Например TDA7294

Форум РадиоКот • Просмотр темы - Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд
Форум РадиоКот
Здесь можно немножко помяукать :)



Текущее время: Пт июн 21, 2019 00:09:34

Часовой пояс: UTC + 3 часа [ Летнее время ]


ПРЯМО СЕЙЧАС:



Начать новую тему Ответить на тему  [ Сообщений: 699 ]     ... , , , 31, , , ,  
Автор Сообщение
Не в сети
 Заголовок сообщения: Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд
СообщениеДобавлено: Пт май 18, 2018 18:10:29 
Первый раз сказал Мяу!
Аватар пользователя

Карма: 2
Рейтинг сообщений: 2
Зарегистрирован: Пт май 18, 2018 17:01:24
Сообщений: 20
Откуда: Канада
Рейтинг сообщения: 1
Можно ли с этим что-то сделать?

У мощных полевиков большой заряд затвора (многие об этом почему-то забывают).
Такие полевики надо открывать/закрывать драйвером с большим током (порядка 2-3А).
Выключается "реле" гораздо хуже потому как заряд затвор-стока почти в 4 раза выше чем заряд затвор-истока.
У полевиков на выключение нужен больший ток затвора.
Для этого ещё надо хороший танталовый кондёр в цепи питания (для такой схемы 22-47мкф).
И ещё включите транзисторы VT1/VT2 по схеме с общим эмиттером, а не с общим коллектором.

_________________
Настоящий кот чувствует, как электроны шуршат в проводах.


Вернуться наверх
 
Не в сети
 Заголовок сообщения: Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд
СообщениеДобавлено: Вс июн 03, 2018 11:48:35 
Первый раз сказал Мяу!
Аватар пользователя

Зарегистрирован: Чт май 24, 2018 10:38:55
Сообщений: 27
Откуда: Украина
Рейтинг сообщения: 0
пытаюсь разобраться с charge-pump для cnc
может кто объяснить почему схема заведется именно при 12,5кГц? не понимаю логику работы :(
Изображение


Вложения:
схе33ма.jpg [19.01 KiB]
Скачиваний: 525

_________________
-- Приключения маленькой пони в большом мире электроники --
Вернуться наверх
 
JLCPCB, всего $2 за 10 ПП любого цвета!

Более 600 000 заказчиков по всему миру! Более 10 000 заказов в день!

Скидка до $20 на доставку для первого заказа:https://jlcpcb.com/quote

Не в сети
 Заголовок сообщения: Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд
СообщениеДобавлено: Вс июн 03, 2018 12:27:30 
Друг Кота
Аватар пользователя

Карма: 72
Рейтинг сообщений: 1919
Зарегистрирован: Пт мар 30, 2012 06:17:29
Сообщений: 6844
Откуда: Екатеринбург
Рейтинг сообщения: 0
1. Затвор изображён неправильно. Он должен быть напротив истока. Позор аффтору.
2. Частота вполне может быть совсем другой, хоть килогерц, хоть мегагерц. Если частота низкая, то ёмкость входного конденсатора, возможно, придётся увеличить, а также добавить конденсатор к затвору и истоку.
3. Называть это зарядовым насосом? Как-то, хмм, странно. Обычный детектор с удвоением напряжения. Для понимания этого факта представьте себе ёмкость затвор - исток, она реально есть, и немаленькая.

_________________
В гадюшнике "МЯЯЯУ" уважающему себя коту делать нечего.


Вернуться наверх
 
PCBWay - всего $5 за 10 печатных плат, первый заказ для новых клиентов БЕСПЛАТЕН

Сборка печатных плат от $88 + БЕСПЛАТНАЯ доставка по всему миру + трафарет

Онлайн просмотровщик Gerber-файлов от PCBWay
Не в сети
 Заголовок сообщения: Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд
СообщениеДобавлено: Вс июн 03, 2018 19:23:27 
Первый раз сказал Мяу!
Аватар пользователя

Зарегистрирован: Чт май 24, 2018 10:38:55
Сообщений: 27
Откуда: Украина
Рейтинг сообщения: 0
благодарю за ответ.
смоделировал схемку в протеусе, вроде работает. при частоте меньше 10кГц уже начинает глючить. при остановке генерации выключается, что собственно и требовалось. буду на реальном железе пробовать

