Например TDA7294

Форум РадиоКот :: Просмотр темы - Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд
Форум РадиоКот
http://radiokot.ru/forum/

Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд
http://radiokot.ru/forum/viewtopic.php?f=21&t=3569
Страница 32 из 35

Автор:  white_ghost [ Вс дек 23, 2018 20:03:09 ]
Заголовок сообщения:  Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд

Цитата:
изолятор толще, то емкость станет меньше, а макс. напряжение выше, но уменьшится воздействие затвора на канал

из-за меньшей емкости заряжать ее станет быстрее....
короче, как выбрать подходящий полевик? тот что стоит сопротивление канала слишком. С меньшим сопротивлением канала, как бы более уместный, очень чувствителен к Rg хотя емкость затвора почти вдвое ниже. Но все очень плохо, на 20омах он как кипятильник, на 5Омах холоден но у шимки начинает подгорать. А вот высоковольтному вообще без разницы ничего не меняется.

Автор:  Eltex [ Вт дек 25, 2018 22:23:46 ]
Заголовок сообщения:  Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд

смотря под какую задачу,
полевики часто используются в каскаде с биполярным из-за низкого тока исток-сток.

Автор:  12943 [ Ср дек 26, 2018 14:07:55 ]
Заголовок сообщения:  Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд

из-за низкого тока исток-сток.

????

Автор:  white_ghost [ Ср дек 26, 2018 17:27:45 ]
Заголовок сообщения:  Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд

Мне надо в бустер 12в-30в 4А. 4А это максимальный пиковый чрез транзистор. как бы сейчас 4*4*0.4*0.7=4.5ватт много. если бы Rds был впределах десятков миллиом все станет значительно луше.

Автор:  Eltex [ Сб дек 29, 2018 15:33:24 ]
Заголовок сообщения:  Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд

из-за низкого тока исток-сток.
????

Может речь о том, что по умолчанию в Qucs, полевой транзистор с управляющим переходом, имеет большое значение сопротивления исток-сток, в полностью открытом состоянии ЕМНИП Rис ~ 3 кОм, (I=1мА, U=3В).
Возможно такие параметры модели в Qucs, взяты как преобладающие.
Возможно тоже самое справедливо и для транзисторов изолированным затвором. Поэтому используют каскады с биполярным.

Мне надо в бустер 12в-30в 4А. 4А это максимальный пиковый чрез транзистор. как бы сейчас 4*4*0.4*0.7=4.5ватт много. если бы Rds был впределах десятков миллиом все станет значительно луше.

Чем вас не устраивает каскад с биполярным?

Автор:  white_ghost [ Вс дек 30, 2018 06:58:58 ]
Заголовок сообщения:  Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд

я как то и не думал а зачем каскад?

Автор:  Eltex [ Вс дек 30, 2018 19:02:20 ]
Заголовок сообщения:  Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд

я как то и не думал а зачем каскад?

у биполярного низкое сопротивление эмитер-колектор, а тока исток-сток полевого, отправленного на базу биполярного, хватит, чтобы полностью его открыть.
Например, Биполярный транзистор с изолированным затвором, БТИЗ(IGBT).

Автор:  white_ghost [ Вс дек 30, 2018 21:37:10 ]
Заголовок сообщения:  Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд

у мня шимка со своего каскада отдает ампер в затвор неужели этого мало и нужно прибегать к этой сомнительной конструкции ? это уже становится странновато, мне через транзистор нужно качнуть до 4А в пике и сколько при этом нужно тока на управление? Где слышал что транзисторы усиливают сигнал но это неточно.

Автор:  Eltex [ Вс дек 30, 2018 21:55:40 ]
Заголовок сообщения:  Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд

На затвор подаётся не ток, а напряжение, и ампера там быть не может, так как сопротивление затвора велико, этож полевой транзистор.
Полевые транзисторы усиливают сигнал слабее чем биполярные, но имеют меньший ток утечки.

