Вот так можно не добавлять дополнительный источник питания.
Подскажите как всё таки можно было бы добавить источник питания туда? Без использования двуполярного питания.
Схема с двуполярным питанием делала то же самое.
Подскажите как можно легко вставлять подобные дополнительные постоянные источники питания в схему(как V4) нужного мне, стабильного напряжения, но чтобы не громоздить сильно.

В чём фишка этого усилителя? Не понимаю зачем громоздить из 4 х транзисторов и двухполярного питания то, что можно сделать из одного транзистора и однополярного питния. Это ведь эмиттерный повторитель простой класса А?
Очень понравилось взаимодействие транзисторов. Но не смог избавиться от постоянной составляющей. Может он и не расчитан на то чтоб убирали постаоянную составляющую.
Или это одна часть усилителя АВ?
Очень похоже на дифференциальный каскад, но нет входа для второго сигнала.


Добавлено after 1 hour 2 minutes 20 seconds:
А понял часть задумки. Это Шиклаи. Но всё равно почему бы не сделать Шиклаи из двух транзисторов и всё.

Похоже на комплиментарный дифф. усилитель, но второй части не хватает.

PCBWay - всего $5 за 10 печатных плат, первый заказ для новых клиентов БЕСПЛАТЕН

Сборка печатных плат от $30 + БЕСПЛАТНАЯ доставка по всему миру + трафарет

Онлайн просмотровщик Gerber-файлов от PCBWay + Услуги 3D печати

Может хотели подобное сделать, но не получилось.

Организация питания на основе надежных литиевых аккумуляторов EVE и микросхем азиатского производства

Качественное и безопасное устройство, работающее от аккумулятора, должно учитывать его физические и химические свойства, профили заряда и разряда, их изменение во времени и под влиянием различных условий, таких как температура и ток нагрузки. Мы расскажем о литий-ионных аккумуляторных батареях EVE и нескольких решениях от различных китайских компаний, рекомендуемых для разработок приложений с использованием этих АКБ. Представленные в статье китайские аналоги помогут заменить продукцию западных брендов с оптимизацией цены без потери качества.

Подробнее>>

Я тут чего-то недопонимяу, поэтому обращаюсь к помощи зала.
Читаю одну известную книгу уважаемого автора и вижу там схему УНЧ.

Как здесь обеспечивается правильное смещение Q6?
Текущая гипотеза такая: диф. каскад из-за действия ОС уравнивает потенциалы на своих входах. Тогда на коллекторе Q6 оказывается напряжение -Vbe, и Q6 вынужден пребывать в активном режиме. База Q6 подключена между двумя источниками тока, поэтому её потенциал не фиксирован и за счёт ОС устанавливается ровно таким, чтобы обнулить разность напряжений на входах диф. каскада. Если я увеличиваю R4 и R5, то в конце концов транзистор Q4 токового зеркала насыщается, зеркало больше не может регулировать напряжение на базе Q6 в сторону уменьшения, поэтому он тоже входит в насыщение.
Это правильное объяснение?

Новый аккумулятор EVE серии PLM для GSM-трекеров, работающих в жёстких условиях (до -40°С)

Компания EVE выпустила новый аккумулятор серии PLM, сочетающий в себе высокую безопасность, длительный срок службы, широкий температурный диапазон и высокую токоотдачу даже при отрицательной температуре. Эти аккумуляторы поддерживают заряд при температуре от -40/-20°С (сниженным значением тока), безопасны (не воспламеняются и не взрываются) при механическом повреждении (протыкание и сдавливание), устойчивы к вибрации. Они могут применяться как для автотранспорта (трекеры, маячки, сигнализация), так и для промышленных устройств мониторинга, IoT-устройств.

Подробнее>>

ООС устанавливает на базе Ку3 ноль (грубо говоря), т.к. на базе Ку2 ноль (почти).
Это означает, что на выходе установится тоже почти ноль.
На базе Ку6 будет 0-Vбэ.
Увеличивать Р4 и Р5 можно до тех пор, пока напряжение коллектор-эмиттер Ку4 не приблизится к нулю
и Ку4 выйдет из активного режима.
И после этого Ку6 не войдёт в насыщение, если напряжение на резисторе Р4 окажется недостаточно для этого.
А зачем это делать?

Да сам не знаю зачем. Любопытство кошку сгубило.

Всё же Q6 должен будет войти в насыщение. Напряжение на коллекторе Q4 составляет Vbe относительно минусовой шины питания. Как только увеличением резистора R4 транзистор Q4 загоняется в насыщение, то из левой схемы получается правая.