Изображение
единственное - великовато потребление для мк, протеус насчитал 0,62мА. надо ставить какой-нить буфер. в принципе на другом ресурсе это изначально советовали

_________________
-- Приключения маленькой пони в большом мире электроники --


Вернуться наверх
 
Литиевые батарейки Fanso для промышленного применения: устойчивость к высоким температурам

Надежные литиевые ХИТ производства Fanso для широкого круга применений, в том числе в промышленности, способны работать в самых жестких условиях. Основные требования, предъявляемые к автономным источникам питания – это длительность хранения и работы, высокая удельная емкость, а также защита от воздействия таких внешних факторов как, температура и влажность.
Подробнее>>
Не в сети
 Заголовок сообщения: Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд
СообщениеДобавлено: Пн июн 04, 2018 07:05:14 
Друг Кота
Аватар пользователя

Карма: 72
Рейтинг сообщений: 1919
Зарегистрирован: Пт мар 30, 2012 06:17:29
Сообщений: 6844
Откуда: Екатеринбург
Рейтинг сообщения: 0
смоделировал схемку в протеусе, вроде работает. при частоте меньше 10кГц уже начинает глючить.
Или на реальном железе, или в симуляторе, но таки попробуйте увеличить входную ёмкость и добавить затворную, а потом снизить частоту - чисто в познавательных целях. Хотя... почему только в познавательных? Чем ниже частота, тем меньше ток потребления, так что снижение частоты может быть и практически полезно.

_________________
В гадюшнике "МЯЯЯУ" уважающему себя коту делать нечего.


Вернуться наверх
 
Приглашаем на вебинар «Создание беспроводных устройств на системах-на-кристалле семейства SimpleLink компании TI»

Компания Компэл, совместно с Texas Instruments приглашают 26 июня принять участие в вебинаре, где инженер по применению беспроводных технологий компании TI расскажет, как на новых беспроводных системах можно реализовать несколько полезнейших в повседневной жизни функций для ваших устройств.
С развитием элементной базы TI становится возможной реализация более удобных, функциональных и безопасных систем, недоступных ранее.
Вебинар проводит инженер по применению беспроводных технологий в TI Мари Хернес(будет дублированный перевод).
Подробнее>>
Не в сети
 Заголовок сообщения: Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд
СообщениеДобавлено: Пн июн 04, 2018 08:00:50 
Друг Кота
Аватар пользователя

Карма: 33
Рейтинг сообщений: 736
Зарегистрирован: Пт ноя 11, 2016 06:48:09
Сообщений: 3205
Откуда: Сердце пармы
Рейтинг сообщения: 0
Медали: 1
Получил миской по аватаре (1)
а можно R2 ещё увеличить - потребление то всё через него идёт... (чем он больше - тем меньше потребление и мин. частота)

_________________
Просто не учи физику в школе, и вся твоя жизнь будет наполнена чудесами и волшебством.
я сбюфемхел, хКЭЪ.


Вернуться наверх
 


Не в сети
 Заголовок сообщения: Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд
СообщениеДобавлено: Пн июн 04, 2018 15:36:42 
Первый раз сказал Мяу!
Аватар пользователя

Зарегистрирован: Чт май 24, 2018 10:38:55
Сообщений: 27
Откуда: Украина
Рейтинг сообщения: 0
когда игрался с моделью, заметил жесткую связь между С1 и R2. вначале установил неправильное значение R2 в 1К и завелась схема только с поднятием С1 до 100мкф

Цитата:
Или на реальном железе, или в симуляторе, но таки попробуйте увеличить входную ёмкость и добавить затворную, а потом снизить частоту - чисто в познавательных целях

получается надо увеличить С1 и установить конденсатор между затвором и землей. я вас правильно понимаю?

