Defl

Коллекторное (выходное) сопротивление транзистора обычно очень большое и им при таких расчётах пренебрегают. Ток коллектора рассчитывается через ток базы и никак иначе. Выходное сопротивление является всего лишь небольшой поправкой к току коллектора. Более того, это сопротивление обратно пропорционально току коллектора. Загуглите напряжение Эрли, когда разберётесь с основами.

Не смотря на то, что транзистор происходит от сокращения слов transconductance/transfer и varistor и может иметь весьма далёкий перевод "управляемый напряжением резистор", не следует это воспринимать дословно. Формула, что вы выписали ранее, где ток коллектора считается как напряжение питания делить на некоторую сумму сопротивлений, явно демонстрирует, что вы воспринимаете этот перевод дословно. В то время как в реальности всё всё совсем по-другому. Ток коллектора в активном режиме не зависит (в первом приближении) от каких-то там напряжений питания и нагрузок коллектора. Он зависит только от тока базы (вообще говоря не прямо пропорционально, но это уже тонкости). И уже затем по току коллектора рассчитывается падение напряжения на нагрузке и коллекторное напряжение.

Напряжение на переходе база-эмиттер в активном режиме так же считают константой, которая не зависит ни от чего. Ну разве только от типа полупроводника (0,65 для кремния и 0,1? для германия) и чуть-чуть от температуры.

Вообще, не совсем понятно, что делает расчёт транзистора в теме про конденсаторные динамические процессы, которые, вообще говоря, описываются дифференциальными уравнениями.

Абстрактно всегда представлял транзистор как переменный резистор, малым током базы управляем большим током коллектора, увеличивая или уменьшая ширину запирающего слоя, функционально то же самое сопротивление меняем протекание тока внешнего источника.

Неправильный подход. Где этому вас научили? Считайте его управляемым источником тока. Это представление тоже не совсем правильное, но всё же лучше, чем резистор. То, о чём вы рассказали - это, скорее, полевой транзистор.

PCBWay - всего $5 за 10 печатных плат, первый заказ для новых клиентов БЕСПЛАТЕН

Сборка печатных плат от $30 + БЕСПЛАТНАЯ доставка по всему миру + трафарет

Онлайн просмотровщик Gerber-файлов от PCBWay + Услуги 3D печати

Да всгда так думал, у него нет своего внутреннего энергетического ресурса чтоб носить гордое имя "источник". Всегда считал его обычным элементом цепи но только динамически меняющим свои характеристики.

Организация питания на основе надежных литиевых аккумуляторов EVE и микросхем азиатского производства

Качественное и безопасное устройство, работающее от аккумулятора, должно учитывать его физические и химические свойства, профили заряда и разряда, их изменение во времени и под влиянием различных условий, таких как температура и ток нагрузки. Мы расскажем о литий-ионных аккумуляторных батареях EVE и нескольких решениях от различных китайских компаний, рекомендуемых для разработок приложений с использованием этих АКБ. Представленные в статье китайские аналоги помогут заменить продукцию западных брендов с оптимизацией цены без потери качества.

Подробнее>>

Источник - не обязательнго за счёт своих ресурсов, можно и внешних. Ну если это сбивает с толку, попробуйте термин "генератор тока". Главное, помните, что это нихрена не резистор. И, кстати, пора бы уже ответить на последний заданный вопрос - про режим каскада без эмиттерного резистора.

Новый аккумулятор EVE серии PLM для GSM-трекеров, работающих в жёстких условиях (до -40°С)

Компания EVE выпустила новый аккумулятор серии PLM, сочетающий в себе высокую безопасность, длительный срок службы, широкий температурный диапазон и высокую токоотдачу даже при отрицательной температуре. Эти аккумуляторы поддерживают заряд при температуре от -40/-20°С (сниженным значением тока), безопасны (не воспламеняются и не взрываются) при механическом повреждении (протыкание и сдавливание), устойчивы к вибрации. Они могут применяться как для автотранспорта (трекеры, маячки, сигнализация), так и для промышленных устройств мониторинга, IoT-устройств.

