олег вы решили мою просьбу---и не слушайте-и-не читайте-что-пишут малообразованные люди

ваще-то ПРОСЬБУ не решают а ВЫПОЛНЯЮТ....РЕШАЮТ -вопрос ( даже неологизм есть - РЕШАЛА)
зато вот ЭТО "не читайте-что-пишут малообразованные люди" звучит даже самокритично

люди утверждали .что питающий блок-с трансформатором=и=токо наполнение транзистора=не влияет на качество работы усилителя--оос решит все вопросы

PCBWay - всего $5 за 10 печатных плат, первый заказ для новых клиентов БЕСПЛАТЕН

Сборка печатных плат от $30 + БЕСПЛАТНАЯ доставка по всему миру + трафарет

Онлайн просмотровщик Gerber-файлов от PCBWay + Услуги 3D печати

Про наполнение стакана знаю, многие проблемы решает. но про наполнение транзистора жестьть:facepalm: это что-то из курятника, должно быть вылезло

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Обязательным условием долгой и стабильной работы Li-FePO4-аккумуляторов, в том числе и производства EVE Energy, является применение специализированных BMS-микросхем. Литий-железофосфатные АКБ отличаются такими характеристиками, как высокая многократность циклов заряда-разряда, безопасность, возможность быстрой зарядки, устойчивость к буферному режиму работы и приемлемая стоимость. Но для этих АКБ очень важен контроль процесса заряда и разряда для избегания воздействия внешнего зарядного напряжения после достижения 100% заряда. Инженеры КОМПЭЛ подготовили список таких решений от разных производителей.

Подробнее>>

ЭТО НОВА я ТеоРИЯ чем больше налито в стакан тем больше возможностей усилительное устройство должно иметь запас мощности если рассматривать подачу напряжения. то этим запасом должен обладать тот источник кот орый его и создает. блок питания- трансформатор=== так же и транзистор он должен быть введен в параметры не только указанными напряжениями. но и достаточным их количеством .необходимым для его работы= как усилителя

Новый аккумулятор EVE серии PLM для GSM-трекеров, работающих в жёстких условиях (до -40°С)

Компания EVE выпустила новый аккумулятор серии PLM, сочетающий в себе высокую безопасность, длительный срок службы, широкий температурный диапазон и высокую токоотдачу даже при отрицательной температуре. Эти аккумуляторы поддерживают заряд при температуре от -40/-20°С (сниженным значением тока), безопасны (не воспламеняются и не взрываются) при механическом повреждении (протыкание и сдавливание), устойчивы к вибрации. Они могут применяться как для автотранспорта (трекеры, маячки, сигнализация), так и для промышленных устройств мониторинга, IoT-устройств.

Подробнее>>

Тут я на досуге снял коллекторные характеристики с одного PNP транзистора... ну и вот если линейку приложить, то напряжение Эрли (VAF) получается всего 20 вольт. Неужели всё так печально? SPICE-модель же в пять раз больше даёт!

Было бы все просто, не придумывали бы схем линеаризации с применение ОУ.
А еще я заметил, что схема с двуполярным питанием(отдельный источник в коллекторе и эмиттере) дает лучшие показатели, чем однополярный, со стабилитроном в базовой цепи. Хотя, казалось бы, это одно и то-же. Может быть это связано с изменением сопротивления базового перехода с изменением напряжения коллектора?

то что ты прицепил на схему шильдик ООС, не значит что она там есть и работает правильно

Да, именно так. pnp транзисторы по определению получаются несколько хуже по параметрам, чем npn. Определяеся технологией производства и физикой работы. И с этим ничего не поделать.
Только "пгинять и пгостить"

Так что же это получается, в SPICE-моделях фигня какая-то? Или я чего измеряю неправильно? Сейчас будем сверять с микрокапом. Картинки под катом.

1. 2N2907A - настоящий, в металлическом корпусе. Из измерений VAF~20, в симуляторе 100. Паспортных значений не нашёл.

Спойлер

2. 2N4403 - из измерений VAF~12, в симуляторе 990 . В даташите есть график output admittance (выходная проводимость) - с измерениями примерно совпадает.

Спойлер

3. 2N5401 - относительно высоковольтный транзистор, ожидаем хорошее VAF, но даташит по этому поводу молчит. Из измерений VAF~40, в симуляторе 100.

Спойлер

4. BC557B - ХиХ дают "реалистичное значение" VAF около 30. Из измерений VAF~25, в симуляторе 100. В даташите есть ограничение сверху на выходную проводимость, откуда VAF должно быть >28.

Спойлер

5. КТ3107И - переходим к импортозамещению. Из графиков VAF~15. Паспортных данных нет, модели тоже.

Спойлер

6. КТ361Б - в процессе измерений я превысил допустимую мощность в 3 раза . Графики загибаются вверх, но по начальному участку VAF~15. В справочнике есть график выходных характеристик, затрудняюсь их сравнить.

Спойлер

Мораль: верить нельзя никому. А уж мне - особенно.

oleg63m, это Вы про стабилизатор какой-то писали? Я не совсем понял...

Добавлено after 2 hours 7 minutes 11 seconds:
7. КТ626Д - чем мощнее транзистор, тем сильнее ожог на пальце Зато VAF~60 - вау!

