Нет, это называется "читать не хочу и не буду, но меня фиг переубедишь".
Читаем по ссылке, приведенной мной выше в самом конце раздела 5.6:

Книжка хоть и старая, но весьма интересная и до сих пор актуальная.

господа ЮНЫЕ КОНСТРУКТОРЫ ЗВУКОТЕХНИКИ запомните и другим пионэрам скажите- 1каскад ОБЯЗАТЕЛНО ДОЛЖЕН БЫТЬ ОХВАЧЕН ОБШЕЙ ЧАСТОТОЗАВИСИМОЙ ООС!!!!! ит неважно состоит он из 1транза или 5 впаралель
паралелить оу ....ну посмешили вы меня катятки...чуть не описался

А зачем нужно первый каскад, работающий с сигналом в единицы-десятки милливольт, использовать с какими-то цепями обратной связи? Если говорить о усилителе, схему которого я привёл на предыдущей странице, так у него уровень гармоник сравним с достижимым в усилителе с лучшими ОУ, а по уровню интермодуляции он будет даже лучше, ведь амплитуда сигнала на входе ничтожна, при таких уровнях усилитель на полевом транзисторе можно считать линейным... Опять же, благодаря использованному схемному решению, подбор транзисторов не нужен, режимы каскада не зависят (почти... ) от разброса параметров транзисторов... Чего ещё нужно?! Ах, АЧХ, возможно, потребует подстройки? Так это естественно, всё равно головка тоже имеет разброс...

PCBWay - всего $5 за 10 печатных плат, первый заказ для новых клиентов БЕСПЛАТЕН

Сборка печатных плат от $30 + БЕСПЛАТНАЯ доставка по всему миру + трафарет

Онлайн просмотровщик Gerber-файлов от PCBWay + Услуги 3D печати

ну если мозгами пораскинете думаю поймете..а если это даже тогда не станет очевидным значить разработки не для ВАС...

Организация питания на основе надежных литиевых аккумуляторов EVE и микросхем азиатского производства

Качественное и безопасное устройство, работающее от аккумулятора, должно учитывать его физические и химические свойства, профили заряда и разряда, их изменение во времени и под влиянием различных условий, таких как температура и ток нагрузки. Мы расскажем о литий-ионных аккумуляторных батареях EVE и нескольких решениях от различных китайских компаний, рекомендуемых для разработок приложений с использованием этих АКБ. Представленные в статье китайские аналоги помогут заменить продукцию западных брендов с оптимизацией цены без потери качества.

Подробнее>>

Не знаю, как там дело обстоит с РАЗРАБОТКАМИ, а конкретный усилитель оказался много лучше, чем усилитель, применённый, к примеру, в магнитофоне "Олимп-005"... Может быть, его ПАРАМЕТРЫ и не лучше - но по звуку он уверенно лучше! (видимо, сказывается резкий рост уровня интермодуляционных искажений усилителя, охваченного цепью ООС на верхнем краю воспроизводимого диапазона частот...)

Новый аккумулятор EVE серии PLM для GSM-трекеров, работающих в жёстких условиях (до -40°С)

Компания EVE выпустила новый аккумулятор серии PLM, сочетающий в себе высокую безопасность, длительный срок службы, широкий температурный диапазон и высокую токоотдачу даже при отрицательной температуре. Эти аккумуляторы поддерживают заряд при температуре от -40/-20°С (сниженным значением тока), безопасны (не воспламеняются и не взрываются) при механическом повреждении (протыкание и сдавливание), устойчивы к вибрации. Они могут применяться как для автотранспорта (трекеры, маячки, сигнализация), так и для промышленных устройств мониторинга, IoT-устройств.

Подробнее>>

кстати наоборот....

Кстати - никак не наоборот! Дело в том, что у моего усилителя коррекция АЧХ осуществляется изменением коэффициента усиления, что означает снижение усиления на ВЧ... Т.к. АЧХ линейна - практически равномерна и зависимость уровня гармоник от частоты... Уровень же интермодуляции значительно ниже, чем у усилителя с глубокой ООС (и это, в общем, естественно... ). Впрочем, никого не уговариваю, не нравится - слушайте свою К157УЛ1, она со всеми необходимыми обратными связями и по звуку даже лучше, чем МП39Б, возможно, даже в два раза...

очень страные у вас выводы(в конте неверные)...они былиб верны еслиб...полоса пропускания усилителя без ООС былаб уже 20кгц...но это не так... кроме того изза падения усиления исходного усилка на вч глубина ООС такде не намного болше даже с учетом стандартной ВАХ УВ
уговаривать не придется а 157ул1 кстати намного лучше УВ чем в многих гавно магнитофонах на расыпухе...

У пятого Олимпа УВ на К157УЛ1, у четвёртого - "на рассыпухе"... Угадайте, какой лучше звучит?
В стандартной схеме включения К157УЛ1 не обеспечивает хорошего качества, хотя, если помудрить с нестандартным включением, можно заметно улучшить работу микросхемы...

не вчстречал 5 либа но сути это не меняет... решение с включением головы в цепь ООС по Пт довно извесно....как и решение с подачей 2 отрицателного питания... но уся в 3 либе был кстати не плох хотя и был гибридный скажпсибо транзюкам 3107ж-лужим в мире

Посмотрите статьи Агеева из Радио 12/2004, 1-3 2005г. и Сухова в Радиоежегоднике 1986г - файл в приложении. Там основные размышления по поводу УВ. Остальное уже обсуждалось. Вполне достаточно хорошего малошумящего специализированного ОУ на входе. Основная проблема будет - шум размагниченной ленты и симметрия напряжения генератора подмагничивания при записи, а также оптимизатор тока подмагничивания. Эти вопросы рассмотрены в старой литературе и озвучены выше. Вопросы построения усилителя записи и коммутации цепей универсальной магнитной головки ЗВ также важны. Механические контакты имеют контактные шумы при микротоках ( минимальный ток коммутации), поэтому в современных системах их заменили на электронные коммутаторы на БТ или ПТ. Очень важна грамотная компоновка печатной платы и монтаж цепей, иначе соберете все наводки - от двигателя, радиостанций, ГСП и пр.

..во-первых, причем тут мощность, а во-вторых бред - с точки зрения минимизации шума лучшим из канальных полевиков будет тот, у которого больше соотношение начального тока стока к напряжению отсечки, и КПС104 тут совсем не айс - ну да, на тот момент, может, лучше ничего и не было, сейчас - полный отстой, во вторых при запараллеливании полевиков уровень шума снижается так же, как и у биполяров - в корень из N, где N - количество параллельно включенных структур, т.е ни о каких "3 дБ" и речи даже идти не может, во вторых, у биполяров это связано со снижением общего сопротивления базы, отсюда и вытекает и общее снижение как тепловых (ф-ла Найквиста), так и дробовых (ф-ла Шоттки) шумов...шумовой ток, приведенный ко входу (базе) в этом случае рассчитывается как частное от выходного шума к крутизне передаточной характеристики транзистора... шумовые же характеристики полевика с p-n переходом определяются тепловыми шумами канала и крутизной в рабочей точке, дробовыми шумами можно пренебречь в связи с малыми токами утечки канала, только и всего..но зависимость та же - корень из параллельного числа включенных структур..
Николай_С, иди учить матчасть - ты даешь ссылки на то, что не уложил еще в своей голове..

..кусок схемы, цельнотянутой из журнала Радио...

..не обязательно..

..не борзей, туда же - учить матчасть...

..спорный вопрос..

..входной транзистор УЛ1 смонтирован на отдельной подложке, с минимальным объемным сопротивлением цепи базы и т.д и т.п..и до сих пор с точки зрения приведенных ко входу шумов за такие копейки лучше трудно что найти...срет там выход...если на ней собрать линейный нормирующий усилитель с небольшим Ку (10..15) и принять меры, для исключения электролита на входе (т.е убрать 1/f) и не заводить ПОС по току для подстройки входного контура, то получится ого-го... ...и, кстати, попытки уже были, в каком-то радиве за 86..88года...тока добротность входного контура из-за маловатого входного сопротивления получается незначительной, плоскую АЧХ СК иной раз бывает трудно получить..

Ну вот, взял и отправил "всех в сад", нет бы объяснить что недогоняю...
Давайте конкретно по книжечке глава 5.6 что там не так?

Схема каскада - да, копия, один в один - отличие принципиальное, в способе формирования АЧХ. Схема в Радио была с частотнозависимой ООС, мой вариант - с частотнозависимым сопротивлением нагрузки первого каскада и соответствующим формированием АЧХ, изменением коэффициента усиления без использования каких-либо цепей обратной связи! Странно было этого не заметить...

..ну давай...читай, потом расскажешь своими словами как понял... ..потому и отправил ТУДА (или не туда)... читать все заново - ссылками на источники сыпешь, а своих мыслей я не вижу...


..вот ваша схема..



..вот прототип...



