А это, обычно, учитывается в расчетах?

Добавлено after 1 minute 38 seconds:
Т.е. p-канальный транзистор, например. Если n-канальный, то наоборот, с повышением напряжения емкость растет?

какой нахрен p-n-переход? затвор полевого транзистора сделан из попикремния, отделён от n-канала оксидом кремния SiO2 и покрыт снаружи слоем алюминия, к которому приваривается вывод

Нет. С повышением закрывающего напряжения ёмкость падает. Просто у транзисторов разной проводимости закрывающее напряжение имеет разный знак.
Там куча паразитных переходов.

PCBWay - всего $5 за 10 печатных плат, первый заказ для новых клиентов БЕСПЛАТЕН

Сборка печатных плат от $30 + БЕСПЛАТНАЯ доставка по всему миру + трафарет

Онлайн просмотровщик Gerber-файлов от PCBWay + Услуги 3D печати

Давайте всё же будем отличать расчёт параметров от их определений.


Если говорить про полевики, то это справделиво только для JFET транзисторов. Для МОП транзисторов с изолированным завтором не актуально.


Данный график не отражает зависимость емкости завтора от напряжения на нём.


как не прыгают? Если повышается напряжение на обкладках конденсатора, то неизбежно осуществляется заряд. Заряд измеряется в Кулонах.

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Обязательным условием долгой и стабильной работы Li-FePO4-аккумуляторов, в том числе и производства EVE Energy, является применение специализированных BMS-микросхем. Литий-железофосфатные АКБ отличаются такими характеристиками, как высокая многократность циклов заряда-разряда, безопасность, возможность быстрой зарядки, устойчивость к буферному режиму работы и приемлемая стоимость. Но для этих АКБ очень важен контроль процесса заряда и разряда для избегания воздействия внешнего зарядного напряжения после достижения 100% заряда. Инженеры КОМПЭЛ подготовили список таких решений от разных производителей.

Подробнее>>

ничего там не растет и не падает иначе чем от дятки Мюлера.... затвор MOSFET просто кондер -НЕ ПЕРЕХОД
говорить о насыщени для мосфета вообще глупо а для затвора тем паче
вот с IGBT там все сложнее...

Добавлено after 3 minutes 22 seconds:
заряд гати да растет(и потери на управленрие) он зависить от ряда фактороф в тч и размаха сигнала управления но это неизбежное зло не хочете менится вернитесь к биполярам с пропорционално токовым управлением базой

Новый аккумулятор EVE серии PLM для GSM-трекеров, работающих в жёстких условиях (до -40°С)

Компания EVE выпустила новый аккумулятор серии PLM, сочетающий в себе высокую безопасность, длительный срок службы, широкий температурный диапазон и высокую токоотдачу даже при отрицательной температуре. Эти аккумуляторы поддерживают заряд при температуре от -40/-20°С (сниженным значением тока), безопасны (не воспламеняются и не взрываются) при механическом повреждении (протыкание и сдавливание), устойчивы к вибрации. Они могут применяться как для автотранспорта (трекеры, маячки, сигнализация), так и для промышленных устройств мониторинга, IoT-устройств.

Подробнее>>

при повышении обратного напряжения обёмный заряд утягивается полем вглубь, т.е. электроны утягиваются вглубь пластины, канал переворачивает свою проводимость с n на p в n-канальных транзисторах. те происходит обеднение носителями и транзистор переходит в непроводящее состояние...

клиповое мышление. Разновидностей полевых транзисторов чуть больше, чем здесь описано.

musor, при определенном заряде затвора канал полевика полностью открывается. Наверно этот заряд и указывается в даташите в виде постоянной емкости затвора?

Миллер доказал, что это не так.

