Мяв! всем.
Подскажите пожалуйста добрые и злые коты бедному блохастику , наверно скорей всего научите, понимать такой вот не легкий для меня вопрос: - сколько вольт нужно биполярному транзистору чтобы он работал в ключевом режиме и не грелся.

Сначала учимся формулировать вопрос.
1. Что значит "сколько вольт"? Вас интересует какое напряжение: максимально возможное, минимально возможное, ещё какое-то?
2. Что значит "нужно биполярному транзистору"? О каком напряжении речь? Одно напряжение подаётся в базу, другое питает коллекторную цепь (через нагрузку, так что на коллекторе будет уже другое напряжение).
3. Что значит "чтобы он работал в ключевом режиме"? Если он будет включаться раз в минуту - это один случай, если постоянно туда-сюда, ещё и с ШИМом - это совершенно другой с точки зрения нагрева. Надо уточнять этот момент.
4. Что значит "и не грелся"? Греться будет любой транзистор, по которому идёт ток, так что определяют допустимую температуру нагрева. Надо сформулировать требования по перегреву корпуса относительно окружающего воздуха. Нагрузка-то известно, какая?

да вобшемто условия насыщения биполяла давно изучены и опысаны в литературах
и еще биполки рулятся ТОКОМ а не НАПРУГОЙ!!!!

PCBWay - всего $5 за 10 печатных плат, первый заказ для новых клиентов БЕСПЛАТЕН

Сборка печатных плат от $30 + БЕСПЛАТНАЯ доставка по всему миру + трафарет

Онлайн просмотровщик Gerber-файлов от PCBWay + Услуги 3D печати

Однако, при настройке схем, все напругу на базах измеряют, а не ток. Я в жизни ток базы ниразу не измерял, НАХ нужно?

Организация питания на основе надежных литиевых аккумуляторов EVE и микросхем азиатского производства

Качественное и безопасное устройство, работающее от аккумулятора, должно учитывать его физические и химические свойства, профили заряда и разряда, их изменение во времени и под влиянием различных условий, таких как температура и ток нагрузки. Мы расскажем о литий-ионных аккумуляторных батареях EVE и нескольких решениях от различных китайских компаний, рекомендуемых для разработок приложений с использованием этих АКБ. Представленные в статье китайские аналоги помогут заменить продукцию западных брендов с оптимизацией цены без потери качества.

Подробнее>>

ну вот, есть Коты которые меня хоть как то понимают даже если я и не правильно изъясняюсь. Я бы и сказал что правильно но не претендую даже на трешника в этой теме , а очень хочется включить нагрузку через транзистор не важно какую. Что мне идти на тел мастера учится что ли, так один чёрт хрен редьки не слаще, для меня это всё равно темный лес.
Простоя я слышал, когда коснулся этого вопроса, что транзистор может работать в усилительном режиме и в ключевом. Как я понимаю , транзистор то в любом случае включает ток нагрузки через себя, так зачем такое разделение понятий. Ну да хрен с ним, мне не усилитель нужно ваять , а просто что то вроде выключателя выполненном на транзисторе и всего то.
А вот как этим управлять... не до понимаю я до конца, и буквари мне ни о чем - одна перепечатка бессмысленная .

Добавлено after 12 minutes 37 seconds:

много вы вопросов задали, прям как заядлый декан , а вот моего то одного вопросика даже понять не смогли. А ведь знающий кот учёный должен интуицией владеть, а то подай ему ТУ (тех условия ) и т.п. Любой ... так сможет как вы хотите.
По вашему что? транзистор Будет работать в ключевом режиме даже ЕСЛИ на него не подать управление??? Так еще раз прочитайте вопрос и подумайте.
А забыл, мне тут намедни сказали, есть ещё такое понятие : сухой контакт и открытый коллектор.

Новый аккумулятор EVE серии PLM для GSM-трекеров, работающих в жёстких условиях (до -40°С)

Компания EVE выпустила новый аккумулятор серии PLM, сочетающий в себе высокую безопасность, длительный срок службы, широкий температурный диапазон и высокую токоотдачу даже при отрицательной температуре. Эти аккумуляторы поддерживают заряд при температуре от -40/-20°С (сниженным значением тока), безопасны (не воспламеняются и не взрываются) при механическом повреждении (протыкание и сдавливание), устойчивы к вибрации. Они могут применяться как для автотранспорта (трекеры, маячки, сигнализация), так и для промышленных устройств мониторинга, IoT-устройств.

Подробнее>>

Усилительный режим-это когда транзистор чуть -чуть приоткрыт (крокодил НИЗЫНЬКО летает). Остальные режимы- это ключевые. Ну это на пальцах,так сказать.

мне понравилось как вы сказали, я и сам как бы кругом этой мысли кружусь но толком не понимаю как это есть, но чувствую гмм, что это где то в ... рядом в общем.
Да мне говорили, что на переходе запрещенной зоны нужно подать некое предельное напряжение не меньше eV , чтобы открыть или пробить эту зону и тогда потечет ток. А дальше что? нужно повышать напряжение чтобы ключевой режим наступил или и так попрет, переход то уже открылся.

Я не смог??? Спасибо, повеселили. Но - как хотите, можете не отвечать, вас за это отсюда не погонят. Но если хотите получить реальную помощь, то советую всё же слушать то, что вам говорят.
По-моему, режим транзистора (насыщение в данном случае) определяется не только управлением, но и нагрузкой. А уж нагрев его от нагрузки зависит сильно. И не только от нагрузки, от управления он тоже зависит.

1. Ключевой режим наступит тогда и только тогда, когда напряжение между эмиттером и коллектором В ОТКРЫТОМ состоянии составит примерно 0,2...0,5 Вольт (бывает и больше при очень больших токах). Это напряжение насыщения транзистора.
2. Чтобы выполнить пункт 1, нужно обеспечить падение напряжения в нагрузке (которая включена между коллектором и питанием) равное разности напряжения питания схемы и напряжения насыщения. Пусть питание схемы 12 Вольт, тогда на нагрузке должно быть 11,2...11,5 Вольт.
3. По закону Ома пункт 2 будет выполнен, если через нагрузку (через коллектор) будет течь ток равный отношению напряжения на нагрузке к сопротивлению нагрузки. Пусть нагрузка равна 100 Ом, тогда для нашего случая ток составит 11,2...11,5 Вольт/100 Ом = 0,112...0,115 Ампер (112...115 миллиАмпер).
4. Ток коллектора биполярного транзистора В ЛИНЕЙНОМ режиме ПРИМЕРНО равен произведению тока базы и коэффициента усиления по току этого транзистора (обычно от 20 до 200). Пусть у нас будет 50. Когда транзистор только "коснулся" точки насыщения, можно считать, что он еще в линейном режиме. Тогда ток базы у нас составит примерно 112...115 мА/50=2,24...2,3 мА
5. Источник сигнала в базовой цепи должен обеспечить ток базы по пункту 4. Для этого в базовой цепи включают последовательный резистор. Его величина зависит от напряжения источника сигнала. Пускай у нас будет 5 Вольт. Тогда сопротивление резистора составит (5-0,7) Вольт/2,24...2,3 мА=2000 Ом (2 килоОма). Здесь 0,7 Вольта - это падение напряжения на переходе база-эмиттер (этот переход по сути есть обычный диод) и оно будет вычитаться из напряжения управления, ибо включено последовательно с ним.
6. Все, что ранее написано обеспечит насыщение транзистора в самой начальной его точке (коэффициент насыщения равен 1).
Но при разбросе параметров транзистора и температурных зависимостях можно легко выпасть из насыщения, поэтому обычно коэффициент насыщения выбирают 2 и более, то есть ток базы в нашем случае стоит взять примерно в 3 раза больше - 7 мА. И резистор в базе окажется уже меньше: (5-0,7) Вольт/7 мА=620 Ом (привел к стандартному номиналу ряда сопротивлений).
Вот собственно и все.
ЗЫ. Внутреннее сопротивление источника сигнала получается включено последовательно с резистором базы и его нужно считать как часть этого резистора...
ЗЗЫ. Таки да, если уменьшить сопротивление нагрузки, то транзистор выскочит в активный режим, ибо тока базы может не хватить.
ЗЗЗЫ. Висящая база может привести к приоткрыванию транзистора и выходу его в активный режим. Поэтому базу обычно притягивают к эмиттеру резистором вменяемого номинала (в нашем случае достаточно 10 кОм).