Спойлер

В симуляторе частенько некоторым "малозначимым" по мнению разработчиков параметрам придаются стандартные усредненные значения. Если же надо более точно, то там-же в симуляторе есть процедура создания моделей по результатам измерений и даташитным данным. Полученная таким образом модель на порядок ближе к реальному прибору.
Я уже не помню подробно, как это делать, по сути выводится последовательно ряд графиков-зависимостей, на которых юзер сам расставляет нужные точки. Программа производит постепенный апроксимирующий расчёт и выдает значения параметров модели. Единственное что, так как некоторые параметры оказывают влияние друг на друга и на результатирующие кривули на тех графиках, которые мы уже прошли, то надо после первого прохода снова вернуться к первому графику и пройтись-проверить-подправить по всему циклу. Иногда таких циклов надо два, иногда три.
Зато в итоге получаешь весьма точную модель.

oleg63m, это Вы на классный блог ссылку дали. Добавлю в закладки.
Hand-Maker, а в этот раздел симулятора я ещё не заглядывал. Посмотрим-ка... Ого! Это ж для одного транзистора надо аж 8 зависимостей снять. Нашёл хорошую книгу (Bob Cordell - Designing Audio Power Amplifiers), там есть целая глава про то, как это делается. Вникаю...

Добавлено after 6 hours 24 minutes 55 seconds:
Ещё несколько PNP транзисторов в этот тред, если уважаемая публика не возражает.

8. BD140. По измерениям VAF~70, а в симуляторе снова 100.

Спойлер

9. КТ814А. Весьма унылые графики. VAF~30.

Спойлер

10. КТ816Г. Этот чуток пободрее, но VAF едва дотягивает до 20.

Спойлер

11. КТ818Г. VAF~30.

Спойлер

12. КТ837А. VAF~15.

Спойлер

13. КТ851Б. VAF~200 - ух ты!!!

Спойлер

Я вас ещё не утомил со своими транзисторами? Тогда докину ещё один в копилку.

14. C9012 (2SC9012? KTC9012? SS9012?) VAF~35, в модели из LTSpice VAF=48. Ещё у этого транзистора в даташите есть графики выходных характеристик, которые, КМК, даже между собой не бьются. По этим графикам должно быть VAF>80.

Спойлер

В общем, множится моё непонимание. Читаю Боба Корделла, конкретно параграф про напряжение Эрли. Вот он там пишет, что измерять VAF надо по наклону выходной характеристики. Ну это и я так делаю (линейку прикладываю). А какие тут ещё могут быть способы?
Дальше он пишет, что обычно VAF>Vceo, или даже VAF>2*Vceo. Вот это как-то не подтверждается моими измерениями. Наверное, это только для NPN справедливо? Просто до них я ещё не добрался.
Самое интересное: на сайте у него есть файл с собственными моделями, которые он использовал в книге. Сравниваю я, значит, VAF для тех транзисторов, которые уже измерял сам:

2N4403 - 12 vs 50
2N5401 - 40 vs 196
BD140С - 70 vs 140
BC560С - 25 vs 162

И вижу, что у меня получаются в разы меньшие значения VAF. Насчёт BC560: такого транзистора у меня не было, но BC557 - из той же серии и должен быть похож. Но про BC560 написали здесь:Нутром чую, где-то тут злостное очковтирательство. У меня поддельные транзисторы (не исключено)? Или я чего неправильно измеряю?

Естественно, неправильно. Нужно фиксировать не ток базы, а напряжение база-эмиттер. А вообще, напряжение Эрли проще найти, измерив дифференциальное сопротивление коллектор-эмиттер при каком-нибудь вменяемом токе коллектора и фиксированном напряжении база-эмиттер: Uy=Ic*rce. (Титце-Шенк)

Сумма двух частот 4кГц и 11кГц даст 1кГц.
4кГц - 250мкс
11кГц - 90мкс
1кГц - 1мс
Период увеличился в четыре раза по сравнению с 250мкс, в чём сокральный смысл?

Сумма двух частот даст сумму этих двух частот. Поэтому никаких других частот не будет как и сАкрального их смысла...

новые утверждения что оос практически может все . так. что отрицание конструктивных особенностей например усилителя

Я бы вообще запретил применять понятие частоты и периода к несинусоидальным сигналам. А то вообще столько путаницы! Синусоиду характеризуем частотой/периодом, несинусоиду - стационарный/нестационарный сигнал, ну и спектром его описывать.

Сдаётся мне, что это самый лучший способ обеспечить транзистору тепловой пробой. Коэффициент −2mV/K ведь никто не отменял. Тут и так графики вверх закручиваются из-за роста β от температуры. А с фиксированным Vbe получится вот такая загогулина:

Спойлер

И как тут напряжение Эрли определять?
Тем временем один источник систематической погрешности я нашёл. Блок питания давно не калибровался и занижал показания на 1.5 мА. Этим можно объяснить ошибку для маломощных транзисторов в 20%-30% - о таких расхождениях вообще не стоило бы речь вести. Но не в разы же, как для некоторых типов, измеренных выше.
Разобрался как перекалибровать блок и перемерил транзистор C9012. В результате VAF совпал с моделью из LTSpice.

Спойлер

Ярослав555, тогда синусоиду придётся отнести к несинусоидальным периодическим сигналам, так как она тоже раскладывается в линейчатый спектр.

Express, закусывайте. vovw, выдыхайте.