По поводу проверки силовых ключей мегаомметром могу добавить. что конечно же перед тем как тестировать транзистор нужно убедится в том, что мегаомметр достаточно мощный и способен поднять напряжение хотябы на одном вольтметре до 1000В. А также записать сопротивление самого вольтметра.
В моем случае при измерении изоляции транзистора стрелка мегаомметра дергается и не стоит на месте 800- 600кОм. Дергается, это говорит о возникновении дополнительных путей протекани тока внутри транзистора и происходит это на недопустимо низком напряжении.
Такие тесты мы проводим с силовыми тиристорами, когда начинается спонтанный выход из строя.
И хочу добавить, что кляч с классом изоляции ниже 1200В это не ключ.Он выходит из строя сразу или через месяц ночью или днем снижая общую надежность до такого уровня когда непрерывное производство работаь непрерывно уже не может. О 600 вольтах даже речи не может идти.
Транзистор должен легко держать 1000В.
Это измерение выявляет старение изоляции, а в данном случае, тут нечему стареть, изоляции просто нет. Мои ключи годятся только на работу вольт 50, максимум 100 и то если нет коммутационных перенапряжений.
Пробой может проходить частично и через затвор, а значит ключ спонтанно откроется в ненужное время. Вот вам и вполне обьяснимая причина выхода из строя транзисторов, кстати основанная на опыте

В свое время мы отбраковывали ключи для блоков питания по заводской документации - генератор импульсов в базу и 800 вольт в коллектор - дальше отбраковка по форме импульсов на коллекторе. Для IGBT 1000 вольт в статике и быть уверенным, что ничего нигде не утекает просто по изоляции на затвор - это ооочень хорошие лабораторные условия.

Полностью согласен.
Мегерил сегодня IGBT модуль 1200В MG50Q2YS40, затворы с эмиттерами закорочены, мегаомметр на 1000В. Результат - стрелка ложиться в бесконечность (>400МОм). Делаем выводы

Здравствуйте. Сегодня получил из Йошкар Олы 10 этих же транзисторов(FGA25N120ANTD). На пределе 200 мегаом китайским тестером 9 штук уходят в бесконечность (коллектор-эмиттер). У одного на этом пределе 80 мегаом. Но если у этого транзистора коснуться отрицательным концом на затвор относительно эмиттера а потом неспеша снова замерить коллектор-эмиттер, то будет тоже бесконечность.
В нашем случае в схеме есть закрывающее (отрицательное) напряжение. Если товарищ (не запомнил кто) измерит мегаомметром еще и так хотя бы с 4 закрывающими вольтами, картина будет не такая печальная. В таком режиме при показании "бесконечность" можно использовать в схеме?

Кстати, по даташиту у этих транзисторов (25-х) ток утечки достигает 3 ма при нулевом напряжении на затворе и напряжении К-Э 1200 В, что составляет сопротивление 1200/3=400 килоом. Так что все нормально.
У MG50Q2YS40 ток утечки до 1 ма. Я думаю, все укладывается в даташит.

Приветствую всех. Автору спасибо за труды.

Кто собирал устройство на транзисторах от рекомендованных продавцов с алиэкспресс, есть смысл их ставить на 2,2кв двигатель?
а то я их уже заказал у одного из них транзисторы недорого как бы...

Разобрал дома плитку индукционную, составил фоторобот транзистора, на али нашлось идентичных по внешнему виду совсем мало и это только фотографии, что там пришлют реально вообще не понятно. С нашими магазинами, судя по отзывам то же самое, но "немного" дороже. Ужас.

Удачи.

только хотел написать что уже второй раз горит резистор 18Ом, глянул новую схему а там уже 5-и ваттный,
вопрос автору, нет ли желания собрать автомобильный инвертор 12-220вольт 2000-3000 ватт, я бы купил готовую рабочую плату, а так же подсказал бы форум где проявят большой интерес к сему девайсу

А чем же кормить такую детину? Извините за оффтоп.

Чтоб посты не набивать, спрошу сразу автора проекта. От давнишнего проекта остались IRG4PC50WPBF. Как думаете пойдут они сюда или нет. И еще вопрос, можно вместо hcpl3120 поставить TLP250? Боюсь купить подделку 3120, а TLP в роде как оригинал.
И конечно же выражаю большую благодарность автору проекта, очень востребованный в хозяйстве(в гараже три станочка)приборчик. Спасибо!

Ваши расчеты абсолютно правильны. Вы взяли данные из даташита и заком ома из учебника по физике.
Ну а теперь дело за малым, попробовать подать 1200 вольт, и измерить милиамперметром долгожданные 3 мА. И только после этого можно будет делать вывод об исправности транзистора и соответствии или несоответствии даташиту. Но даже если параметр из даташита Ices Collector Cut-Off Current - max 3 mA это ток утечки, то это значит .что штатное сопротивление изоляции ключа min 0,4Мегаома. Теоретически соответствует документации, практически в 20 и более раз хуже любого фирменного модуля. По мере поднятия напряжения на транзисторе вы поймете почему нормальные производители сопротивлению изоляции придают особую важность и никогда не используют ключи с низкой изоляцией.

Уважаемый ALLEX, извините за поправку, но 3 ма - это не утечка ИЗОЛЯЦИИ, а это нормальная характеристика биполярного транзистора. Если требуется транзистор с меньшими утечками, то можно и выбрать по справочнику. В нашем случае, я думаю, это полностью приемлемо и 25-е можно ставить без предварительного отбора. Тем более у нас есть запирающее напряжение в схеме и ток утечки стремится к нулю при подаче минуса в затвор в несколько вольт. Думаю - точку поставит DC-AC.

Мною предложенные испытания транзистора направлены абсолютно не на измерения тока 3 мА, на моих фотографиях даже нет милиамперметра. Они направлены на проверку соответствия маркировки в 1200 вольт, т.е. транзистор должен держать 1000 вольт например в течении минуты без прожига. Тогда он и в схеме будет работать. Чтобы увидеть реальный прожиг нужно делать еще один тест на более мощном источнике - высоковольтной лабораторной установке по испытанию средств защиты. Тест мегаомметром, это просто менее затратный способ.
Ставить без проверки полученные из китая по почте транзисторы можно, но если будут перемаркеры или с изоляцией на грани фола, то работать такой, как у меня транзистор будет не долго, здесь лишняя осторожность не помешает. У меня нормально работают на 50 вольтах. На 300 вольтах работают только 1 секунду. Поэтому и пришлось копать. Я просто лопухнулся сам, и потратил кучу времени.
Проблема в том, что стандартным мегааомметром нельзя доказать продавцу, что ключь низковольтный, потому что по даташиту допустимо 0,4 Мом. Нужно испытывать на высоковольтной установке.
Даташит допускает и более высокие сопротивления изоляции например 10 Мом, 20Мом, 50Мом.

Цели такой пока нет. Такую штуку накидывать на аккум, желательно уже брать 24В диода в них нет, 600В, не для частотника они
можно, в затворы ставим 20Ом и вперёд. У меня частотник на сверлильнике отлично работает на TLP250.

По поводу выбора ключей.
Сопротивление перехода транзистора на 1200В в закрытом состоянии должно быть максимально высоким. Это показатель качества кристалла и соответствия его классу напряжения. Ток утечки может быть вызван неосновными носителями (некачественный или подбитый кристалл) и образованием нестабильного лавинного пробоя при низковольтном переходе в высоком напряжении. Поэтому качественные ключи прозваниваются на много мегоОм и легко держат 1000В. А если при тестировании кристалл ещё нагреть до 100гр. и приложить это напряжение, то и та самая утечка уже будет совсем иная. На нормальном ключе она будет минимальна и находиться в допуске.

Частотник может работать в различных динамических режимах, поэтому для безопасной и стабильной работы необходимо качество ключей. Транзисторы должны быть рассчитаны под режим жесткого переключения (hard switch), желателен двойной и более запас по току и напряжению, а также быстродействующий обратный диод с малым временем обратного восстановления.

Про FGA25N120. Trench IGBT - имеют гораздо меньший размер и площадь кристалла, соответственно и в разы меньшую перегрузочную способность. Цитата из их даташита: "for the resonant or soft switching application" - говорит о том, что они изначально не заточены под режим жесткого переключения. По отзывам и проведённым измерениям оригинальность и качество их изготовления на нуле.
Исходя из всего вышеизложенного, а также собственного опыта построения частотников рекомендую отказаться от применения данных ключей.