Автор:  mickbell [ Пн дек 31, 2018 00:43:45 ]
Заголовок сообщения:  Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд

На затвор подаётся не ток, а напряжение, и ампера там быть не может, так как сопротивление затвора велико, этож полевой транзистор.
Угу, щас. На затвор подаётся напряжение. Оно перезаряжает (заряжает и разряжает) ёмкость затвор-исток и миллерову ёмкость. В случае ШИМа делать это надо быстро, дабы уменьшить время переходного процесса, в котором из-за большого сопротивления полуоткрытого канала выделяется большая мгновенная мощность, что может привести к перегреву и сгоранию мосфета. Единицы ампер в импульсе - нормальный ток драйвера затвора.

Автор:  white_ghost [ Пн дек 31, 2018 02:41:13 ]
Заголовок сообщения:  Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд

хм очень интересная точка зрения. А как "подать" напряжение без тока? Так вообще можно было чтоли? :shock:

Автор:  Eltex [ Пн дек 31, 2018 08:24:44 ]
Заголовок сообщения:  Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд

На затвор подаётся не ток, а напряжение, и ампера там быть не может, так как сопротивление затвора велико, этож полевой транзистор.
Угу, щас. На затвор подаётся напряжение. Оно перезаряжает (заряжает и разряжает) ёмкость затвор-исток

Я имел ввиду стационарный режим, но действительно чтобы поднять напряжение на затворе нужно сначала зарядить ёмкость полевого транзистора, и чем больше ток и меньше ёмкость, тем меньше время зарядки, время за которое напряжение на затворе возрастёт до необходимого значения.

Автор:  mickbell [ Пн дек 31, 2018 08:42:13 ]
Заголовок сообщения:  Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд

хм очень интересная точка зрения.
Классика, однако.
Я имел ввиду стационарный режим
А говорилось про ШИМ:
у мня шимка со своего каскада отдает ампер в затвор
Небольшое дополнение. Драйвер затвора действительно отдаёт амперы при том, что берёт он из источника своего питания совсем немного - миллиамперы. Чтобы это было возможно, ему (как и практически всему) нужен блокировочный конденсатор по питанию, из которого как раз и кормится драйвер в переходных процессах, а между ними конденсатор восстанавливает утраченный заряд. Ну это - так, лирическое отступление, вдруг кому пригодится.

Автор:  Eltex [ Пн дек 31, 2018 12:15:51 ]
Заголовок сообщения:  Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд

хм очень интересная точка зрения. А как "подать" напряжение без тока? Так вообще можно было чтоли?

Напряжение без тока ещё можно представить, а вот ток без напряжения врядли. :D

Небольшое дополнение. Драйвер затвора действительно отдаёт амперы при том, что берёт он из источника своего питания совсем немного - миллиамперы. Чтобы это было возможно, ему (как и практически всему) нужен блокировочный конденсатор по питанию, из которого как раз и кормится драйвер в переходных процессах, а между ними конденсатор восстанавливает утраченный заряд. Ну это - так, лирическое отступление, вдруг кому пригодится.

Да, неплохо бы заряжать затвор от конденсатора с ёмкостью большей чем ёмкость затвора, для стабильного тока зарядки, и видимо чем выше напряжение на этом конденсаторе тем больше ток зарядки?

Автор:  Slabovik [ Пн дек 31, 2018 12:44:40 ]
Заголовок сообщения:  Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд

Eltex писал(а):
ток без напряжения врядли
Легко. Ток Фуко. Любой к.з. виток в изменяющемся магнитном поле :wink:

Автор:  КРАМ [ Пн дек 31, 2018 13:02:39 ]
Заголовок сообщения:  Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд

Любой к.з. виток

Сверхпроводящий виток.

