменьшение периода протекания сквозного тока при переключении плеч что ведет к уменьшению интермодуляции и прочих искажений ЗЫ но все это ценой незначительного увеличения искажений на нч
В теме по усилителю для Электроника Д1-12 все это обсуждалось с результатами моделирования в Микрокап. Проблема не в выходном сопротивлении УН , а в разрядных токах первого драйвера ВК. Для эффективной разрядки емкостей этого драйвера токи должны куда-то уходить. Местная ООС с выхода УН не обеспечивает достаточной скорости спада токов перезаряда. Вклад ее в этот процесс незначителен. В результате, компенсация в петле общей ООС на входной сигнал усилителя, на высоких частотах спектра входного сигнала, задерживается и возникают динамические искажения на выходе первого каскада (TIM), которые перегружают следующий каскад и вызывают вспышки интермодуляции на верхних частотах спектра входного сигнала. Это связано с нарушением условия динамической линейности для данного усилителя -соотношением между скоростью нарастания на выходе, спектром входного сигнала и полосой усилителя с замкнутой ООС. Для проверки выполнения этого условия используется входной сигнал усилителя из меандра с наложенным синусом частотой 8-15 кГц и амплитудой 1/10 от меандра. Если TIM искажения присутствуют, то синус поверх меандра на выходе усилителя исказится. ФНЧ на входе усилителя ограничивает спектр входного сигнала и уменьшает возникновение TIM искажений. Выбор частоты среза для фильтра первого порядка составляет примерно 1/4 от расчетной оптимальной верхней частоты спектра входного сигнала (см. книгу Шкритека) . Эти вопросы уже рассматривались.
Последний раз редактировалось EMiq Вт окт 17, 2017 08:43:18, всего редактировалось 2 раз(а).
2 EMiq таки да, согласен. но в этой теме такой объём информации, что сразу не въедешь. что касается УН. ещё раз говорю: не понимаю, что такое выходное сопротивление. и самое главное: чего с ним буду делать. поэтому поступаю просто: включение резистора с коллектора на базу транзистора УН приводит к появлению на коллекторе этого транзистора параллельно нагрузке сопротивления в размере этого резистора (хорошо сказал!). иными словами, если я включу в ООС резистор 300к, то нагрузка будет зашунтирована сопротивлением 300к. И ВСЁ! если сопротивление нагрузки 20к, то с ООС эквивалентное сопротивление нагрузки составит 18,75к. если ничего остальное не меняется, то усиление УН упадёт на 0,5 дБ (это только из-за уменьшения нагрузки, на самом деле больше из-за уменьшения базового тока. но это потом). млин, какие тут разрядные токи? какая динамика? по выходу ничего не меняется! а вот по входу УН изменения весьма серьёзные.
Выходное сопротивление схемы УН c ОЭ определяется напряжением Эрли транзистора и составит порядка 50-100 кОм. Для эффективной разрядки емкостей входа ВК нужно около 10-20 кОм - зависит от емкости. Только в этом случае при обычной схемотехнике удается получить малую задержку в контуре общей ООС. В теме Д1-12 это продемонстрировано в моделях. Ниже - из той темы. В файле Graph_R.rar приведены графики модели с резистором в ОС УН и с резисторами подтяжки входов ВК. Почувствуйте разницу. Влияние на общий THD не значительно.
Заголовок сообщения: Re: Усилитель на германиевых транзисторах
Добавлено: Вт окт 17, 2017 13:20:28
Мучитель микросхем
Карма: 4
Рейтинг сообщений: 15
Зарегистрирован: Ср янв 26, 2011 13:43:30 Сообщений: 414 Откуда: С того берега моря
Рейтинг сообщения:0
Ребята, а вот в этом усилителе в первом каскаде можно установить МП26 или П422?
_________________ - Бежит этот подлец-электрон, а вокруг его масса (аж 10 в 23й) штук ионов кремния и 10 в 15й ионов примеси и он, подлец, взаимодействует!
Вы что издеваетесь???опять к этому го...ну возвращаемся
Что поделать, я давно его собрал уже, не охото выбрасывать...
_________________ - Бежит этот подлец-электрон, а вокруг его масса (аж 10 в 23й) штук ионов кремния и 10 в 15й ионов примеси и он, подлец, взаимодействует!
Заголовок сообщения: Re: Усилитель на германиевых транзисторах
Добавлено: Вт окт 17, 2017 15:54:50
Мучитель микросхем
Карма: 4
Рейтинг сообщений: 15
Зарегистрирован: Ср янв 26, 2011 13:43:30 Сообщений: 414 Откуда: С того берега моря
Рейтинг сообщения:0
Мне просто захотелось повторить усилитель детства из книги В.Г. Борисова. Я его не собираю для утонченного прослушивания Баха или Вивальди..
Добавлено after 7 minutes 12 seconds:
Цитата:
kentgaryk
Боже мой...... Подняли то эго свое, карму мне ни за что подпортив?
_________________ - Бежит этот подлец-электрон, а вокруг его масса (аж 10 в 23й) штук ионов кремния и 10 в 15й ионов примеси и он, подлец, взаимодействует!
Подняли то эго свое, карму мне ни за что подпортив?
Нет уважаемый, подлечил немного твое, нормальные участники форумов не минусуют все подряд сообщения оппонента, даже если с ним не согласны. Ты написал кучу всяких глупостей, а я ведь не одного минуса тебе не поставил. А ты мне сколько поставил, посчитай. Учись себя вести адекватно при общении на форумах, отрицательная карма это признак склочника.
Сейчас этот форум просматривают: нет зарегистрированных пользователей и гости: 42
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения