Форум РадиоКот https://radiokot.ru/forum/ |
|
Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд https://radiokot.ru/forum/viewtopic.php?f=21&t=3569 |
Страница 32 из 43 |
Автор: | white_ghost [ Вс дек 23, 2018 19:03:09 ] |
Заголовок сообщения: | Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд |
Цитата: изолятор толще, то емкость станет меньше, а макс. напряжение выше, но уменьшится воздействие затвора на канал из-за меньшей емкости заряжать ее станет быстрее.... короче, как выбрать подходящий полевик? тот что стоит сопротивление канала слишком. С меньшим сопротивлением канала, как бы более уместный, очень чувствителен к Rg хотя емкость затвора почти вдвое ниже. Но все очень плохо, на 20омах он как кипятильник, на 5Омах холоден но у шимки начинает подгорать. А вот высоковольтному вообще без разницы ничего не меняется. |
Автор: | Eltex [ Вт дек 25, 2018 21:23:46 ] |
Заголовок сообщения: | Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд |
смотря под какую задачу, полевики часто используются в каскаде с биполярным из-за низкого тока исток-сток. |
Автор: | 12943 [ Ср дек 26, 2018 13:07:55 ] |
Заголовок сообщения: | Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд |
из-за низкого тока исток-сток. ???? |
Автор: | white_ghost [ Ср дек 26, 2018 16:27:45 ] |
Заголовок сообщения: | Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд |
Мне надо в бустер 12в-30в 4А. 4А это максимальный пиковый чрез транзистор. как бы сейчас 4*4*0.4*0.7=4.5ватт много. если бы Rds был впределах десятков миллиом все станет значительно луше. |
Автор: | Eltex [ Сб дек 29, 2018 14:33:24 ] |
Заголовок сообщения: | Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд |
из-за низкого тока исток-сток. ????Может речь о том, что по умолчанию в Qucs, полевой транзистор с управляющим переходом, имеет большое значение сопротивления исток-сток, в полностью открытом состоянии ЕМНИП Rис ~ 3 кОм, (I=1мА, U=3В). Возможно такие параметры модели в Qucs, взяты как преобладающие. Возможно тоже самое справедливо и для транзисторов изолированным затвором. Поэтому используют каскады с биполярным. Мне надо в бустер 12в-30в 4А. 4А это максимальный пиковый чрез транзистор. как бы сейчас 4*4*0.4*0.7=4.5ватт много. если бы Rds был впределах десятков миллиом все станет значительно луше. Чем вас не устраивает каскад с биполярным? |
Автор: | white_ghost [ Вс дек 30, 2018 05:58:58 ] |
Заголовок сообщения: | Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд |
я как то и не думал а зачем каскад? |
Автор: | Eltex [ Вс дек 30, 2018 18:02:20 ] |
Заголовок сообщения: | Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд |
я как то и не думал а зачем каскад? у биполярного низкое сопротивление эмитер-колектор, а тока исток-сток полевого, отправленного на базу биполярного, хватит, чтобы полностью его открыть. Например, Биполярный транзистор с изолированным затвором, БТИЗ(IGBT). |
Автор: | white_ghost [ Вс дек 30, 2018 20:37:10 ] |
Заголовок сообщения: | Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд |
у мня шимка со своего каскада отдает ампер в затвор неужели этого мало и нужно прибегать к этой сомнительной конструкции ? это уже становится странновато, мне через транзистор нужно качнуть до 4А в пике и сколько при этом нужно тока на управление? Где слышал что транзисторы усиливают сигнал но это неточно. |
Автор: | Eltex [ Вс дек 30, 2018 20:55:40 ] |
Заголовок сообщения: | Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд |
На затвор подаётся не ток, а напряжение, и ампера там быть не может, так как сопротивление затвора велико, этож полевой транзистор. Полевые транзисторы усиливают сигнал слабее чем биполярные, но имеют меньший ток утечки. |
Автор: | mickbell [ Вс дек 30, 2018 23:43:45 ] |
Заголовок сообщения: | Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд |
На затвор подаётся не ток, а напряжение, и ампера там быть не может, так как сопротивление затвора велико, этож полевой транзистор. Угу, щас. На затвор подаётся напряжение. Оно перезаряжает (заряжает и разряжает) ёмкость затвор-исток и миллерову ёмкость. В случае ШИМа делать это надо быстро, дабы уменьшить время переходного процесса, в котором из-за большого сопротивления полуоткрытого канала выделяется большая мгновенная мощность, что может привести к перегреву и сгоранию мосфета. Единицы ампер в импульсе - нормальный ток драйвера затвора.
|
Автор: | white_ghost [ Пн дек 31, 2018 01:41:13 ] |
Заголовок сообщения: | Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд |
хм очень интересная точка зрения. А как "подать" напряжение без тока? Так вообще можно было чтоли? |
Автор: | Eltex [ Пн дек 31, 2018 07:24:44 ] |
Заголовок сообщения: | Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд |
На затвор подаётся не ток, а напряжение, и ампера там быть не может, так как сопротивление затвора велико, этож полевой транзистор. Угу, щас. На затвор подаётся напряжение. Оно перезаряжает (заряжает и разряжает) ёмкость затвор-истокЯ имел ввиду стационарный режим, но действительно чтобы поднять напряжение на затворе нужно сначала зарядить ёмкость полевого транзистора, и чем больше ток и меньше ёмкость, тем меньше время зарядки, время за которое напряжение на затворе возрастёт до необходимого значения. |
Автор: | mickbell [ Пн дек 31, 2018 07:42:13 ] |
Заголовок сообщения: | Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд |
хм очень интересная точка зрения. Классика, однако.Я имел ввиду стационарный режим А говорилось про ШИМ:у мня шимка со своего каскада отдает ампер в затвор Небольшое дополнение. Драйвер затвора действительно отдаёт амперы при том, что берёт он из источника своего питания совсем немного - миллиамперы. Чтобы это было возможно, ему (как и практически всему) нужен блокировочный конденсатор по питанию, из которого как раз и кормится драйвер в переходных процессах, а между ними конденсатор восстанавливает утраченный заряд. Ну это - так, лирическое отступление, вдруг кому пригодится.