_________________
-- Приключения маленькой пони в большом мире электроники --


Вернуться наверх
 


Не в сети
 Заголовок сообщения: Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд
СообщениеДобавлено: Пн июн 04, 2018 20:49:49 
Друг Кота
Аватар пользователя

Карма: 72
Рейтинг сообщений: 1919
Зарегистрирован: Пт мар 30, 2012 06:17:29
Сообщений: 6844
Откуда: Екатеринбург
Рейтинг сообщения: 0
когда игрался с моделью, заметил жесткую связь между С1 и R2. вначале установил неправильное значение R2 в 1К и завелась схема только с поднятием С1 до 100мкф
Ну а как иначе? Конечно, сопротивление нагрузки имеет значение. Чем оно меньше, тем быстрее в него разряжается конденсатор. Причём в данном случае - второй, который отсутствует, то есть ёмкость затвора. Надо бы именно её было увеличивать сначала, а потом уже и входную.
получается надо увеличить С1 и установить конденсатор между затвором и землей. я вас правильно понимаю?
Да. То есть можете всё это и не делать на реальном железе, ограничившись симулятором. Я вот не люблю симуляторы, хотя при необходимости пользуюсь микрокапом, я лучше макет соберу.

_________________
В гадюшнике "МЯЯЯУ" уважающему себя коту делать нечего.


Вернуться наверх
 
Prist.ru предлагает скидку всем частным лицам при покупке приборов АКИП, GW Instek, APPA (кроме осциллографов АКИП-4115/1А, GDS-71102)!

Интересные новинки уже на складе:

Осциллограф АКИП-4126Е

Многоканальные источники питания серии GPP

Не в сети
 Заголовок сообщения: Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд
СообщениеДобавлено: Ср июл 18, 2018 18:37:41 
Родился

Зарегистрирован: Сб окт 14, 2017 16:30:47
Сообщений: 15
Рейтинг сообщения: 0
Добрый день, уважаемые РадиоКоты. У меня есть полный картуз транзисторов вот такого плана
Изображение

Как среди них найти полевой транзистор ZVN2120 (КП501А)? Какие на нём должны быть обозначения?

Спасибо за помощь!
С уважением, Радион


Вернуться наверх
 
Купить электронные компоненты в LCSC

Отправка со склада через 4 часа после заказа!
900 000 пользователей, 3000+ заказов в день!
Зарегистрируйтесь сегодня и получите скидку 8 долларов на первый заказ!
Не в сети
 Заголовок сообщения: Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд
СообщениеДобавлено: Пт авг 24, 2018 14:41:17 
Электрический кот
Аватар пользователя

Карма: -5
Рейтинг сообщений: -30
Зарегистрирован: Чт дек 06, 2012 10:30:19
Сообщений: 1012
Рейтинг сообщения: 0
Подскажите - грозит ли чем ни-будь мосфету сток, висящий в воздухе?


Вернуться наверх
 
Не в сети
 Заголовок сообщения: Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд
СообщениеДобавлено: Пт авг 24, 2018 15:06:55 
Друг Кота
Аватар пользователя

Карма: 33
Рейтинг сообщений: 736
Зарегистрирован: Пт ноя 11, 2016 06:48:09
Сообщений: 3205
Откуда: Сердце пармы
Рейтинг сообщения: 0
Медали: 1
Получил миской по аватаре (1)
нет, просто не будет работать
хотя если транз закрыт, на стоке может скопиться статика (например в высоковольтных устройствах)

_________________
Просто не учи физику в школе, и вся твоя жизнь будет наполнена чудесами и волшебством.
я сбюфемхел, хКЭЪ.


Вернуться наверх
 
Не в сети
 Заголовок сообщения: Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд
СообщениеДобавлено: Ср окт 10, 2018 06:53:12 
Прорезались зубы
Аватар пользователя

Карма: 3
Рейтинг сообщений: 3
Зарегистрирован: Пт авг 05, 2016 05:47:49
Сообщений: 237
Рейтинг сообщения: 0
важно ли для полевика какой ток протекает через затвор ?

Изображение

в этой схеме встречаются разные номиналы
и 3к термистор и на 100к он же
я попробовал на ирф44 поставить 100к мне показал ток затвора от выкл до вкл вентилятора 0,1-0,13ма
поставил на 10к термистор показал 1,32-1,58ма

как понять опасный режим в дашите не нашол эксплатуционых характеристик по этому поводу


Вернуться наверх
 
Не в сети
 Заголовок сообщения: Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд
СообщениеДобавлено: Ср окт 10, 2018 08:02:29 
Друг Кота
Аватар пользователя

Карма: 180
Рейтинг сообщений: 6975
Зарегистрирован: Чт апр 04, 2013 13:46:59
Сообщений: 16355
Откуда: Тюмень
Рейтинг сообщения: 0
Обычно не указывается, т.к. при нормальных условиях эксплуатации (напряжение, прикладываемое к затвору не превышает допустимого) предельные значения не достигаются.

_________________
Общением на форуме подпитываю свою эгоистичную, склонную к самолюбованию сущность.


Вернуться наверх
 
Не в сети
 Заголовок сообщения: Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд
СообщениеДобавлено: Вт дек 18, 2018 18:11:33 
Родился

Зарегистрирован: Пн дек 25, 2017 21:04:19
Сообщений: 4
Рейтинг сообщения: 0
Добрый день, уважаемые. Можно вопрос полного дилетанта?

Есть некая мощная нагрузка, на которую хотелось бы подавать и постоянное напряжение и переменное. Режим работы - ключ.
Есть схема встречно включенных IGBT и диодов с общим эмиттером :
Изображение

Как правильно прикинуть температурные режимы и охлаждение в этом случае?
Если, для примеру взять вот этот транзистор https://static.chipdip.ru/lib/923/DOC000923130.pdf
то:
для самого транзистора:
Vce=2.3V, термосопротивление Переход->корпус - 0.43C/W
для встроенного диода:
Vfm=2.6V, термосопротивление Переход->корпус - 1.45C/W

Получается при переменном токе в 40А:
Мощность выделяемая на транзисторе 40*2.3= 92Вт
Мощность выделяемая на диоде 40*2.6=104Вт

При этом дельта температур между кристаллом и корпусом будет:
для транзистора 92*0.43=40 грС (вроде терпимо)
для диода 104*1.45=151 гр С (ВТФ?)

это еще без учета, что диод + транзистор будут в одном периоде тепло выделять...

Собственно вопрос - это я так "считаю" или подобные транзисторы не предназначены для такого использования?

Спасибо за потраченное время


Вернуться наверх
 
Не в сети
 Заголовок сообщения: Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд
СообщениеДобавлено: Ср дек 19, 2018 04:03:08 
Вымогатель припоя

Карма: 5
Рейтинг сообщений: 185
Зарегистрирован: Чт окт 20, 2016 14:51:03
Сообщений: 683
Рейтинг сообщения: 0
Вот один из возможных ответов:http://www.symmetron.ru/suppliers/dau/KS.shtml


Вернуться наверх
 
Не в сети
 Заголовок сообщения: Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд
СообщениеДобавлено: Вс дек 23, 2018 15:50:49 
Вымогатель припоя

Карма: -5
Рейтинг сообщений: -68
Зарегистрирован: Пн июн 26, 2017 20:32:29
Сообщений: 595
Рейтинг сообщения: 0
В чем разница напряжений на затворах полевиков? вот есть транзистор в дш указано что на гейт позволено +-30в или более распространеный вариант +-20в но в тех же дш написано что уже при 10в на затворе оно полностью откроется а при 5в и ниже полностью закроется. А если подать -20 и +20 чего будет? что изменится? зачем оно надо?
И еще момент. Почему полевики которые позиционируются как "for hard switch" имеют просто конскую емкость затвора. Под 12нФ. И ничего выдающегося кроме огромной емкости в затворе у них нет. Остальные параметры "так себе". Зачем это надо?


Вернуться наверх
 
Не в сети
 Заголовок сообщения: Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд
СообщениеДобавлено: Вс дек 23, 2018 16:14:44 
Встал на лапы

Карма: 2
Рейтинг сообщений: 2
Зарегистрирован: Вт авг 21, 2018 12:55:45
Сообщений: 135
Рейтинг сообщения: 0
Почему +- (плюс-минус) непонятно, у полевика есть одна точка открытия, например 5В, и полного открытия например при 20В.
Если подать -20 В то полностью закроет транзистор.

Цитата:
полевики которые позиционируются как "for hard switch"

Не понял, расшифруйте.


