Добрый день, уважаемые коллеги.
Назрел такой вопрос: можно ли подключить к одному модулю FSMC STM32 разные типы памяти? Мне нужно подключить SRAM + NAND Flash + LCD ILI9325.
Имея 144-выводной корпус, где 4 ChipSelect-а, думаю, можно. Но, когда захожу в MicroXplorer от ST, там предлагается один из 4 режимов работы FSMC:
1) FSMC_CF
2) FSMC_CF_IDE
3) FSMC_NOR_RAM
4) FSMC_NOR_MUX
5) FSMC_NAND16,
при этом, выбирая один из режимов, остальные режимы становятся недоступными. А зачем тогда нам 4 ChipSelect-а?

Планируется подключить NAND Flash K9F2G08U0B (2GB), какую-нибудь FRAM (еще не определился) и LCD на ILI9325.
Благодарю за внимание!

У STM32 один FSMC, и работать он может только в одном режиме. 4 чипселекта нужны для того, чтоб подключить 4 устройства одного типа, например 4 микросхемы FLASH.
Теоретически, можно подключить и разные устройства, а потом переключать режимы FSMC программно. Надо пробовать, тк неизвестно - как себя поведут подключенные устройства в момент переключения режима работы?

В общем, я так понял, можно, главное программно рулить режимом работы. В схемах отладочных плат так и сделано.

PCBWay - всего $5 за 10 печатных плат, первый заказ для новых клиентов БЕСПЛАТЕН

Сборка печатных плат от $30 + БЕСПЛАТНАЯ доставка по всему миру + трафарет

Онлайн просмотровщик Gerber-файлов от PCBWay + Услуги 3D печати

Не вводите человека в заблуждение. FSMC у STM действительно один, но имеет 4 банка, каждый из которых конфигурируется отдельно. Это дает возможность использовать все 4 типа устройств одновременно без никаких программных переопределений назначения FSMC. Вот, пример того, как конфигурируется FSMC с помощью StdPeriphDriver-а. Это получится, что банк 1 будет асоциироваться с четвертым cs-ом, на котором будет висеть NOR SRAM. Соответственно, чтобы сконфигурировать другой банк FSMC, нужно повторить процедуру с другим значением FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_Bank. В конце надо не забыть включить выбранный банк.

Спойлер

Код:

        FSMC_NORSRAMTimingInitTypeDef  p;
   FSMC_NORSRAMInitTypeDef  FSMC_NORSRAMInitStructure;

        p.FSMC_AddressSetupTime = 2;   
   p.FSMC_AddressHoldTime = 1;   
   p.FSMC_DataSetupTime = 2;      
   p.FSMC_BusTurnAroundDuration = 1;   
   p.FSMC_CLKDivision = 0;
   p.FSMC_DataLatency = 0;
   p.FSMC_AccessMode = FSMC_AccessMode_A;

        FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_Bank = FSMC_Bank1_NORSRAM4;                              //Вот тут мы выбираем конфигурируемый банк и сразу же тип устройства, который к нему присоединен и номер cs. Предопределенные константы можно посмотреть в файле stm32fxxx_fsmc.h, там же можно найти и другие полезные функции.
   FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_DataAddressMux = FSMC_DataAddressMux_Disable;
   FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_MemoryType = FSMC_MemoryType_NOR;   
   FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_MemoryDataWidth = FSMC_MemoryDataWidth_16b;
   FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_BurstAccessMode = FSMC_BurstAccessMode_Disable;
   FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_AsynchronousWait = FSMC_AsynchronousWait_Disable;
   FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignalPolarity = FSMC_WaitSignalPolarity_High;
   FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WrapMode = FSMC_WrapMode_Disable;
   FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignalActive = FSMC_WaitSignalActive_BeforeWaitState;
   FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteOperation = FSMC_WriteOperation_Enable;
   FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignal = FSMC_WaitSignal_Disable;
   FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_ExtendedMode = FSMC_ExtendedMode_Enable;
   FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteBurst = FSMC_WriteBurst_Disable;
   FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_ReadWriteTimingStruct = &p;
   FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteTimingStruct = &p;
   
