Обязательным условием долгой и стабильной работы Li-FePO4-аккумуляторов, в том числе и производства EVE Energy, является применение специализированных BMS-микросхем. Литий-железофосфатные АКБ отличаются такими характеристиками, как высокая многократность циклов заряда-разряда, безопасность, возможность быстрой зарядки, устойчивость к буферному режиму работы и приемлемая стоимость. Но для этих АКБ очень важен контроль процесса заряда и разряда для избегания воздействия внешнего зарядного напряжения после достижения 100% заряда. Инженеры КОМПЭЛ подготовили список таких решений от разных производителей.
Компания EVE выпустила новый аккумулятор серии PLM, сочетающий в себе высокую безопасность, длительный срок службы, широкий температурный диапазон и высокую токоотдачу даже при отрицательной температуре.
Эти аккумуляторы поддерживают заряд при температуре от -40/-20°С (сниженным значением тока), безопасны (не воспламеняются и не взрываются) при механическом повреждении (протыкание и сдавливание), устойчивы к вибрации. Они могут применяться как для автотранспорта (трекеры, маячки, сигнализация), так и для промышленных устройств мониторинга, IoT-устройств.
BSIT, MOSFET и JFET - не одно и то же. Для первого из них ток затвора - норма жизни, для второго невозможен в принципе, поскольку O, для третьего возможен, но в экзотическом режиме.
_________________ Нет ничего практичнее хорошей теории
Уважаемые форумчани есть один вопрос который без Вашей помощи не решу. Вопрос заключается в замене MOSFET на IGBT, может кто то производил такую замену. Замену нужно произвести в инверторе DC/AC 12В/220В с модифицированным синусом на выходе мощностью 4кВт (китайских). IGBT подобрать с близкими или даже большими параметрами по рабочему напряжению и току.
Вопрос чем вызвана такая замена. MOSFET в два раза а то и в три раза дороже чем IGBT. Во вторых в наличии есть IGBT, а MOSFET нужно еще заказывать в интернет магазине. В конкретном данном случаи стоят MOSFET -- FQA24N50C , а в наличии есть IGBT -- GT50JR22. GT50JR22 по напряжению и току подходит для замены, емкость затвора меньше чем в FQA24N50C. Не знаю только по сопротивлению переходов в ключевом режиме, в англицком полный ноль , а в графиках крепче дуба.
Посоветуйте пожалуйста сдвоенный драйвер нижнего плеча для IGBT FGA25N120ANTD самый простой.Сигнал на входе прямоугольный 1-10кгц 5-20В. Или где посмотреть методику выбора,подключения и расчёта обвеса. Не разберусь пока с вопросами какой ток на генератор сигнала с драйвера пойдёт, какое напряжение на выходе драйвера. С английским туго в датащитах рыться.
_________________ ВНИМАНИЕ! Я часто редактирую свои сообщения, поэтому перед ответом мне советую обновить страницу. За перенос модераторами в МЯВУ тем с моими сообщениями я ответственности не несу.
Сейчас нашёл в своей куче транзисторов полевик 2П201Б. Такого тяп-ляповски сделанного транзистора я ещё не видел. Два вывода-провода крепят съёмный (!) металлический колпачок, колпачок прижимается к оргстекловому основанию, из которого на трёх волосках-проводках в воздухе, внутри колпачка, висит зелёный чип
Для встраивания в гибридные микросхемы. Корпус временный, можно проверить параметры, можно и в макетку запаять.
_________________ ВНИМАНИЕ! Я часто редактирую свои сообщения, поэтому перед ответом мне советую обновить страницу. За перенос модераторами в МЯВУ тем с моими сообщениями я ответственности не несу.
Прошу помочь разобраться со схемой управления IGBT.
1. Можно ли использовать один и тот же изолированный источник BAT1 для нескольких параллельных ключей? Есть ли преимущество у схем управления с драйвером в обвязке, в случае редкой коммутации в режиме ключа? ШИМ не предполагается. 2. Общий вопрос по выбору транзистора на работу при постоянном токе. Просто ключ - очень редкое переключение Вкл/выкл без ШИМ. Я думал, всё что нужно это: - Не превышать напряжение указанное даташитом на транзистор - Не превышать температуру кристалла, исходя из расчета выделяемой мощности и переходного сопротивления кристалл->фланец->радиатор Но в даташите на FGH40N60 (https://static.chipdip.ru/lib/176/DOC001176742.pdf) наткнулся на график SOA и не совсем его понимаю... DC - вроде бы как раз тот режим, что мне нужен и получается, к примеру, захоти я коммутировать 300VDC - смогу "прокачать" только 1А? звучит как-то неправдоподобно... Прошу помочь разобраться. 3. Тупой вопрос: Собственно, я правильно понимаю, что для IGBT нет разницы коммутировать 10VDC 40А или 1000VDC 40А (при условии, что транзистор на 1200, к примеру), поскольку напряжение насыщения одно и то же и мощность, оседающая на транзисторе соответственно тоже?
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения