Переход Б-Э, как я уже вам сказал - это обычный диод. У кремниевого диода есть "пятка" (закрытое состояние при прямом напряжении) примерно 0,5 Вольта и далее ток начинает быстро расти. Вольтамперная характеристика диода совершенно стандартна. Можете ее сами найти в интернете.
Поскольку входным управляющим параметром биполярного транзистора является ток, нужно, чтобы источник сигнала был генератором тока, а не напряжения. Поэтому напряжение источника сигнала превращают в ток с помощью обычного балластного резистора в базе (последовательного, естественно). Чем больше резистор, тем меньше ток базы зависит от немного изменяющегося падения напряжения Б-Э с изменением тока базы и температуры кристалла.
Таким образом, напряжение управления должно быть заметно больше падения на Б-Э.

Добавлено after 2 minutes 59 seconds:

Не нужно лезть в динамический режим прежде, чем вы освоете статический. Могу лишь сказать, что чем больше коэффициент насыщения, тем дольше рассасывается заряд базы и тем медленнее закрывается биполярный транзистор. Поэтому между запасом по насыщению и скоростью есть противоречие.

А это как получится. Или, чтобы транзистор поскорее переключался, вгонять в его базу ток больше, или снижать частоту переключений, чтобы в единицу времени их было меньше, или применять более подходящий транзистор, который сам по себе быстрее переключается.

Нет, это не так. Быстрее всего переключается транзистор в активном режиме. Поэтому УМЕНЬШЕНИЕ тока базы с выходом в активный режим приведет к ускорению переключения. На том стоит ЭСЛ. Эмиттерно-связанная логика.

PCBWay - всего $5 за 10 печатных плат, первый заказ для новых клиентов БЕСПЛАТЕН

Сборка печатных плат от $30 + БЕСПЛАТНАЯ доставка по всему миру + трафарет

Онлайн просмотровщик Gerber-файлов от PCBWay + Услуги 3D печати

Понятно. С ЭСЛ я дел не имел.

PS. Ещё, наверно, можно вспомнить ТТЛШ. Там ускорение переключения достигается, насколько я ничего не помню, исключением режима насыщения.

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Обязательным условием долгой и стабильной работы Li-FePO4-аккумуляторов, в том числе и производства EVE Energy, является применение специализированных BMS-микросхем. Литий-железофосфатные АКБ отличаются такими характеристиками, как высокая многократность циклов заряда-разряда, безопасность, возможность быстрой зарядки, устойчивость к буферному режиму работы и приемлемая стоимость. Но для этих АКБ очень важен контроль процесса заряда и разряда для избегания воздействия внешнего зарядного напряжения после достижения 100% заряда. Инженеры КОМПЭЛ подготовили список таких решений от разных производителей.

Подробнее>>

ТТЛШ основан на том, что ПАРАЛЛЕЛЬНО Б-К кремниевого транзистора включен диод Шоттки. Это уменьшает коэффициент насыщения транзистора и увеличивает скорость переключения. По сути это есть способ уменьшения тока базы.

Новый аккумулятор EVE серии PLM для GSM-трекеров, работающих в жёстких условиях (до -40°С)

Компания EVE выпустила новый аккумулятор серии PLM, сочетающий в себе высокую безопасность, длительный срок службы, широкий температурный диапазон и высокую токоотдачу даже при отрицательной температуре. Эти аккумуляторы поддерживают заряд при температуре от -40/-20°С (сниженным значением тока), безопасны (не воспламеняются и не взрываются) при механическом повреждении (протыкание и сдавливание), устойчивы к вибрации. Они могут применяться как для автотранспорта (трекеры, маячки, сигнализация), так и для промышленных устройств мониторинга, IoT-устройств.

Подробнее>>

У кремниевых - да, примерно одинаково. Как уже сказали, это диодный переход, а напряжение это получается из величины т.н. запрещенной зоны полупровдника. Небольшое расхождение за счет примесей имеется.

Пардон, чего не понимал начинаю понимать понемногу . А я то и думаю что это за транзисторы с двух эмиттерным переходом. Согласен, увеличением тока потери на мощность в динамическом режиме не снизить на повышенных частотах(только усугубит) . Если я правильно понимаю , увеличение тока приводит к тому, что опять же успевает набиться электронов столько , что им потом нужно рассосаться а времени нет.

А можно спросить раз пошла такая пьянка, просто не доводилось иметь с ними дала, для чего нужны эти транзисторы с дополнительным Д. Шоттки

Добавлено after 12 minutes 49 seconds:

получается что если не брать парные примеси в полупроводнике, и рассматривать полупроводник при какой-то определенной температуре когда концентрации собственных электронов при некой температуре тоже =0 то, чтобы он стал проводником и потек ток, нужно приложить как раз это напряжение ПОСТОРОННЕГО ИСТОЧНИКА ТОКА пробивающее ширину запрещённой зоны которые и составляет порядка те 0,7В электрон-вольта (эВ).

В общем я высыпал свой винегрет из своего умишка детского

Странно, я вроде бы чуть выше объяснил и вы даже это объяснение процитировали... Вы вопросы с какой целью задаете?
Эти транзисторы применяют в составе ТТЛШ.
ЗЫ. Только что заметил опечатку во вчерашнем сообщении. Диод включен параллельно Б-К, естественно.

Лучше всего почитать корифеев. И.П. Степаненко. Основы микроэлектроники. М. 2001. стр. 304.



Кстати, рекомендую найти и почитать эту книгу, думаю, в ней вы найдете ответы на многие вопросы.

ааа всё понял - эта схемка и есть ТТЛШ

Не совсем. ТТЛШ - это ТТЛ с использованием таких транзисторов и диодов Шоттки вместо многоэмиттерного транзистора на входе.
Кстати, транзистор с диодом Шоттки делается просто: окно в окисле кремния для металлизации контакта к базе делается шире, чем нужно, так, чтобы металлизация захватила часть зоны коллектора.

а вообще, если вдумчиво прочитать что в этом описании ТТЛШ написано то стонет жутко плохо на душе и в уме тоже .

Вот послушайте мене - если из тысяч книг вы найдете ту, в которой получите ответ на свой извечный вопрос - считайте вам повезло.
скажу , что данному букварю откуда выдран этот тезис по ТТЛШ имеет место в сортире

Если вопросы задавать рандомно, то найти нужную книгу будет проблематично.
Поэтому есть способ решить проблему поиска - системное образование. От общего к специальному.

не увидел ни какой случайности в теме транзисторов, всё вроде по теме
https://qps.ru/127fH

Во первых, довожу до вашего сведения, что правила этого форума ЗАПРЕЩАЮТ избыточное цитирование. То есть запрещают полное или необоснованно большое цитирование предыдущего сообщения. Карается баном. До вас еще не добрался Starichok51... Удаляйте лишнее немедля.
Во вторых, ваш интерес к биполярному транзистору носит очевидно спонтанный характер. Вам нужно выдрать какой то фрагмент из системных знаний. Так не выйдет. Или получится карикатурно.

ну да , я вас понял
момент, а как тогда, если не цитировать, понять кому ответ принадлежит или по постам шарить и догадываться.
И ещё - мой интерес к тому что мне интересно даже если это спонтанно .

а как вы думали, если мне нужно поменять деталь на машине я должен изучить всю конструкцию машины?
А что касаемо моей темы то мне и нужно то было ... а хотя, что там все равно то ответ не прозвучал . В одном только месте чтото около (напряжение на БЭ но ток не мерил ни разу) вот как - ну прям сразу задаешься вопросом : ток зависит от напряжение или напряжение от тока?

Как говаривал в аналогичной ситуации господь бог, "Ты хотя бы лотерейный билет купи". Правильно задавать вопрос так: "Я хочу управлять такой-то нагрузкой (параметры приводятся), выбрал такой-то транзистор (по таким-то критериям), такие-то резисторы (формулы и числа тоже приводятся). Всё правильно делаю? На такой вопрос можно и ответить, понятно, что вопрошающему ответ нужен на самом деле.

Разумеется должен. Иначе понадобится руководитель, который скажет, какую именно деталь нужно поменять.

Милейший, у вас проблемы с пониманием написанного на русском языке?
Еще раз. Не цитируется ПРЕДЫДУЩЕЕ СООБЩЕНИЕ. Причем не цитируется ПОЛНОСТЬЮ. Маленькие фрагменты по существу комментария цитировать можно, ЕСЛИ В ЭТОМ ЕСТЬ НЕОБХОДИМОСТЬ.
Впрочем, другие сообщения тоже нужно обрезать при цитировании так, чтобы в нем остался смысл для комментария.
Вам тупо лень править полную цитату и вы прикидываетесь дурачком. Ну продолжайте. Полагаю, что недолго...

Я как раз об этом. Спонтанный (случайный, рандомный) интерес невозможно удовлетворить фундаментально. Только в стиле комиксов, бездоказательных утверждений, абстракций самого примитивного уровня.

Деталь на машине поменять и понять как работает эта деталь - это разные вещи. Кроме того, даже замена детали на машине может оказаться никчемной тратой времени и денег. Выход из строя конкретной детали не означает, что деталь была с браком или износилась. Это может быть (и чаще всего так и есть) последствие достаточно длинной цепочки причин. И таки ДА, нужно знать как работает автомобиль В ЦЕЛОМ, чтобы его ремонтировать.

Вы что нибудь слышали о законах Ома и Кирхгофа? Если нет, то ознакомьтесь с ними. Иначе объяснять вам связь между током и напряжением нет никакого смысла. Собственно я вам эту связь уже объяснял, НО ВЫ ТАК НИЧЕГО И НЕ ПОНЯЛИ.

Из самой постановки вопроса ответ абсолютно очевиден - 0 (НОЛЬ) вольт. Транзистор будет иметь температуру чуть выше окружающей среды (при условии разумного тока в базе).