..а вот это может быть - я його просто подрисовал уже к готовому...тока на Фурье по-быстрому глянул...

..ну дык и поделись моделькой, пока я тока кофе пью...а то к вечеру будет уже коньяк и совсем другие эмм...модели...

ставь токовое зеркало и эмиттерные резисторы в диффкаскад и ничего не нужно будет выравнивать, а ЭП имхо выкинуть надо и поставить мосфет типа BS170,ZVN3306 или ZVP3306 в зависимости от полярности или даже биполяр оставить как есть ,но с большой бэттой ,например 2sc5707
ssc,ты прям как Черчилль))))а сигару куришь?

Vilsi, я свой вариант развития событий выложу - сравним потом с твоим..

p/s по поводу токового зеркала - да, однозначно должно быть лучше - ща прикручу к модели, гляну...

PCBWay - всего $5 за 10 печатных плат, первый заказ для новых клиентов БЕСПЛАТЕН

Сборка печатных плат от $30 + БЕСПЛАТНАЯ доставка по всему миру + трафарет

Онлайн просмотровщик Gerber-файлов от PCBWay + Услуги 3D печати

Ну дык, я о чем? Я всегда отмечал, что при добавлении ЭП перед вторым каскадом довольно сильно увеличивается петлевое усиление, запас по которому можно конвертировать в более высокий первый полюс и как следствие меньший уровень гармоник высокого порядка. А при соответствующем подходе к коррекции и скорость нарастания получить за 100 В/мкс. Я таковые фокусы проделывал. Даже с КТ818 КТ819 скорость 100 В/мкс достигается легко и непринужденно. А с КТ805 разгонял до 200 В/мкс.

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Обязательным условием долгой и стабильной работы Li-FePO4-аккумуляторов, в том числе и производства EVE Energy, является применение специализированных BMS-микросхем. Литий-железофосфатные АКБ отличаются такими характеристиками, как высокая многократность циклов заряда-разряда, безопасность, возможность быстрой зарядки, устойчивость к буферному режиму работы и приемлемая стоимость. Но для этих АКБ очень важен контроль процесса заряда и разряда для избегания воздействия внешнего зарядного напряжения после достижения 100% заряда. Инженеры КОМПЭЛ подготовили список таких решений от разных производителей.

Подробнее>>

..шьйорт побьери, ну вот никак не получаетцо конвертировать с ходу... ...ну да ладно, господа коты - коньяк стынет...попозжее сконвертируем...

Новый аккумулятор EVE серии PLM для GSM-трекеров, работающих в жёстких условиях (до -40°С)

Компания EVE выпустила новый аккумулятор серии PLM, сочетающий в себе высокую безопасность, длительный срок службы, широкий температурный диапазон и высокую токоотдачу даже при отрицательной температуре. Эти аккумуляторы поддерживают заряд при температуре от -40/-20°С (сниженным значением тока), безопасны (не воспламеняются и не взрываются) при механическом повреждении (протыкание и сдавливание), устойчивы к вибрации. Они могут применяться как для автотранспорта (трекеры, маячки, сигнализация), так и для промышленных устройств мониторинга, IoT-устройств.

Подробнее>>

да с рефлектором оно, собсно, прозрачно. к-т усиления усилителя растет в бэта раз транзистора ЭП. но из-за резистора в эмиттере несколько снижается и становится где-нито раз в 30 (30 дБ). соответственно к-т усиления усилителя прыгает со 100 дБ в 130 дБ. ООС отрабатывает этот запас по усилению и снижает к-т гармоник на те же 30 дБ.
плюс: снижается входная ёмкость УН. поэтому полоса частот ДК обычно расширяется, причём, может весьма существенно, больше 100 кГц, но это зависит от применённого транзистора.
побочный эффект - вылезают верхние полюса, и усилок становится неустойчивым. но с этим можно успешно бороться. в частности, теми самыми резисторами в эмиттерах ДК.
могу предложить попользоваться

Установка ЭП при ДК с резистивной нагрузкой не имеет никакого смысла. Входное сопротивление каскада ОЭ (или каскода в составе УН ) составляет при токе УН 10 мА и Н21 транзистора около 300, при эмиттерном резисторе УН 22 Ом - упрощенно ( 26мВ/10мА+22 Ом)*300= 7380 Ом. При резисторе нагрузки ДК 800 Ом-1 кОм шунтирование незначительное. Т.е. нагрузка по переменному току ДК практически не изменится. Если же в нагрузке ДК генератор тока- токовое зеркало, у которого Rдин= 40-80 кОм, то шунтирование токового зеркала ( генератор тока) по переменному току будет значительным. При этом, даже без ЭП в УН, первый каскад- ДК- будет для второго (УН) генератором тока , что более линейно для входной экспоненциальной характеристики транзистора, чем генератор напряжения. При этом, первый полюс за счет шунтирования не опускается слишком низко. Существующий перекос дифкаскада за счет ответвления тока во второй каскад легко пересчитывается через баланс токов ДК ( или изменить резистор нагрузки ДК , или увеличить ток ДК)- обычный "Закон Ома". При этом, с увеличением тока ДК увеличивается крутизна каскада, что потребует пересчета коррекции ( например, Миллера во втором каскаде). Введение резисторов в эмиттеры ДК напротив снижает крутизну ДК - дерейтинг каскада, что можно компенсировать увеличением тока каскада, для сохранения частоты первого полюса. В книгах это есть, останавливаться на этом не буду. Установка ЭП перед УН позволяет уменьшить шунтирование генератора тока ДК и , как следствие, значительно увеличить эквивалентное сопротивление нагрузки ДК и , соответственно его усиление, причем, в разы. Это увеличивает общий Ку всего усилителя и позволяет получить большую глубину ООС, значит уменьшить искажения усилителя. Также за счет ЭП уменьшается ответвляемый от ДК ток за счет входного тока второго каскада. Но при этом сильно падает первый полюс за счет высокого входного сопротивления ЭП при некотором уменьшении его входной емкости по сравнению с каскадом УН по схеме ОЭ. Так же падает скорость нарастания пвторого каскада, за счет меньших токов для перезаряда емкостей переходов и добавление ЭП - добавление еще одного каскада в усилитель, что следует учитывать при коррекции устойчивости. Все это расписано у Селфа и Корделла. Читайте и будет Вам счастье.