Транзистор Q4 из источника тока превратился в источник напряжения его насыщения (300мВ, допустим). Теперь напряжение Vbe транзиcтора Q6 больше не может регулироваться вниз и при дальнейшем увеличении R4 он тоже насыщается.

Теперь совсем идиотский вопрос (прошу не смеяться): получается, что даже идеально отбалансированный ОУ (voltage-feedback opamp) не способен работать без обратной связи по постоянному току? Ведь каскад VAS (Q6, Q7) - это два последовательно включенных источника тока, но только ОС может установить правильный потенциал на базе Q6, чтобы пропуститить через него весь ток Q7. Иначе они будут перетягивать одеяло между собой и один из них в конечном счёте окажется в насыщении.

Однако!

Напряжение на базе Ку6 очень легко регулируется "вниз" - при уменьшении тока коллектора Ку2 уменьшится напряжение на Р4.
Бесцельное увеличение сопротивлений почему-то напоминает мне ковыряние гвоздём в розетке, что получится?

Тут бы задуматься: что есть балансировка? А это и есть установление нуля на выходе без помощи ООС.
Если температура всех элементов усилителя и напряжение питания стабильны, то балансировка от времени не нарушится.
Если есть ещё и входное напряжение, то, конечно, дело сильно осложняется

Ещё не хватало цитировать дурака экспресса.
Надо же себе хотя бы предполагать механизм этого "перетягивания".
Предположи.

Это понятно. Речь о влиянии величины сопротивлений R4,R5 при прочих неизменных условиях. Вот картинка из симулятора для этой схемы (напряжение питания ±12В, суммарный ток покоя диф.каскада 3 мА).

Шкала по горизонтали - сопротивление R4 и R5 в омах.
Синий график - напряжение КЭ транзистора Q4 токового зеркала. Видно, что он входит в насыщение.
Красный и зеленый графики - напряжения КЭ транзисторов Q6 и Q7 каскада VAS. До момента насыщения токового зеркала они примерно равны (отличаются на Vbe), то есть оба транзистора находятся в активном режиме, а обратная связь стабилизирует ток через Q6. Но дальнейшее увеличение R4 вводит Q6 в насыщение.

Уточню, что под идеальной балансировкой я подразумевал гипотетическую ситуацию, когда транзисторы диф.каскада попарно идентичны и имеют бесконечную бету.

Ну это можно. Транзистор в активном режиме со стороны своего коллектора выглядит как источник тока.

Тогда два транзистора, включенные коллекторами друг к другу - как два источника тока, но их можно разбить на три, как показано на картинке. Далее, воспользовавшись свойством source-shifting transformation (русский перевод мне неизвестен), можно разорвать цепь в месте, обозначенном "X".
Теперь источник разностного тока подвешен в воздухе и создает бесконечное напряжение. В реальности оно, конечно, будет конечным из-за подключенных цепей и по-любому не может быть больше напряжения питания. То есть, если Q6 открыт меньше чем нужно, то в насыщении находится Q7, а если больше чем нужно, то насыщается Q6.

И вовсе даже не бесцельное, а скрупулёзное уточнение границ возможного.

И что с того?


Да мало ли кто что подразумевает, надо взять книжку и выучить наизусть, что такое балансировка. Тогда будет возможен разговор по теме.


Так разговор не получится. Ты говоришь, что попало, не задумываясь о смысле сказанного.
Механизм (или суть физического явления, как больше нравится), это связь причины со следствием.
Где в твоих "рассуждениях" причина? И с каким следствием ты пытаешься её связать?
Смотри, как надо.
Задаю условия: питание двухполярное, напряжения питания неизменны, температура всех элементов схемы постоянна, схема настроена таким образом, что напряжение на выходе - ноль.
Следовательно причин для изменения режима схемы нет и на выходе всегда ноль.

И так для любых условий, а не эта квазинаучная ахинея с крутыми иностранными терминами, которых ты и смысла не знаешь.

!!!!! единичным коеффициентом передачи !!!!

таким образом увеличение/изменение только R4 или R5 нарушает всю работу усилителя. Чрезмернор увеличение ….. - додумайтесь сами

И т.д. и т.п.

цитата из "Аналоговые интегральные схемы. Операционные усилители и аналоговые перемножители Херпи М."

diplodok, везде выше резисторы R4 и R5 были одинаковы. Прошу прошения, если это где-то было не очевидно.

Ну можно в эмиттер Q6 добавить диод и продолжать увеличивать сопротивления. До того насыщение токового зеркала происходило на 430 омах, а с диодом - целых 860 ом.