Эх... опять дали рыбу вместо удочки. Ну да ладно, из этого котёнка, похоже, кот всё равно не получится.

извините пожалуйста , Вы не не смогли, а просто не захотели. Жалько.

Не так. Я захотел немного "причесать" ваши запутанные мысли. Ответив на мои вопросы, вы бы это сделали. Пока мысли спутаны, что-то понять трудно, поэтому сначала их надо привести в порядок. Именно это я и хотел проделать. И всяко не моя вина, что вы не захотели причёсываться.

- ви на что это намекаете? - все остальное я вам прямо скажу, находится под водой ниже ватерлинии . Вы что не видите разве, что вся вода поднялась по Архимедову закону.
У кота на морде не написяно что он кот.

Я не то чтобы намекаю, я почти открытым текстом сказал, что, похоже, чему-то научиться вы не желаете. Видите ли, для того, чтобы научиться, мало задать вопрос. Надо ещё и хотеть получить ответ.

Не совсем так. Я дал удочку и пруд, в котором очень много рыбы...

А что если ток не то чтобы совсем маленький, а то смысл тогда в плане нагрева транзистора теряется вообще, ну так скажем половина от пропускной способности этого транзистора. Тем не менее он ток КЭ гарантировано должен проходить тобишь транзистор должен быть в ключе, то есть открытый коллектор на все 100, и не важно что там весит на нем- что вы тогда скажите на счет падения напряжения КЭ.

2. По второму вопросу: а что если напряжение намного меньше чем вы указали (я учусь).

3. ну это букварь вы мне цитирует.

4. математика относительно какого то типа транзистора. У кого-то такой ток базы у других другой, а ещё и коллектора ток если бы учесть не мА а в Амперах что тогда?

5. Ой начинаю понимать. Наконец то напряжение появилось аж 5 вольт. Ну опять же рулим током относительно заявленных параметров пункта №4. и коэффициента усиления упс.

6…
И т.д.………

Все, о чем я написал, легко и линейно масштабируется.
Но давайте исходить из ВАШИХ потребностей.
Что конкретно вам нужно?
Дело в том, что все ранее изложенное справедливо лишь для статического режима ключа. То есть при условии достаточно длительных периодов включенного/выключенного состояния.
При импульсных режимах работы все может быть достаточно проблематично.

Ток базы - это ВХОДНОЙ параметр. Он не зависит от используемого транзистора. Как его считать - я написал. Падение на Б-Э как на обычном диоде. Просто вычитаем 0,7 В и это будет достаточно хорошим приближением.

Да, я что то где-то читал, что нагрев транзистора начинает иметь значение от частоты включения даже в ключевом насыщенном режиме тока базы (а не в токе КЭ) там хоть сколько лишь бы транзюк выдержал.
Опять же. сходные по параметрам транзисторы при одной и той же приемлемой частоте могут по разному нагреваться смотря у ккого какой фронт к насыщению , не будем говорить о падении тока и сдвиге фаз с увеличением частот

Добавлено after 3 minutes 50 seconds:

и что у всех транзисторов одинаковый ток насыщения или всем хватает 0,7В переход БЭ чтобы он стал ключём и вошел в насыщение.?

Нагрев транзистора определяется строго двумя параметрами:
1. рассеиваемой этим транзистором мощностью;
2. тепловым сопротивлением от транзистора к окружающей среде (непосредственно или через теплоотводы, включая уход тепла через дорожки печатной платы).
Первое из двух - мощность - формально легко считается как произведение тока коллектора на падение напряжения коллектор - эмиттер (для большей точности добавить произведение тока базы на падение напряжения база - эмиттер). Проблема лишь в том, что между двумя мало выделяющими тепло режимами - отсечки и насыщения - есть переходные процессы, в которых транзистор находится в активном режиме, а в нём и падение большое, и ток коллектора тоже - соответственно, мощность рассеяния огромная. Понятно, что для уменьшения нагрева из-за переходных процессов желательно их сократить по длительности.

вы имеете ввиду частоту сократить тобишь количество переходных режимов в единицу времени или саму конструкцию или как там технология чтоли полупроводников и выводов от них Ну типа диод Шоттки от простого диода