Инженеры КОМПЭЛ провели сравнительное тестирование аккумуляторов EVE и Samsung популярного для бытовых и индустриальных применений типоразмера 18650.
Для теста были выбраны аккумуляторы литий-никельмарганцевой системы: по два образца одного наименования каждого производителя – и протестированы на двух значениях тока разряда: 0,5 А и 2,5 А. Испытания проводились в нормальных условиях на электронной нагрузке EBD-USB от ZKEtech, а зарядка осуществлялась от лабораторного источника питания в режиме CC+CV в соответствии с рекомендациями в даташите на определенную модель.
Компания EVE выпустила новый аккумулятор серии PLM, сочетающий в себе высокую безопасность, длительный срок службы, широкий температурный диапазон и высокую токоотдачу даже при отрицательной температуре.
Эти аккумуляторы поддерживают заряд при температуре от -40/-20°С (сниженным значением тока), безопасны (не воспламеняются и не взрываются) при механическом повреждении (протыкание и сдавливание), устойчивы к вибрации. Они могут применяться как для автотранспорта (трекеры, маячки, сигнализация), так и для промышленных устройств мониторинга, IoT-устройств.
BSIT, MOSFET и JFET - не одно и то же. Для первого из них ток затвора - норма жизни, для второго невозможен в принципе, поскольку O, для третьего возможен, но в экзотическом режиме.
_________________ Нет ничего практичнее хорошей теории
Уважаемые форумчани есть один вопрос который без Вашей помощи не решу. Вопрос заключается в замене MOSFET на IGBT, может кто то производил такую замену. Замену нужно произвести в инверторе DC/AC 12В/220В с модифицированным синусом на выходе мощностью 4кВт (китайских). IGBT подобрать с близкими или даже большими параметрами по рабочему напряжению и току.
Вопрос чем вызвана такая замена. MOSFET в два раза а то и в три раза дороже чем IGBT. Во вторых в наличии есть IGBT, а MOSFET нужно еще заказывать в интернет магазине. В конкретном данном случаи стоят MOSFET -- FQA24N50C , а в наличии есть IGBT -- GT50JR22. GT50JR22 по напряжению и току подходит для замены, емкость затвора меньше чем в FQA24N50C. Не знаю только по сопротивлению переходов в ключевом режиме, в англицком полный ноль , а в графиках крепче дуба.
Посоветуйте пожалуйста сдвоенный драйвер нижнего плеча для IGBT FGA25N120ANTD самый простой.Сигнал на входе прямоугольный 1-10кгц 5-20В. Или где посмотреть методику выбора,подключения и расчёта обвеса. Не разберусь пока с вопросами какой ток на генератор сигнала с драйвера пойдёт, какое напряжение на выходе драйвера. С английским туго в датащитах рыться.
_________________ ВНИМАНИЕ! Я часто редактирую свои сообщения, поэтому перед ответом мне советую обновить страницу. За перенос модераторами в МЯВУ тем с моими сообщениями я ответственности не несу.
Сейчас нашёл в своей куче транзисторов полевик 2П201Б. Такого тяп-ляповски сделанного транзистора я ещё не видел. Два вывода-провода крепят съёмный (!) металлический колпачок, колпачок прижимается к оргстекловому основанию, из которого на трёх волосках-проводках в воздухе, внутри колпачка, висит зелёный чип
Для встраивания в гибридные микросхемы. Корпус временный, можно проверить параметры, можно и в макетку запаять.
_________________ ВНИМАНИЕ! Я часто редактирую свои сообщения, поэтому перед ответом мне советую обновить страницу. За перенос модераторами в МЯВУ тем с моими сообщениями я ответственности не несу.
Прошу помочь разобраться со схемой управления IGBT.
1. Можно ли использовать один и тот же изолированный источник BAT1 для нескольких параллельных ключей? Есть ли преимущество у схем управления с драйвером в обвязке, в случае редкой коммутации в режиме ключа? ШИМ не предполагается. 2. Общий вопрос по выбору транзистора на работу при постоянном токе. Просто ключ - очень редкое переключение Вкл/выкл без ШИМ. Я думал, всё что нужно это: - Не превышать напряжение указанное даташитом на транзистор - Не превышать температуру кристалла, исходя из расчета выделяемой мощности и переходного сопротивления кристалл->фланец->радиатор Но в даташите на FGH40N60 (https://static.chipdip.ru/lib/176/DOC001176742.pdf) наткнулся на график SOA и не совсем его понимаю... DC - вроде бы как раз тот режим, что мне нужен и получается, к примеру, захоти я коммутировать 300VDC - смогу "прокачать" только 1А? звучит как-то неправдоподобно... Прошу помочь разобраться. 3. Тупой вопрос: Собственно, я правильно понимаю, что для IGBT нет разницы коммутировать 10VDC 40А или 1000VDC 40А (при условии, что транзистор на 1200, к примеру), поскольку напряжение насыщения одно и то же и мощность, оседающая на транзисторе соответственно тоже?
Сейчас этот форум просматривают: нет зарегистрированных пользователей и гости: 45
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения