«Телесистемы»: Микросхемы флэш-памяти Nand Flash и карты памяти SmartMedia фирмы Samsung

Мы осуществляем поставки микросхем флэш-памяти Nand Flash фирмы Samsung, карт памяти SmartMedia на их основе и разъёмов для подключения к картам SmartMedia.

По нашему опыту, Nand Flash фирмы Samsung являются на сегодняшний день самыми оптимальными по критерию «цена-качество». Их основные преимущества:

Ёмкость от 4 Мбит до 2 Гбит.
Удобный параллельный интерфейс с совмещённой шиной адреса-данных. С одной стороны, он может обеспечивать большую скорость обмена (до 20 Мбайт/c), c другой, не требует большого количества управляющих выводов (13 выводов).
Широкий диапазон напряжений питания 1,8...5 В.
Большая скорость записи (2 мс на блок 16 Кбайт).
Широкий диапазон корпусов (от 9х11 мм TBGA , до 12х20 мм TSOP).
Большая надёжность записи (до 100.000 циклов, срок хранения данных — 10 лет).
Полная совместимость с картой памяти SmartMedia (по сути, SmartMedia представляет собой Nand Flash соответствующей ёмкости, выполненную в виде карты).

Микросхемы флэш-памяти Nand Flash фирмы Samsung выбраны фирмой «Телесистемы» своих изделий (Цифровой диктофон «EDIC-mini», Телефон с цифровым автоответчиком и компьютерным интерфейсом «Phone MASTER Gamma+»). Дополнительную информацию по микросхемам флэш-памяти Nand Flash и картам памяти SmartMedia можно получить на сайте производителя.

Для того, чтобы Вам было с чего начать мы прилагаем пример программы общения с Nand Flash для PIC16C73 (файл NandFlash.asm).

Поставляемые карты памяти SmartMedia 64 Мбайт 3,3 В Samsung K9S1208V0A-SSB000 примененяются в цифровых камерах и МР3-плейерах, а также в некоторых моделях цифровых секретарей (PDA) и карманных персональных компьютерах.

Срок выполнения заказа на поставку 4...6 недель, предоплата — 30%.

В настоящее время на складе есть следующие позиции:

Наименование	Описание	Цена розн., у.е.	Цена 200+, у.е.	Цена 500+, у.е.	Цена 1000+, у.е.	Цена 2000+, у.е.
Микросхемы
K9F2808U0M-YCB	NAND FLASH (16 Мбайт)	8	6,8	6,5	6	5,6
K9F5608U0M-YCB	NAND FLASH (32 Мбайт)	12	10,2	9,7	9	8,4
K9F1208U0M-YCB	NAND FLASH (64 Мбайт)	24	20,4	19,4	18	16,8
K9K1G08U0M-YCB	NAND FLASH (128 Mбайт)	39	33,2	31,6	29,3	27,3
K9F1G08U0M-YCB	NAND FLASH (128 Mбайт)	39	33,2	31,6	29,3	27,3
K9K2G08U0M-YCB	NAND FLASH (256 Mбайт)	75	63,8	60,8	56,3	52,5
Карта флэш-памяти SmartMedia
K9S1208V0A-SSB000	Карта SmartMedia 64 Мбайт (3,3 В)	30	25,5	24,3	22,5	21
Разъём для карты SmartMedia
Разъём для карты SmartMedia		2,4	2,2	2,0	1,8	1,8
* 200+, 500+, 1000+, 2000+ - означают общую сумму покупки для получения соответствующей скидки

Чертёж разъёма для карты SmartMedia находится в файле

SmartMedia_connector.pdf (619,471 байт).

Позиции Nand Flash другой ёмкости или в других корпусах, отсутствующие у нас на складе, мы готовы поставить под заказ (рассматриваются заказы от 500 у.е.). Срок выполнения заказа на поставку 4...6 недель, предоплата — 30%.