Здравствуйте. DC-AC, эти монстры MG50Q2YS40 по даташиту рекомендуют переключать двуполярным питанием +-15 В, при этом их быстродействие около 0,5 мкс, в зависимости от резистора в затворе. Не могли бы Вы сказать какое в программе выделено "мертвое" время для защиты от сквозных токов. Худший вариант, до 75 гц. Так легче было бы подобрать транзисторы по "характеристики - задачи - финансовые возможности - доставаемость". Протеусу я не доверяю.
Потому что MG50Q2YS40 стоят около 60$ (Китай).
И еще - бывает ли защита отключением высокого напряжения, сразу после кондеров. Естественно - быстрая.
Между прочим, скорость переключения у 25-х около 100 нс при GE=+-15В. Вполне. И что же вместо них? Говорят, два в параллель лучше чем один мощный.

Мёртвое время - 2мкс.

такая скорость тут не нужна, она только навредит перенапряжениями

Понял. Затяну резистором в затворе. Ну и радиатор потолще. И не вылезти за 2 мкс.

Можно и параллелить, но это по току, а если они напряжение не держут смысла нет.
Из технологий Trench IGBT можно попробовать IRG7PH37K10D. Старые добрые G4PH40KD(UD), G4PH50KD (UD) также имеются.

Доброго здравия, господа.
Особо моё почтение автору конструкции.

подскажите пожалуйста, где скачать последние "релизы" схемы, печаток, прошивки.
особо печатка силовой части беспокоит.

Сделал электроплуг, но без частотника и радиопульта с ним работать сложновато на большом огороде.

вообщем повторилась ситуация один в один. уверен на 99% виной тому "качественные" транзисторы, заказанные здесь http://ru.aliexpress.com/store/808897
на транзисторе имеется еще непонятная маркировка
судя по всему не только у меня такие транзисторы повылетали. И резисторы шунта тут не причем.
кстати есть необьяснимый глюк при работе частотника с этими транзисторами, это неадекватное поведение показометра, если поднести к нему руку, цифры на индикаторе хаотично менялись.
И теперь самое интересное, FGA25 с одним кристаллом внутри, которые считают подделкой, работали отлично. Частотник на них гоняли и в хвост и в гриву, коротили на ходу, включали закороченный, включали еще не остановившийся двигатель, нагревали радиатор больше 70 градусов и было все Ок.
есть конечно и эти транзисторы сгоревшие, но там была моя ошибка в монтаже.
купить можно здесь http://ru.aliexpress.com/store/1022067, кто с Украины, в Космодроме. Не сочтите за рекламу.

попробовал напечатать переднюю панель на пленке струйным принтером. на плоскую поверхность можно наклеить идеально, на кривую уже тяжело, есть огрехи

Приветствую участников форума.
Так понимаю, для проверки igbt транзистора на отсутствие фейверков с выжиганием остальных частей схемы, достаточно трансформатор вольт на 500, диодный мост и 12 вольт на затвор от батарейки, а в нагрузку проволочный резистор. Ну и выспаться перед этим обязательно.
Это для любительских схем конечно и без динамики. Поправте пожалуйста, если не так.

Ниже фото рабочего транзистора в индукц. плитке 2кв. Напряжение на нём не измерял, точно более 50 вольт должно быть судя по звукам. По даташиту хар-ки практически идентичны FGA25N120. Он так же, имеет рекомендованное применение с "мягким" режимом программного(софтового) управления. У "рекомендованых продавцов" с али, на фото выглядит так же. Если кто будет их использовать - напишите как они.


Удачи всем.

стр. 94, силовых печаток в архиве нет т.к. в собственных конструкциях их практически не использую. На форуме есть варианты, многие повторили со стр. 6. Есть и ещё. Почитайте тему.


Это однозначно перемаркер

Такая схема может сильно ёбом токнуть и при неверных манипуляциях с затвором ещё и ключ нормальный испортить. Начинать проверку лучше мультиметром и низковольтным БП. Прогружать по току измеряя падение тоже от низковольтного БП с предварительно поданным на затвор напряжением в 12-15В. А потом, если всё соответствует драташиту для уверенности закоротив затвор с эмиттером осторожно подавать высокое напряжение на К-Э через высокоомный резистор и измерять ток утечки.
Транзистор на фото - обратнопроводимый IGBT, т.е обратный диод уже внедрён в структуру кристалла, а не стоит рядом. Вскрыв его увидим один кристалл. И это будет не полевик, а именно обратнопроводимый IGBT, на омы он не прозвонится. Следует обратить внимание в драташите на тепловое сопротивление переходов для транзистора и для диода - они равны, т.к являются единым кристаллом. Площадь осталась, тепла выделяется больше. Интенсивно рвать ток такой кристалл долго не сможет. В индукционной плите резонансный режим, коммутация очень лёгкая, там они и работают. В частотнике они быстро устанут хлопать