|
Автор: | Eltex [ Пн дек 31, 2018 11:15:51 ] |
Заголовок сообщения: | Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд |
хм очень интересная точка зрения. А как "подать" напряжение без тока? Так вообще можно было чтоли? Напряжение без тока ещё можно представить, а вот ток без напряжения врядли. Небольшое дополнение. Драйвер затвора действительно отдаёт амперы при том, что берёт он из источника своего питания совсем немного - миллиамперы. Чтобы это было возможно, ему (как и практически всему) нужен блокировочный конденсатор по питанию, из которого как раз и кормится драйвер в переходных процессах, а между ними конденсатор восстанавливает утраченный заряд. Ну это - так, лирическое отступление, вдруг кому пригодится. Да, неплохо бы заряжать затвор от конденсатора с ёмкостью большей чем ёмкость затвора, для стабильного тока зарядки, и видимо чем выше напряжение на этом конденсаторе тем больше ток зарядки? |
Автор: | Slabovik [ Пн дек 31, 2018 11:44:40 ] |
Заголовок сообщения: | Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд |
Eltex писал(а): ток без напряжения врядли Легко. Ток Фуко. Любой к.з. виток в изменяющемся магнитном поле
|
Автор: | КРАМ [ Пн дек 31, 2018 12:02:39 ] |
Заголовок сообщения: | Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд |
Любой к.з. виток Сверхпроводящий виток. Добавлено after 9 minutes 7 seconds: Напряжение без тока ещё можно представить Нельзя. Напряжение возникает в результате перераспределения зарядов, а это ток. Об этом и речь про затворы МОСФЕТов. Вообще то говоря, ситуация с током затвора очень противоречивая. В смысле того, что чем ниже сопротивление канала, тем больше площадь затвора (фактически современный вертикальный МОСФЕТ - эта большое количество параллельных структур образующих многоугольники-соты на топологии. И дело далеко не только в статической емкости, которая относительно не велика, а в емкости Миллера, которая и создает значительный заряд затвора (эта емкость умножается на коэффициент усиления при пересчете на вход). Таким образом, возникает замкнутый круг, когда низкое сопротивление канала (низкие статические потери) приводят либо к высоким динамическим (при ограничении тока затвора балластом), либо к большому току затвора выдаваемому драйвером, который в свою очередь начинает греться большими динамическими токами. Низкопороговые МОСФЕТы еще более подвержены этому процессу, поскольку у них заряд затвора еще больше при примерно равных сопротивлениях канала по сравнению с высокопороговыми. |
Автор: | mickbell [ Пн дек 31, 2018 12:09:35 ] |
Заголовок сообщения: | Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд |
Да, неплохо бы заряжать затвор от конденсатора с ёмкостью большей чем ёмкость затвора, для стабильного тока зарядки, и видимо чем выше напряжение на этом конденсаторе тем больше ток зарядки? Напряжение на этом конденсаторе - это напряжение питания драйвера, обычно вольт пятнадцать. Просадка напряжения на нём будет тем меньше, чем больше его ёмкость.
|
Автор: | white_ghost [ Пн дек 31, 2018 12:33:39 ] |
Заголовок сообщения: | Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд |
Все чуднее и чуднее. Т.е драйвер берет миллиамперы а отдает амперы? шучу. Это все уже пройденный этап. из дш емкость х10 от емкости затвора. в моем 47нФ вроде... 473 написано и это гог а не как обычно +\-80% от фаз луны, а емкость затвора 4800пФ. Тут идинственое что непонятно... а зачем? ну т.е у мня есть входная емкость на 2200мкф которой хватает так что кнопку вкл\выкл можно быстро нажимать и свет не тухнет. И она, емкость, недалеко находится от входа шим по питанию, ну около 1 см. Однако это какая то чОртова магия, на конденсаторе 12в а сантиметром дальше у входа шим 7в. Ну как это так? Цитата: Любой к.з. виток в изменяющемся магнитном поле у витка есть сопротивление? |
Автор: | Eltex [ Пн дек 31, 2018 13:09:50 ] |
Заголовок сообщения: | Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд |
Eltex писал(а): ток без напряжения врядли Легко. Ток Фуко. Любой к.з. виток в изменяющемся магнитном поле Ток фуко это вихревое электрическое поле, в вихревых токах напряжение первично. Везде, за исключением сверхпроводника, там ток возникает без внешнего поля, а точнее возникает магнитное поле. Напряжение без тока ещё можно представить Нельзя. Напряжение возникает в результате перераспределения зарядов, а это ток. Об этом и речь про затворы МОСФЕТов. Если говорить о напряжении как о разности потенциалов, то напряжение вполне может существовать без тока. Например поле точечного заряда в вакууме, будет создавать разность потенциалов в точках разно удалённых от заряда. И да, если электрическое поле находится в среде, то будет возникать ток, даже если это ток поляризации. |
Автор: | Slabovik [ Пн дек 31, 2018 13:12:17 ] |
Заголовок сообщения: | Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд |
Eltex писал(а): в вихревых токах напряжение первично. Вы допускаете классическую ошибку - путаете напряжение и ЭДС, а это не одно и то же
|
Страница 32 из 43 | Часовой пояс: UTC + 3 часа |
Powered by phpBB © 2000, 2002, 2005, 2007 phpBB Group http://www.phpbb.com/ |