Что бы убедится что такое решение с дополнительным диодом имеет хоть какой то смысл.

Симулятор или осциллограф в помощь.

Да можно и на симуляторе, хоть и незначительно, но с диодном спад импульса более медленный. в остальном разницы нет.

Что в принципе и следовало ожидать так как на диоде падает порядка 0,7в и следовательно ток разряда затвора тоже падает.
Следовательно не чего хорошего диод не приносит, однако и очень большого вреда тоже нет. Но зачем ставить лишние детали. я про это уже писал.
Но диод существенно влияет на скорость открывания ключа с диодом он открывается гораздо медленние. Это связано с тем что биполярный транзистор без диода закрывается быстрее так как на базу подается запирающее напряжение, а с диодом база повисает в воздухе.

PCBWay - всего $5 за 10 печатных плат, первый заказ для новых клиентов БЕСПЛАТЕН

Сборка печатных плат от $30 + БЕСПЛАТНАЯ доставка по всему миру + трафарет

Онлайн просмотровщик Gerber-файлов от PCBWay + Услуги 3D печати

Телекот, насчет диода в базе и без симуляци всем вменяемым должно быть ясно это тупейше решение времен 70х в основном для линейных схем сдвига уровней ...
насчет

Добавлено after 2 minutes 26 seconds:
насчет https://radiokot.ru/forum/viewtopic.php ... 0#p4026550 зря даешь готовые подсказки пусть потрудится найдет и вьедет... а так тока с копипасттит в фотожере в очередную "свою схему"

Организация питания на основе надежных литиевых аккумуляторов EVE и микросхем азиатского производства

Качественное и безопасное устройство, работающее от аккумулятора, должно учитывать его физические и химические свойства, профили заряда и разряда, их изменение во времени и под влиянием различных условий, таких как температура и ток нагрузки. Мы расскажем о литий-ионных аккумуляторных батареях EVE и нескольких решениях от различных китайских компаний, рекомендуемых для разработок приложений с использованием этих АКБ. Представленные в статье китайские аналоги помогут заменить продукцию западных брендов с оптимизацией цены без потери качества.

Подробнее>>

А ты думаешь что это может произойти, я сомневаюсь.
Его склад ума это надолго, а с его наглостью то навсегда.

Новый аккумулятор EVE серии PLM для GSM-трекеров, работающих в жёстких условиях (до -40°С)

Компания EVE выпустила новый аккумулятор серии PLM, сочетающий в себе высокую безопасность, длительный срок службы, широкий температурный диапазон и высокую токоотдачу даже при отрицательной температуре. Эти аккумуляторы поддерживают заряд при температуре от -40/-20°С (сниженным значением тока), безопасны (не воспламеняются и не взрываются) при механическом повреждении (протыкание и сдавливание), устойчивы к вибрации. Они могут применяться как для автотранспорта (трекеры, маячки, сигнализация), так и для промышленных устройств мониторинга, IoT-устройств.

Подробнее>>

И третий раз для туго вьезжающих повторю - не всегда выигрыш в 50 нс. основное.
Телекот, ты действительно тормозишь не по детски.
В тех же промышленных блоках идут в первую очередь на надежное запирание транзисторов в ущерб каких то 50 нс. Это здесь происхолит запирание в связи десятикратной разности базового тока. Но в промышленных блоках такую херь не применяют.Недаром в последнее время транзисторы запирают обратной полярностью.
Китайцы нахера параллельно затвору цепляют емкость в 10 нанофарад? Или для твоего ума это недостижимо логически рассудить?

Мусор, тебе же уже сделали замечание за пустозвонство, не несущее никакого конструктива в теме польской зарядки. Так ты теперь здесь пустозвонишь?

Как это? Никакого усиления нет - транзистор в насыщение уходит.


Но ты то диод туда впаял.

спорить с тобой бесполезно
https://www.litres.ru/darya-kalinina/ba ... at-onlayn/

Добавлено after 2 minutes 42 seconds:

Не какого насыщения там нет потому как для открытия транзистора на базу нужно подать 0,7в, а напряжение насыщения к-э намного меньше.
Так что это обычный эмиттерный повторитель.