Полевик нужен в тех случаях если вам важен низкий ток утечки затвора.


Вернуться наверх
 
Не в сети
 Заголовок сообщения: Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд
СообщениеДобавлено: Вс дек 23, 2018 16:47:06 
Вымогатель припоя

Карма: -5
Рейтинг сообщений: -68
Зарегистрирован: Пн июн 26, 2017 20:32:29
Сообщений: 595
Рейтинг сообщения: 0
Так написано в дш. По графикам больше 10в даже не рисуют. т.е на десяти вольтах в затворе он уже выдает свой RdsON. Но до 20в. Что если я подам 20в на затвор у него сопротивление канала отрицательным станет? Ок точка открытия 5в. подаю 2в и он закрыт как то неполностью в этом случае? миллиамперметр показывает ноль - значит закрыт? а если снижать напряжение еще -10в то что? если он уже закрыт то как он может закрытся сильнее? Или он откроется в обратную сторону? превращение н канала в п канал :D
Полевики предназначеные для коммутации индуктивностей как попало. моторчики там всякие. В том то и дело что за ту же цену можно найти обычный с большим током и меньшей емкостью на затворе. А тут вот как будто эта емкость чем то помогает.
Вот у меня есть два полевика. Один 20А и 4800пФ затвор. Второй 280А и 2800пФ затвор. Почему емкость обратна току?
И да удивительно но факт 20А работает лучше. Особенно когда появляется ток побольше.


Вернуться наверх
 
Не в сети
 Заголовок сообщения: Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд
СообщениеДобавлено: Вс дек 23, 2018 17:42:26 
Друг Кота
Аватар пользователя

Карма: 33
Рейтинг сообщений: 736
Зарегистрирован: Пт ноя 11, 2016 06:48:09
Сообщений: 3205
Откуда: Сердце пармы
Рейтинг сообщения: 0
Медали: 1
Получил миской по аватаре (1)
ток (и сопротивление) - характеристика канала, емкость и максимальное напряжение — параметр изолятора между затвором и каналом, если изолятор толще, то емкость станет меньше, а макс. напряжение выше, но уменьшится воздействие затвора на канал (станет меньше крутизна характеристик — для открытия/закрытия нужны будут большие напряжения)

Добавлено after 4 minutes 41 second:
ширина затвора влияет на напряжение, которое может выдержать запертый канал, также от неё зависит и емкость затвора... вобщем всё взаимосвязано.
а то что одни транзисторыизаработали лучше чем другие не говорит что они лучше, просто они больше подходят под конкретно эту задачу.

_________________
Просто не учи физику в школе, и вся твоя жизнь будет наполнена чудесами и волшебством.
я сбюфемхел, хКЭЪ.


Вернуться наверх
 
Не в сети
 Заголовок сообщения: Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд
СообщениеДобавлено: Вс дек 23, 2018 17:49:56 
Вымогатель припоя

Карма: 10
Рейтинг сообщений: 295
Зарегистрирован: Пт ноя 02, 2018 17:14:36
Сообщений: 687
Рейтинг сообщения: 0
В переводе на русский 10 В это усилие, с каким надо дёргать за ручку, чтобы ворота (Gate) полностью открылись, а 30 В - усилие, с каким можно ручку оторвать, и тогда ворота испортятся.

_________________
Нет ничего практичнее хорошей теории


Вернуться наверх
 
Показать сообщения за:  Сортировать по:  Вернуться наверх
Начать новую тему Ответить на тему  [ Сообщений: 699 ]     ... , , , 31, , , ,  

Часовой пояс: UTC + 3 часа [ Летнее время ]


Кто сейчас на форуме

Сейчас этот форум просматривают: нет зарегистрированных пользователей и гости: 16


Вы не можете начинать темы
Вы не можете отвечать на сообщения
Вы не можете редактировать свои сообщения
Вы не можете удалять свои сообщения
Вы не можете добавлять вложения

Найти:
Перейти:  


Powered by phpBB © 2000, 2002, 2005, 2007 phpBB Group
Русская поддержка phpBB
Extended by Karma MOD © 2007—2012 m157y
Extended by Topic Tags MOD © 2012 m157y