<a href="./memberlist.php?mode=viewprofile&amp;u=144831">Kalisnik</a>,
что там указывает производитель спроси у НЕГО но условия мизмерения там описаны ка оно стыкуется с Rs вопрос весма обьемный но графики также есть в ДШ
parovoZZ, конкретно выше пока обсуждали толка 1 MOSFET...
но таки разновидносте полевикоф много.... и далеко не все вы даже видели живьем..
эмект дядки М. это так называемая ДИНАМИЧЕСКАЯ ЕМКОСТЬ -тоесть емкость которой физически НЭТ проявляется она долка в момент изменения сигнала на стоке
и характерна тне толко для мосяетоф в схеме ОИ нои для биполек в ОЭ

Kalisnik,
Пожалуй надо открыть учебник физики за 5 или 6 класс и прочитать что такое емкость и заряд конденатора и зависимости между емкостью, напряжением и кулонами))).

Можно почитать вот это.

Килиманджаро, речь не просто о зарядах, кулонах и конденсаторах - это я, более менее, понимаю. Важно, как это реализовано в транзисторах.

Добавлено after 1 minute 44 seconds:
Телекот, Ок. Спасибо.

ГОСТ описывает 8 видов, это не считая подвиды. А сколько ещё за бугром? Но таки да - со встроенным затвором полевики не держал и даже на картинках не видел, хотя в учебниках про них охотно пишут. Про прочую экзотику вообще молчу.

Добавлено after 3 minutes 31 second:

Нас она только и инетерсует, ибо статические параметры затвора МОП транзистора в импульсных схемах слабо интересны.

Kalisnik,
Если вы действительно намерены что то делать, то надо брать и делать а не слушать речи диванных теоретиков обо всем и ни о чем.

Что они вам посоветовали практического?
Правильно - ничего. Пустопорожнее болтание говна в бочке, или аналового источника тока с КПД 10%, или включение через лампочку.

Схему последнюю импульсного источника тока с форсажем при включении я привел. Какие сложности в ее реализации?

Я так понимаю вы студент начальных курсов и от форсунок весьма далеки. Просто вам надо по всей видимости написать курсовую, не более.

Я бы так не сказал. Печально что Вы так считаете. Ни один человек не может знать всего. Обмен опытом и знаниями - неминуемый этап просвещения.
Более того, противопоставляя себя "большинству" компетентного сообщества, Вы должны быть очень уверены в себе. Потому что если Вы окажетесь неправы, Вы будете поставлены в глупое положение.

Более правильный - это конструктивный подход. Если возникает разногласие, нужно аргументировать свою позицию так, чтобы собеседник с тобой согласился. Либо, если аргументы Вашего собеседника сильнее Ваших, иметь смелость признать свое заблуждение. Непременно доказывая свою правоту, Вы рискуете оказаться в плену своих заблуждений...

Но... может быть Вы правы и все остальные заблуждаются ))

ему не привыкать, он во многих темах в таком положении.

Почему, я предлагал схему с высоким КПД и китайским модулем.

Kalisnik,
Не ошибается тот, кто ничего не делает.
Таких старперов я по роду профессиональной деятельности насмотрелся. Приди к такому и положи бумагу ему на подпись, он найдет сто причин чтобы отфутболить тебя и будет елозить как уж на сковородке, переживая за свою жопу. Такие в одиночку не решают - потому что очко у таких жим жим. Они решают как они выражаются - коллегиально, т.е. личную ответственность на себя серут брать. Такие тормоза повсеместны в каждом институте дабы усидеть на своем протухшем стуле.

Телекот, что ты предложил - китайскую поделку, выдуманную не тобой?

Ты предложил использовать микросхему UC3843 придуманную не тобой и что. И использование этой микросхемы в схемах с большими токами не оправдано, так как падение напряжения на истоковом резисторе может достигать 1в.
Я предложил включение китайского модуля для работы в данном примере, зачем придумывать колесо если оно уже есть. Главное придумать как его лучше использовать.

чо? графики с зависимосью ёмкости от обратного ты вставлял? они из даташиита какоого транзистора? мосфет или джфета? каким боком джфеты к силовым п/п приборам, которые обсуждаются в разделе питание? пример силового жифета, который бы был здесь кому то интересен приведи пжлст