Добавлено after 9 minutes 7 seconds:
Напряжение без тока ещё можно представить

Нельзя. Напряжение возникает в результате перераспределения зарядов, а это ток. Об этом и речь про затворы МОСФЕТов.
Вообще то говоря, ситуация с током затвора очень противоречивая. В смысле того, что чем ниже сопротивление канала, тем больше площадь затвора (фактически современный вертикальный МОСФЕТ - эта большое количество параллельных структур образующих многоугольники-соты на топологии. И дело далеко не только в статической емкости, которая относительно не велика, а в емкости Миллера, которая и создает значительный заряд затвора (эта емкость умножается на коэффициент усиления при пересчете на вход).
Таким образом, возникает замкнутый круг, когда низкое сопротивление канала (низкие статические потери) приводят либо к высоким динамическим (при ограничении тока затвора балластом), либо к большому току затвора выдаваемому драйвером, который в свою очередь начинает греться большими динамическими токами.
Низкопороговые МОСФЕТы еще более подвержены этому процессу, поскольку у них заряд затвора еще больше при примерно равных сопротивлениях канала по сравнению с высокопороговыми.

Автор:  mickbell [ Пн дек 31, 2018 13:09:35 ]
Заголовок сообщения:  Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд

Да, неплохо бы заряжать затвор от конденсатора с ёмкостью большей чем ёмкость затвора, для стабильного тока зарядки, и видимо чем выше напряжение на этом конденсаторе тем больше ток зарядки?
Напряжение на этом конденсаторе - это напряжение питания драйвера, обычно вольт пятнадцать. Просадка напряжения на нём будет тем меньше, чем больше его ёмкость.

Автор:  white_ghost [ Пн дек 31, 2018 13:33:39 ]
Заголовок сообщения:  Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд

Все чуднее и чуднее. Т.е драйвер берет миллиамперы а отдает амперы? :D шучу. Это все уже пройденный этап. из дш емкость х10 от емкости затвора. в моем 47нФ вроде... 473 написано и это гог а не как обычно +\-80% от фаз луны, а емкость затвора 4800пФ. Тут идинственое что непонятно... а зачем? ну т.е у мня есть входная емкость на 2200мкф которой хватает так что кнопку вкл\выкл можно быстро нажимать и свет не тухнет. И она, емкость, недалеко находится от входа шим по питанию, ну около 1 см. Однако это какая то чОртова магия, на конденсаторе 12в а сантиметром дальше у входа шим 7в. Ну как это так?
Цитата:
Любой к.з. виток в изменяющемся магнитном поле

у витка есть сопротивление? :D

Автор:  Eltex [ Пн дек 31, 2018 14:09:50 ]
Заголовок сообщения:  Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд

Eltex писал(а):
ток без напряжения врядли
Легко. Ток Фуко. Любой к.з. виток в изменяющемся магнитном поле :wink:

Ток фуко это вихревое электрическое поле, в вихревых токах напряжение первично.
Везде, за исключением сверхпроводника, там ток возникает без внешнего поля, а точнее возникает магнитное поле.

Напряжение без тока ещё можно представить

Нельзя. Напряжение возникает в результате перераспределения зарядов, а это ток. Об этом и речь про затворы МОСФЕТов.

Если говорить о напряжении как о разности потенциалов, то напряжение вполне может существовать без тока.
Например поле точечного заряда в вакууме, будет создавать разность потенциалов в точках разно удалённых от заряда.
И да, если электрическое поле находится в среде, то будет возникать ток, даже если это ток поляризации.

Автор:  Slabovik [ Пн дек 31, 2018 14:12:17 ]
Заголовок сообщения:  Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд

Eltex писал(а):
в вихревых токах напряжение первично.
Вы допускаете классическую ошибку - путаете напряжение и ЭДС, а это не одно и то же :)

Страница 32 из 35 Часовой пояс: UTC + 3 часа [ Летнее время ]
Powered by phpBB © 2000, 2002, 2005, 2007 phpBB Group
http://www.phpbb.com/