..скорее всего, у вас имеется частотозависимый входной импеданс - это можно посмотреть в микрокапе по эпюру на резисторе в несколько килоом, включенному последовательно со входом - в вашем случае входное сопротивление должно уменьшаться с ростом частоты..что зело не есть гуд...если это так, то вы сделали лажу..смотрите сами, мне лень...

p/s...не надо заниматься творческим онанизмом и потеть при этом, рождая на свет "устройства без общей ООС", это ни к чему хорошему не приведет, поскольку потребует повышенной исходной линейности девайса, к тому же ООС ну никак не влияет на уровень шумов..

Чтобы пользоваться теорией относительности совсем не обязательно её открывать заново. Достаточно просто прочитать и понять.
Я не считаю себя крупнейшим специалистом в области структур полупроводников и методов снижения шума, поэтому пользуюсь "умными книжками". Что касается практического опыта усилителестроения - не вижу смысла его приобретать, т.к. технология уже ушедшая и больше не вернется никогда. Однако, Вегу хочется сделать нормальную, по этой причине и создал тему.
Так чего я не понимаю в методах матанализа рекомбинации носителей заряда в МДП-структурах?
На сколько я понял, математические выражения, описывающие коэффициент шума в схемах параллельно включенных биполярных и полевых транзисторах одинаковые. Разве нет?

... ...а вот с этого места поподробнее:
1)какой процесс называют рекомбинацией носителей..
...а)есть ли разница между активностью явления в типах проводимости структур

..после ответа на эти вопросы придет ответ на твой...


..опять таки, найдешь ответ на свой первый вопрос, придет понимание..но я сразу скажу, чтобы не мучился - нет...читай мой пост выше - не хочешь читать - не читай, тебе надо, не мне...у нас демократия кругом - не хочешь думать, хочешь попугайничать - пажалста...

..ну, а нащет темы - тут у каждого свой интерес...не лезь в дебри - чем проще, тем лучше...я так понял, настроить-то ты один пес ничего не сможешь, поэтому чем меньше крутилок будет у тебя перед глазами, тем проще тебе будет свыкнутся с мыслью, что лучше тебе (да не важно, кому) уже не сделать..

p/s...вот относительно правильный подход к проектированию простого и несложного УВ



..здесь цепи коррекции включены между линейными усилителями, что как нельзя лучше соответствует концепции минимизации шумов, в общем, она даже в какой-то степени коррелирует с вегой, за исключением элементной базы - первым я поставил бы LT1115 с его 0,8нВ/Гц, вторым можно тоже его, хотя уже и не так принципиально. Двухполярное питание и современная ЭБ существенно упростит дивайс - уйдут электролиты с инв. входов, единственно, что надо будет добавить - это резисторы, контролирующие утечку по неинв. входам > 100кОм во второй касад, и столько же в первый - им придется регулировать добротность контура МГ-УВ по плоской АЧХ СК...может, кому-то может показаться, что это морально устаревшая и не технологичная операция, однако, тут есть нюанс - амплитуда сигнала в резонансе на параллельном контуре растет быстрее, чем ЭДС шума, таким образом, туту еще выигрываем до 3дБ на ВЧ - увы, при всех современных понтах альтернативы ему не существует..

Рекомбинация — исчезновение пары свободных носителей противоположного заряда в среде с выделением энергии. Принципиальной разницы в какой структуре она происходит нет.
Так что я упустил? В чем разница?

Обижаете. Я - радиоинженер с тридцатилетним стажем в профессии, имею все необходимые приборы, "крутилок" не боюсь. А вот схему на древней 548УН1 предлагать не надо, я на ней еще в школе радиоприёмники прямого преобразования собирал.

..ну раз так, то должен знать, что в канальных транзисторах отсутствуют явления инжекции, а избыточные шумы, связанные с поверхностной рекомбинацией в канальных транзисторах на несколько порядков ниже дробовых в биполярных, ими обычно просто пренебрегают..

..а мы читать умеем, инженер, или будем дальше продолжать тупить..?...читаем ВЫШЕ ПОСТ о том, что туда поставить и как изменить схему...и о самой схемотехнике, как о явлении...

Ну да, это я знаю.
Вот и получается, что у полевых транзисторов уровень шумов меньше чем у биполярных. Но вы так и не ответили на первоначальный вопрос: почему же параллельное соединение полевых транзисторов (ОУ на полевиках) не дает снижения шума?
Т.к. я уже радиоинженер старенький, то не успеваю за ходом ваших мыслей. Не прыгайте с темы на тему, выражайте мысль более точно, отвечайте на поставленные вопросы и тогда вас поймут.
А про особенности схемотехники и цепей коррекции мы можем поговорить позже.