Привет всем. Взялся тут разобраться в усилительном каскаде во всех подробностях, с расчётами и проч. Схему рисовать не буду, она классическая - с эмиттерной стабилизацией тока коллектора. Её тут миллион раз выкладывали. Для упрощения между базой и 0 воткнул источник переменного напряжения от 3 до 5 вольт - как если бы был делитель +4 вольта и источник сигнала +/- 1 вольт. Бэтту взял 25. Питалово 12 в. Ток покоя 5 мА, U покоя пол-питания, то есть 6 в. Тогда коллекторная нагрузка 1250 ом, а в эмиттере 660. По расчётам вышло что при максимуме входного сигнала напряжение на коллекторе меньше чем на базе. Тогда Rк уменьшил до 1к и стало норм, хотя рабочая точка изменилась - 7,2 В в покое.
Для большей точности расчёты вёл учитывая что Iк = Iэ - Iб. По результатам вышло что при изменении входного напряжения от 3 до 5 в , на коллекторе мы имеем от 6,06 до 8,66 вольт -совершенно кривая загогулина вместо синуса, где нижняя полуволна меньше верхней на 22% ("ужос!").
А если по упрощённой модели (Iк = Iэ), то разница 10%.
Это нормально или я что-то не догоняю.
Выходит коэффициент усиления по напряжению для каждой полуволны свой, у одной 8,66 / 5 = 1,732 у второй 6,06/3 = 2,02. Да и какой-то мизер совсем...
Так и должно быть, коэффициент усиления в самом первом приближении равен Rк/Rэ. Слишком большое падение напряжения на Rэ. Если сделать Rэ=200, Rк=800, а смещение на базе 2 В, то Kу будет уже почти 4. Дальше можно Rэ конденсатором закоротить для нужной частоты переменного тока.
lumped.net, спасибо что не прошли мимо. А то что такое сильное искривление - нормально? Просто во всех книгах ,что читал, про это ни слова. Про то что есть искажения из-за нелинейности транзистора, "ступенька" и т.д.только. Расчёт показал, что чем меньше ток базы (чем больше бетта), тем меньше разница между амплитудами полуволн выходного сигнала. Об этом в книгах также ничего не встречал. Enman, а по теме есть что сказать? Сразу извиняюсь если эти вопросы кажутся совершенно тупыми, я не профи)
Обязательным условием долгой и стабильной работы Li-FePO4-аккумуляторов, в том числе и производства EVE Energy, является применение специализированных BMS-микросхем. Литий-железофосфатные АКБ отличаются такими характеристиками, как высокая многократность циклов заряда-разряда, безопасность, возможность быстрой зарядки, устойчивость к буферному режиму работы и приемлемая стоимость. Но для этих АКБ очень важен контроль процесса заряда и разряда для избегания воздействия внешнего зарядного напряжения после достижения 100% заряда. Инженеры КОМПЭЛ подготовили список таких решений от разных производителей.
А то что такое сильное искривление - нормально? Просто во всех книгах ,что читал, про это ни слова. Про то что есть искажения из-за нелинейности транзистора, "ступенька" и т.д.только.
Ну ступенек тут быть не должно, это же не каскад класса B. Искажения из-за нелинейностей всегда какие-то будут. Тяжело что-то сказать, не видя расчета. Если вот такие искажения - то это каскад выходит из линейного режима. Напряжение на базе на пике сигнала больше, чем на коллекторе, переход база-коллектор открывается.
Компания EVE выпустила новый аккумулятор серии PLM, сочетающий в себе высокую безопасность, длительный срок службы, широкий температурный диапазон и высокую токоотдачу даже при отрицательной температуре.
Эти аккумуляторы поддерживают заряд при температуре от -40/-20°С (сниженным значением тока), безопасны (не воспламеняются и не взрываются) при механическом повреждении (протыкание и сдавливание), устойчивы к вибрации. Они могут применяться как для автотранспорта (трекеры, маячки, сигнализация), так и для промышленных устройств мониторинга, IoT-устройств.
Накидал схему, о которой речь. Схема каскада с ОЭ с эмиттерной стабилизацией, классика жанра. Расчёт, о котором писал, вёлся по следующей модели транзистора: h21э = бетта = const Iэ = Iк+Iб Uбэ = 0,7В = const сопротивления базовой и эмиттерной областей пренебрежимо малы. Насколько понимаю именно по этой модели рассчитывают обвеску каскада как любители так и инженеры. Во всяком случае в большинстве случаев(?).
Так вот, на ровном месте получилась такая очень неравномерная синусоида. Как так то? про это в книжках ни слова. Причём
Цитата:
Расчёт показал, что чем меньше ток базы (чем больше бетта), тем меньше разница между амплитудами полуволн выходного сигнала.