Смысл знаю, перевод - нет. Можете подсказать?

Я до Вас пытаюсь в аллегорической форме донести тот простой факт, что все явления имеют свои пределы. Не вижу ничего плохого в абстрактном интересе к тому, где именно они находятся и что за ними происходит. Хотя бы лишь для того, чтобы случайно не выйти за них на практике. А Вы всё стараетесь какой-то умысел найти. Зачем?

?????????

А можно тысячу диодов поставить и сопротивление целых 900 килоом.


Смысл - это и есть перевод. Ибо бессмысленный перевод, это не перевод.


Да ты просто открыл мне глаза. Спасибо, капитан очевидность.

Тогда и я донесу, в аллегорической форме:
не вижу ничего плохого в чьём-нибудь абстрактном интересе к установлению прочностного предела своей головы и особенно, что за ним происходит.


На практике за них выйти невозможно, поскольку практика, это не безумное тыканье гвоздём в розетку, а целенаправленные действия.
Если есть интерес, могу объяснить смысл этого резистора и принцип выбора его сопротивления.


Я хочу найти признаки твоей адекватности, иначе продолжать нет смысла.

diplodok, что именно Вас смущает? Оба резистора R4 и R5 варьировались синхронно от 10 до 500 ом. При этом измерялось напряжение КЭ транзистора Q4. Максимальное напряжение на коллекторе Q4 ограничено Vbe сверху из-за подключенного к нему транзистора Q6. Ну или 2Vbe, если вместо него стоит дарлингтон. Транзистор Q5 в другом плече зеркала работает в диодном включении и насыщаться не может. Но к нему ничего и не подключено.

12943, ну совсем в блин раскатали, да ещё пригвоздили напоследок. Тысячу диодов здесь совершенно не нужно!

У этих резисторов два предназначения:

- уменьшить влияние разброса Vbe транзисторов токового зеркала.
Д.Сэлф считает, что для этого достаточно 30-60 мВ падения напряжения на резисторах, ХиХ советуют несколько сотен мВ.

- уменьшить шумы токового зеркала.
Теория расписана здесь: Alberto Bilotti:Noise Characteristics of Current Mirror Sinks/Sources,IEEE J. Solid-State Circuits, vol. SC-10, no. 6, pp. 516–524, December 1975.
Грубый вывод такой: желательно, чтобы отношение RE/re было больше десяти, но бессмысленно делать его больше нескольких десятков. Тогда для 1.5 мА тока плеча зеркала сопротивление стоит делать от 170 ом и выше, но меньше одного килоома, иначе дарлингтон в каскаде VAS будет насыщаться.

Я ничуть не сомневаюсь, что Вам есть что к этому добавить.

Таким образом, бессмысленный перевод - это не смысл. А что, очень даже логично. Но, увы, совершенно бесполезно.

Закон Ома.

U = R*I = 500*0.0015 = 0,75V

Только на резисторах R4, R5. . ….

А там подключена и база Q6. Странно, Вы еще не добрались до отрицателного напр. насыщения. Время есть. Ждем

А я о чём толкую?
Пересмотрите ещё раз картинку DC Analysis из симулятора несколькими сообщениями выше. Время есть. Ждём.

Для начала надо определиться с назначением усилителя. Если речь шла про Дугласа вашего Сэлфа, то предполагаю усилитель звуковой частоты.
Поскольку ни ХиХ, ни Сэлф приличный УНЧ спроектировать не в состоянии, учиться нужно в другом месте.
Нам повезло, все, без исключения, разработчики самых лучших усилителей - русские, поэтому перевод не понадобится:
https://rcl-electro.ru/forums/%D0%A3%D1 ... %D0%B8.33/
По поводу пресловутых резисторов: есть симулятор и есть голова, голова подскажет, как решить проблему "разброса Vбэ" - одна партия+подбор или согласованная пара;
симулятор покажет уровень шума и зависимость его от сопротивлений резисторов и тока дифкаскада;
по итогу окажется, что проблема надумана в связи с отсутствием попыток её решить.

Надо не толковать, а принять такое сопротивление, при котором напряжение на коллекторе транзистора в зеркале будет не меньше напряжения на базе, лучше чуть больше.

Доброго времени суток, помогите разобраться в схеме. Нужно выставить ток покоя на усилителе, но вот боюсь ошибиться и лишнего накрутить, знаю что нужно 18мА.
на схеме стрелками отметил то место где думаю что нужно мерить напряжение, и кружком то место каким резистором регулировать. Прошу подсказать знающих людей, не ошибаюсь ли я.

Всем спасибо, благодарю за помощь...