Подробнее>>

Подождите, доаайте тут слегка остановимся, какое влияние оказывает ширна запирающего слоя на границе перехода( онже потенциальный барьер онже внутренняя напряжённость электрического поля) на протекание через него тока, именно такое же что и оказывает резистор ограничивает протекающий ток?

Ширина запирающего слоя? Не полезу я в эти дебри и вам не советую. Лишнее это, если не занимаетесь физикой или там технологией производства полупроводников. Считайте, что по какой-то причине транзистор даёт в коллектор ток, который (в разумных пределах) не зависит от номинала коллекторного резистора. По какой именно причине - это уже вопрос номер два. Пока можно считать, что ток коллектора пропорционален току базы, а коэффициент пропорциональности называется коэффициентом передачи тока.

Ну хорошо...тогда Iб=Uпит-600mV/R1, после чего воспользуемся коэффициентом бета, отсюда Iк=Бетта*Iб.

Ну правильно. А в цифрах? Сколько миллиампер? R1, как мы договорились, номиналом 560 кОм.

Iб=0,02mA. Бетта. А Бетта какое.

Добавлено after 14 minutes 17 seconds:
КТ815Б
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером 40-275
Iк=0,02mA*275=5,5mA

Вот она, неоднозначность. Бета - штука не только зависящая от экземпляра транзистора, но и от его температуры и даже от его коллекторного тока. С этим КТ815 ток коллектора может оказаться от 0.8 до 5.5 мА, если коллекторный резистор 3 кОм, то падение на нём порлучается от 2.4 до 16.5 В... последнее при 12-вольтовом питании невозможно, транзистор просто уйдёт в насыщение. А теперь вспоминаем прошлую схему, с эмиттерным резистором. Там, если делать упрощённый расчёт (какой мы и делали), то ток коллектора вообще не зависел от беты, а тут зависит, да ещё как. Понятно, что схема с эмиттерным резистором имеет стабилизацию коллекторного тока, а эта - нет. Попробую объяснить на пальцах, как эта стабилизация работает. Напряжение на базе, как мы помним, определяется делителем R1R2, и его можно считать постоянным. Поскольку падение на эмиттерном переходе тоже постоянное (точнее, мы считаем его постоянным, на самом деле оно немного меняется), то и напряжение на эмиттерном резисторе постоянное. Значит, и ток эмиттера постоянный, и примерно равный ему ток коллектора - тоже. Допустим, коллекторный ток изменился, и эмиттерный изменился - увеличился, например. Значит, и напряжение на эмиттере увеличилось. А на базе-то оно осталось прежним! Значит, уменьшилось падение на эмиттерном переходе, а это приводит к уменьшению коллекторного тока. Он увеличился и из-за этого уменьшился. Здесь мы разобрались (надеюсь) с сутью стабилизации режима транзистора.

Что то замечалось всё, непонятно кто где!? Расчёт есть, в кучу надо собрать, взаимосвязь потерял.

Т.е. с повышением температуры коллекторный ток падает, и чтобы сделать максимальное и постоянное усиление мы устанавливаем резистор в эммитере, а коллекторный резистор подбираем так чтобы ток был 5,5 mA?

Почему падает?
Почему 5.5 мА?

"Почему падает?" Ну все эти битвы с кулирами и радиаторами что бы увеличить охлаждение а значит увеличить усиление а значит увеличить ток.
Ааа 5,5mА это максимальное усиление Бетта 275.

Вот это самое "а значит" - оно откуда? Сами придумали? Если нет - давайте ссылку на то, что тепло отводят именно для увеличения усиления. "К чёрррту перррья, я должен это видеть!"
Когда по какой-то причине бета не максимальное, то ток будет всяко меньше. Как же цепь стабилизации сможет его сделать таким?

Pкmax - Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода
Pкmax т - Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом
Ставим радиатор и получаем большую мощность

При чём тут усиление?

А мощность это что не усиление. Десяти ватный без радиатора или тот же самый усилитель но сто ватный с радиатором у кого из них усиление больше?

У кого угодно может оказаться больше усиление.