На усилительный каскад нельзя подавать какой хочешь сигнал по амплитуде и при каком хочешь смещении на базе. Всё это надо учитывать и рассчитывать... Для примера, пусть и при том же смещении в +4 В на базе, подай сигнал всего 0,2 В амплитудой (вместо 1 Вампл), половинки синуса будут одинаковые.... Т.е. каскад рассчитывается с нагрузки, требуемой амплитуды на выходе, выбора напряжения питания и рабочей точки на коллекторе по постоянному току. Сейчас на К-Э падает всего 1,5 В, а на коллекторном резисторе 4,8 В....Поэтому, транзистор может "опустить" сигнал мало, а вот при закрытии транзистора гораздо больше (от 7,2 до 12). В классических учебниках - нагрузочная прямая и выбор рабочей точки. В твоём варианте надо немного призакрыть транзистор, уменьшив постоянное смещение на базе, тогда половинки будут выравниваться.
Он, конечно, на переменные токи рассчитан, но закон Ома есть закон Ома. Можно и для постоянного посчитать, если все зависимости линейны и в схеме нет реактивных элементов. При vb=3 v4=8.64 При vb=4 v4=7.19 При vb=5 v4=5.74 Итого, 8.64-7.19=1.45, 7.19-5.74=1.45, получается 0% разницы. Формулы можно в решателе посмотреть, если закомментировать численные значения. Допустим, вместо F 4 2 Vbe 25 написать F 4 2 Vbe beta. Получится зависимость от беты.
Последний раз редактировалось lumped.net Вт фев 11, 2020 23:42:03, всего редактировалось 1 раз.
Если в схеме каскада есть шунтирующй конденсатор, то при вкл питания в начальный момент времени ёмкость закорачивает эмиттерный резистор и на Б-Э переход прилетает напряжение 4 вольта, так? Транзистор должен же вылететь
Выгорит или нет - это зависит от многих параметров, ни один из которых не указан на схеме.
Полностью отсутствуют данные по точке "+4в сме щение".
зы: в аппаратуре середины-конца прошлого века, такие каскады использовалось чуть ли не повсеместно. Никаких "должен вылететь" как-то не наблюдалось. Что они делали не так?
Полностью отсутствуют данные по точке "+4в смещение".
Ну раз DJ_club не написал, откуда берутся +4 В, то остается только предположить идеальный источник напряжения. Через R1 пройдёт никак не больше 8 мА, остальной ток заряда возьмётся из базовой цепи. Сгорит стопудово.
А можно предположить, что это только название цепи и что там на самом деле - х.з. Так что наш DJ просто ждёт подтверждения своего предположения (очень хочет, чтобы транзистор сгорел), а не ищет правильный ответ на вопрос....
4 в смещение... относительно чего? "земли" на схеме не насыпано...
_________________ Просто не учи физику в школе, и вся твоя жизнь будет наполнена чудесами и волшебством Безграмотно вопрошающим про силовую или высоковольтную электронику я не отвечаю, а то ещё посадят за участие в (само)убиении оболтуса...
не понимаю почему 8? 12/1000 = 12 ма. Если в уме вычли падение на к-э, то как его определили?
Чтоб было поконкретнее накидал делитель в базу. Значит, токи заряда пойдут через R3 и R1, падение на Р3 увеличится, Uб уменьшится до безопасных для перехода значений, так?
Slabovik писал(а):
Никаких "должен вылететь" как-то не наблюдалось. Что они делали не так?
От того и вопросы: что я не понимаю, если это у них работало??
Контрольный выстрел вопрос: почему вы решили, что потенциал на выводе базы в момент включения будет 4 вольта? По моим данным он будет примерно 0,7 вольта, при этом ток, текущий через вывод базы будет не более 3 мА, а ток коллектора не более 11,5 мА при напряжении на коллекторе около 0.5 вольта. Что он таких токов и/или напряжений должно сгореть?
Как вы это считаете??) Если я заблуждаюсь - укажите, что не так.
Uэ = Uб - 0,7 В - так? Uэ = Iэ*Rэ Uбэ = Uб - Uэ Тогда если Rэ = 0, то Uбэ = Uб - 0 то есть Uбэ = Uб. В нашем случае 4 вольта. И если для понмания рассматривать б-э переход как диод, то см.рисунок... В чём ошибка??
Ошибка в том, что вы упустили такую немаловажную сущность, как эквивалентное внутреннее сопротивление V1. Т.е. ваш рисунок с диодами и источником не эквивалентен схеме с транзистором.
По моим данным ЭДС V1 равен 12*2к/(2к+3,6к)=4,29 В, а внутреннее сопротивление 2к*3,6к/(2к+3,6к)=1,29 кОм Таким образом, ток базы = (ЭДС V1 - Uбэ) / Rвнутр_v1 = (4.29-0.7)/1.29к = 2.78 мА
Сейчас этот форум просматривают: нет зарегистрированных пользователей и гости: 26
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения
Вход
Регистрация
Правила
FAQ
Поиск
в изначальный расчёт вкралась ошибка. Пересчитал и всё встало на свои места 