пардон. не очень понятно: почему происходит падение токов для перезаряда. имхо токи для перезаряда никак не меняются. если, конечно, не меняется режим дифкаскада. даже наоборот, увеличиваются за счёт уменьшения базового тока.

Если у ЭП ток около 1мА, что обычно, то скорость может упасть ( перезаряд входной емкости транзистора УН по схеме ОЭ ) . Чтобы этого не происходило, нужно разгонять ток эмиттера у ЭП до 3-4 мА. Это резистор в цепи эмиттера ЭП около 300-500 Ом. Тогда входное сопротивление ЭП также упадет и увеличится ток шунтирования ДК. Т.е. происходит обмен скорости на входное сопротивление. Это видно на модели. Т.е. транзистор ЭП должен иметь высокий h21 и малые емкости переходов при токе каскада 3-4 мА.

опять не понял: какую ёмкость мы перезаряжаем. если ёмкость коррекции, то перезаряд идёт вообще мимо транзисторов УН. и скорость считается совершенно элементарно: V=2I/C. I - это рабочий ток одного из транзисторов дифкаскада.
если речь идёт о переходах транзисторов, то без ЭП коллекторный переход УН подключён параллельно ёмкости коррекции и собственно является её частью. с ЭП коллекторный переход УН обладает ёмкостью ну в 10 пФ. тот же 1 мА для перезаряда такой ёмкости даже не заметит. ну это 100 В/мкс. куда больше?

Мне тоже никак не понятно. Я наблюдал прямо противоположные явления. При добавлении повторителя между выходом первого каскада и входом второго каскада довольно сильно расширяется площадь усиления.

У транзистора УН по схеме ОЭ после ЭП перезаряжается емкость Миллера, которая очень большая - 10 пФ* 1000 (Ку УН) . Поэтому здесь и нужен ток. Лучше, если УН еще дополнительно -каскод. Тогда проще. Площадь усиления увеличится за счет роста Ку. Вопрос к устойчивости - запасу по усилению и по фазе, т.к. полюса поднимутся по усилению. Нельзя просто поднять усиление, не подвинув основные полюса АФЧХ, которые определяют устойчивость усилителя с замкнутой ООС. Введение же дополнительной частотной коррекции для получения устойчивости и необходимого запаса по усилению и по фазе приведет все к исходному.
Есть еще один нюанс. ЭП нагружен на УН по схеме с ОЭ cо значительной входной емкостью Миллера. В литературе показано, что ЭП , нагруженный на емкостное сопротивление, имеет специфическое входное сопротивление - в сторону индуктивного - пример Гиратор. Что может сказываться в нагрузке ДК и фазовой характеристике. Часто приводит к резонансным подъемам АЧХ и вращению фазы. Что требует более сложной коррекции при неудачном сочетании параметров.

Миллер тут ни при чём. ток перезаряда определяется разностью потенциалов между двумя обкладками конденсатора. только и всего.
вот здесь действительно надо учитывать Миллера. но в данном случае эта ёмкость просто шунтирует эмиттерный резистор. даже если входное сопротивление приобретает индуктивный характер - это такая мелочь

Чтобы к исходному не пришло, нужно уменьшить крутизну первого каскада, в эмиттеры резисторы, или применить JFET. Немного пожертвуем усилением, а взамен получаем повышенный предел по перегрузке первого каскада и заодно полюса подальше друга от друга разведем.

Так и поступают. Снижают резисторами крутизну первого каскада -ДК. Это позволяет снизить емкость коррекции Миллера во втором каскаде. В результате при том же токе ДК меньше емкость перезаряда, т.е. выше скорость нарастания. Все это есть в книге. Посмотрите того же Данилова по прецизионным усилителям. Это пересказ Селфа по-русски.

Не все, однако, Сельфа читали.

ну что, с ЭП, кажется, разобрались. эффект есть и, будем считать, положительный.
а что с каскодом?

Каскод тоже пользу приносит.

угу. а сколько?

Я почему то предпочитаю повторитель.