Значит уменьшайте базовый резистор.

Да хера тому телекоту доказывать.
Он хоть бы блин глянул как выполнены выходные каскады микросхем контроллеров ШИМ и драйверов. В них транзисторы для разрядки стоят по схеме с общим эмиттером а не эмиттнрным повторителем. Но он же твердолобый, до него не доходит.

Паровоз, если уменьшить базовый резистор в транзисторе для ращряда емкости затвора, то при равенстве его значения с ограничительным резисторрм при активном ходе - этот транзистор то ли закроется то ли нет при отсутствии дополнительного диода в базе. Это о том для чего я прилепил дополнительный диод в базу.

Добавлено after 3 minutes 12 seconds:
И последнее.
Насчет еикости в 10 нанофарад параллельно затвору.
Китайцы умные люди, и считают что лучше таким образом тормознуть закрытие транзистора чем ставить дополнительные снабберы.

В твоей схеме он стоит как эмиттерный повторитель, а мы её и обсуждаем. А что ты в свою схему её не поставил?

Добавлено after 6 minutes 11 seconds:

Хоть ты его замкни накоротко транзистор в таком включении в насыщение не войдёт, напряжение к-э будет порядка 0,6-0,7в это линейный режим работы. И ток базы будет пропорционален току эмиттера.

Телекот, а зачем усложнять (удорожать) схему для такого небольшого тока и напряжееия силового транзистора если и так достаточно, ты мог об этом задуматтся?

Гений ты наш доморощенный
Надо просить модераторов почистить тему уже несколько страниц твоего сранья.

Это точная информация? Даташит на любой транзистор говорит о том, что с повышением тока коллектора и с повышением скорости его нарастания, напряжение насыщения транзистора очень хорошо растёт. И да - там нет напряжения БЭ, а только токи базы и коллектора.
Проектировать схемы с параметрами, которые линейно зависят от бетта транзистора - очень плохая идея и сегодня это совсем не модно. Поэтому любыми способами транзистор надо загонять в режим с прогнозируемыми параметрами, а не как получится.

Ну вот покажи как ты загонишь схему с общим коллектором в насыщение без дополнительного питания.

Телекот, ты с темы то не соскакивай, чуть что сразу за срач хватаешься как за спасительную туалетную бумагу при поносе)))).

действително ПОСЛЕДНЯя КАПЛЯ...нихрена ты видимо не сечеш фишку ...а китайцы нищеброды неученые оказалис умнее тебя- они секут.... и да для полных идиотоф даю намек"снабберы" тут не причем.. а вот зачем ТАМ У НИХ в затворе доп емкость...походу тебе понять НЕ ДАНО... так что завязывай уж ты опыты по изобретателству господин "гениалный конструктор",а лучше вернись к углубленому изучению теории в ней походы ты полный 0 а без этого не одна "твоя схема" РАБОТАТЬ НЕ БУДЕТ
parovoZZ, драйверный БП транзистор(ы) в с хеме ОК работает всегда в линейном режиме что обеспечивает их очень высокое быстродействие при этом падение на них достаточно мало а расеивая моща не превыщает допуск (если тип выбран верно)необходимости загонять их в нас нет никакой напротиф иногда применяются СПЕЦмеры по недопущению их наса....

musor,
Тебя поперли с темы про польское зарядное как пустозвона, ты сюда прибежал засирать пустыми речами тему так и не сказав ничего про конденсаторы в 10 нан параллельно затвору потому что далек от этого как телекот от балета.

Падение КЭ транзистора в схеме с общим эмиттером и в схеме с эмиттерным повторителем ЗАВИСИТ от протекающего через КЭ тока - и не пори х....и если не знаешь.

не надо щёки надувать. Диод Шоттки в параллель БK - вот и все меры. Только такой подход огрничит коллекторный ток. И ухудшит термостабильность. Последнее для режима ключа не сильно вредно, но всё же.


не линейным, а активным. Линейным там и не пахнет.

parovoZZ,
В схеме с эмиттерным повторителем режим линейный. Отрицательная обратная связь максимальна.