Микросхемы флэш-памяти Nand Flash и карты памяти SmartMedia фирмы Samsung

Part Number	Organization	Operating Voltage(V)	Temperature	Speed (ns)	Package	Production Status	Comments	PDF
NAND
K9F2808Q0B	16M x 8	1.7~1.9	C, I	70	63TBGA	Engineering Sample	0.18um
K9F2808U0B	16M x 8	2.7~3.6	C, I	50	48TSOP1, 63TBGA, 48WSOP1	Mass Production	0.18um	ds_k9f2808q(u)0b.pdf (618,873 байт)
K9F2808U0A	16M x 8	2.7~3.6	C, I	50	48TSOP1	Being Phased out	0.22um
K9F5616Q0B	16M x 16	1.65~1.95	C, I	50	63TBGA	Engineering Sample(coming soon)	0.15um
K9F5616U0B	16M x 16	2.7~3.6	C, I	50	48TSOP1, 63TBGA	Engineering Sample(coming soon)	0.15um
K9F5608Q0B	32M x 8	1.65~1.95	C, I	50	63TBGA	Engineering Sample(coming soon)	0.15um
K9F5608U0B	32M x 8	2.7~3.6	C, I	50	48TSOP1, 63TBGA, 48WSOP1	Engineering Sample(coming soon)	0.15um
K9F5608U0A	32M x 8	2.7~3.6	C, I	50	48 TSOP1	Mass Production	0.18um	ds_k9f5608u0a.pdf (535,298 байт)
K9K1208U0A	64M x 8	2.7~3.6	C, I	60	48 TSOP1, 48 WSOP	Being Phased out	0.18um, Dual die	DS_K9K1208U0A.PDF (368,292 байт)
K9F1208U0M	64M x 8	2.7~3.6	C, I	60	48 TSOP1	Mass Production	0.15um
K9F1G08U0M	128M x 8	2.7~3.6	C, I	50	48 TSOP1	Engineering Sample(coming soon)	0.12um	ds_k9f1g08(16)q(u)0m.pdf (582,199 байт)
SmartMedia
K9S3208V0A	4M x 8	3.0~3.6	0~55°C	50	22 PAD	Mass Production	—
K9S6408V0A	8M x 8	2.7~3.6	0~55°C	50	22 PAD	Mass Production	—
K9S2808V0A	16M x 8	2.7~3.6	0~55°C	50	22 PAD	Mass Production	—
K9S2808V0B	16M x 8	2.7~3.6	0~55°C	50	22 PAD	Mass Production	—
K9S2808V0M	16M x 8	2.7~3.6	0~55°C	50	22 PAD	Mass Production	—
K9D5608V0M	32M x 8	2.7~3.6	0~55°C	50	22 PAD	Mass Production	Dual Chip
K9S5608V0A	32M x 8	2.7~3.6	0~55°C	50	22 PAD	Mass Production	—
K9S5608V0M	32M x 8	2.7~3.6	0~55°C	50	22 PAD	Mass Production	—
K9S1208V0M	64M x 8	2.7~3.6	0~55°C	50	22 PAD	Engineering Sample	—	k9s1208v0m.pdf (498,213 байт)
K9D1208V0А	64M x 8	2.7~3.6	0~55°C	50	22 PAD	Mass Production	—
K9Q1G08V0A	128M x 8	2.7~3.6	0~55°C	80	22 PAD	Mass Production	—
K9D1G08V0M	128M x 8	2.7~3.6	0~55°C	50	22 PAD	Engineering Sample	—

Диапазоны рабочих температур: C — Commercial (0°C~70°C), I — Industrial (-40°C~85°C)

Система обозначений флеш-памяти фирмы Samsung Semiconductor

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13

K 9 X XX XX X 0 X - X X X 0

1. Memory
K

2. NAND Flash
9

3. Small Classification (SLC: Single Level Cell, MLC: Multi Level Cell, SM: SmartMedia)
F: SLC Normal
K: SLC Die Stack
S: SLC Single SM
T: MLC Single SM
D: SLC Dual SM
G: MLC Normal
L: MLC Die Stack
E: MLC Dual SM

4. Density

40: 4M
80: 8M
16: 16M
32: 32M
64: 64M
28: 128M
56: 256M
12: 512M
1G: 1G

5. Organization
08: x8
16: x16
32: x32
64: x64

6. VCC
C: 5.0V(4.5V~5.5V)
V: 3.3V(3.0V~3.6V)
U: 2.7V~3.6V
W: 2.7V~5.5V, 3.0V~5.5V
7. Reserved
0

8. Version Suffix
M: 1st Generation
A: 2nd Generation
B: 3rd Generation
C: 4th Generation
D: 5th Generation
E: 6th Generation

9. «-»
-

10. Package
C: CHIP BIZ
J: SOJ
T: TSOP2
W: WAFER
G: SOP
S: SmartMedia
R: TSOP2(R)
Y: TSOP1

11. Temperature
C: Commerial
I: Industrial
S: SmartMedia
0: NONE

12. Bad Block
S: All Good Block
L: 1~5 Bad Block
B: Include Bad Block
0: NONE(Water, CHIP BIZ)

13. Reserved
0

Поставка/покупка электронных компонентов ||| О фирме ||| Главная страница ||| Содержание ||| Без кадра

E-mail: sales@telesys.ru