не могу въехать в отличие джей-фета от мос-фета для практич. применения. на внутреннюю стр-ру не смотрю-сложновато для понимания. в чем принципиальные отличия?
например почему джейфет а не другой транзистор на приложенной схеме?
СПС

>http://en.wikipedia.org/wiki/JFET>
....Comparison with other transistors
JFET gate current (the reverse leakage of the gate-to-channel junction) is comparable to that of a MOSFET (which has insulating oxide between gate and channel), but much less than the base current of a bipolar junction transistor. The JFET has higher transconductance than the MOSFET and is therefore used in some low-noise, high input-impedance op-amps..
----------
transconductance - это усиление имеется в виду?

тут вероятно его применили потому-что не нужно задавать схему смещения, что при таких напряжениях было бы проблематично. он нормально открыт на средненький ток, небольшие изменения Uзи будут чуть приоткрывать и чуть призакрывать его

tc - это видимо 'крутизна' по нашему, от 'коэффициента усиления' отличается тем что сравнивает несравнимое - выходной ток к входному напряжению

джей-феты-они что всегда ´нормально открыты´? типа depletion ?

PCBWay - всего $5 за 10 печатных плат, первый заказ для новых клиентов БЕСПЛАТЕН

Сборка печатных плат от $30 + БЕСПЛАТНАЯ доставка по всему миру + трафарет

Онлайн просмотровщик Gerber-файлов от PCBWay + Услуги 3D печати

вот это я пока не понял.. читаю но не въезжаю.. transconductance а по-русски как этот термин называется?
ps: имхо: если ток это функция напряжения пусть даже нелинейная то в принципе можно то и сравнивать..но отличие от понятия усилене не вижу. и как понимать транскондукцию если например транзистор управляется независимым источником ЭДС?

Организация питания на основе надежных литиевых аккумуляторов EVE и микросхем азиатского производства

Качественное и безопасное устройство, работающее от аккумулятора, должно учитывать его физические и химические свойства, профили заряда и разряда, их изменение во времени и под влиянием различных условий, таких как температура и ток нагрузки. Мы расскажем о литий-ионных аккумуляторных батареях EVE и нескольких решениях от различных китайских компаний, рекомендуемых для разработок приложений с использованием этих АКБ. Представленные в статье китайские аналоги помогут заменить продукцию западных брендов с оптимизацией цены без потери качества.

Подробнее>>

если изменение напряжения на 1в меняет ток на 100ма это ослабление или усиление? зависит от сопротивления на стоке и напряжения питания. потому коэффициентом усиления сложно это назвать. я не 100% уверен что tc это 'крутизна', но скорее всего это так и есть, основная характеристика полевиков и ламп.

не все нормально открыты, есть обедненные и обогащенные, одни открыты другие закрыты, какие из них какие не помню, но нормально закрытые вроде по другому рисуются

Новый аккумулятор EVE серии PLM для GSM-трекеров, работающих в жёстких условиях (до -40°С)

Компания EVE выпустила новый аккумулятор серии PLM, сочетающий в себе высокую безопасность, длительный срок службы, широкий температурный диапазон и высокую токоотдачу даже при отрицательной температуре. Эти аккумуляторы поддерживают заряд при температуре от -40/-20°С (сниженным значением тока), безопасны (не воспламеняются и не взрываются) при механическом повреждении (протыкание и сдавливание), устойчивы к вибрации. Они могут применяться как для автотранспорта (трекеры, маячки, сигнализация), так и для промышленных устройств мониторинга, IoT-устройств.

Подробнее>>

...Transconductance is an expression of the performance of a bipolar transistor or field-effect transistor (FET). In general, the larger the transconductance figure for a device, the greater the gain(amplification) it is capable of delivering, when all other factors are held constant.... (C)

Нумлин, а в Google Translate сходить, а?

transconductance - крутизна, отношение малого приращения тока сток-исток к приращению напряжения затвор-исток, его вызвавшему, при постоянном напряжении сток-исток. Показывает, насколько резко транзистор реагирует на изменение напряжения затвор-исток.

А так... Отличия JFET от MOSFET:

1. У MOSFET более высокое входное сопротивление.
2. У JFET нет порогового напряжения затвор-исток.
3. MOSFET чувствительны к статике (хотя сейчас уже все равно, все приборы выпускаются с защитой; у меня еще ничего не получилось спалить статикой).
4. У JFET зачастую больше крутизна.
5. Ну и главное отличие - JFET работате в режиме обеднения, а MOSFET (с индуцированным каналом) - в режиме обогащения.

добавлю немного. ПРИНЦИПИАЛЬНОЕ отличие мосфета от джейфета - формирование затворной области. у мосфета между каналом и затвором - изолятор(обычно диоксид кремния) у джейфета - обратносмещенный p-n переход.

значит ли это что он в принципе от 0.000? вольт пахать будет?

Да, значит... В принципе он может работать без смещения.
При 0В у него не нулевой ток стока. Чтобы его запереть, нужно подать отрицательное напряжение на затвор относительно истока. Положительные напряжения допускаются, но не большие - не более 0,5В (а лучше поменьше), иначе откроется управляющий p-n переход.

Так что я намеренно рассматривал FET как "черный ящик".

Вот в этой статье работа полевых JFET-транзисторов проанализирована автором исключительно по графическому представлению т.н. "выходной характеристики" транзисторов десяти типов. Переводчик статьи имеет честь представить её на суд жаждущих знаний читателей...

дык JFET - это просто полевой транзистор с p-n-переходом, если говорить языком учебников?или это нечто инновационное и нанотехнологичное?

Похоже на то. Хотя они вроде как сильно умощнились, вот и стали *FET. Вобщем самого интересует этот вопрос.
PS: Так что получается: на одном транзисторе можно собрать вполне терпимый усилитель без дополнительных каскадов раскачки, а упрявлять, например, напрямую от плеера?

JFET/ПТУП - полевой транзистор с управляющим p-n переходом. Коротко - при увеличении обратного напряжения перехода ОПЗ перехода перекрывает канал.

MOSFET/ПТИЗ - полевой транзистор с изолированным затвором. При увеличении напряжения на затворе происходит инверсия типа проводимости полупроводника под ним, и образуется канал. Чем больше напряжение на затворе - тем шире канал. Полярность управляющего напряжения определяется типом используемых зарядоносителей (электроны/дырки).



Это можно сделать и на биполярнике. Кстати, биполярник по буржуйски - BJT, если кто не знал.

Криво выразился, не совсем то имел в виду. Начальное состояние у него вроде как "полуоткрыт", а значит не нужно никакое дополнительное смещение рабочей точки.

JFET не "полуоткрыт", а "готов открыться". А у MOSFET вообще пороговое напряжние есть.

Так что смещение все же нужно.

нет, обедненный именно открыт, чтоб закрыть нужно приложить усилие



http://www.skilldiagram.com/gl3-2.html

"Заметим, что ПТ с p-n - переходом - это всегда приборы обедненного типа", то есть это ко всем JFET относится

Согласен с rustot. Транзистор с P-N переходом, при нулевом напряжении затвор-исток не "полуоткрыт" и не "готов открыться", а "почти полностью открыт". Его можно открыть посильнее, при положительном (для N-канального) напряжении затвора, но тут нужно без фанатизма, чтобы не открыть P-N переход затвора.

Блин... Чего на меня нашло... Естесственно, JFET открыт.

Но факт остается фактом - он все равно не в рабочей точке...