   FSMC_NORSRAMInit(&FSMC_NORSRAMInitStructure); 
   /* BANK 4 (of NOR/SRAM Bank 1~4) is enabled */
   FSMC_NORSRAMCmd(FSMC_Bank1_NORSRAM4, ENABLE);

Организация питания на основе надежных литиевых аккумуляторов EVE и микросхем азиатского производства

Качественное и безопасное устройство, работающее от аккумулятора, должно учитывать его физические и химические свойства, профили заряда и разряда, их изменение во времени и под влиянием различных условий, таких как температура и ток нагрузки. Мы расскажем о литий-ионных аккумуляторных батареях EVE и нескольких решениях от различных китайских компаний, рекомендуемых для разработок приложений с использованием этих АКБ. Представленные в статье китайские аналоги помогут заменить продукцию западных брендов с оптимизацией цены без потери качества.

Подробнее>>

РадиоЛоматель, благодарю за помощь!
Не совсем понятен следующий момент. Всего банка 4. Каждый банк - свой тип памяти и доступ к каждому банку осуществляется соответствующим CS. А что за надпись тогда 4x64MB? Я так понимаю 4 банка по 64 Мбайт. Но ими тоже отдельно каждым надо управлять?

И еще: в даташите указано, что TFT к FSMC подключается в режиме NOR/SRAM. Но для SRAM выведен один банк памяти (первый) а туда уже будет подключена SRAM (т.е. ее CS будет уже занят)...
Я хотел подключить следующим образом:
банк 1 - TFT, SRAM;
банк 2 - NAND Flash.

Новый аккумулятор EVE серии PLM для GSM-трекеров, работающих в жёстких условиях (до -40°С)

Компания EVE выпустила новый аккумулятор серии PLM, сочетающий в себе высокую безопасность, длительный срок службы, широкий температурный диапазон и высокую токоотдачу даже при отрицательной температуре. Эти аккумуляторы поддерживают заряд при температуре от -40/-20°С (сниженным значением тока), безопасны (не воспламеняются и не взрываются) при механическом повреждении (протыкание и сдавливание), устойчивы к вибрации. Они могут применяться как для автотранспорта (трекеры, маячки, сигнализация), так и для промышленных устройств мониторинга, IoT-устройств.

Подробнее>>

Да, это так. Но если прочитать внимательно документ AN2784 Using the high-density STM32F10xxx FSMC peripheral to drive external memories, можно найти там следующее:

И в первом пункте мы видим, что первый банк разделен на 4 региона, каждому из которых соответствует свой сигнал CS. К сожалению, я не могу вам уверенно подсказать, как конфигурировать банк в этом случае. У меня дальше одного устройства на FSMC не заходило. Похоже, что я соврал в предыдущем посте про выбор cs-a, ассоциируемого с банком. Это не номер, а количество задействованных cs в этом банке. В общем, смело можете подключать свои устройства к первому банку, пользуясь картинкой Figure 1. FSMC block diagram из упомянутого документа.

Еще раз спасибо, в дополнение надо будет еще посмотреть примеры схем отладочных плат

Здравствуйте!
Контроллер stm32f765, fmc lcd не заработал. Подключал так
/** FMC GPIO Configuration
PE7 ------> FMC_D4
PE8 ------> FMC_D5
PE9 ------> FMC_D6
PE10 ------> FMC_D7
PE11 ------> FMC_D8
PE12 ------> FMC_D9
PE13 ------> FMC_D10
PE14 ------> FMC_D11
PE15 ------> FMC_D12
PD8 ------> FMC_D13
PD9 ------> FMC_D14
PD10 ------> FMC_D15
PD11 ------> FMC_A16
PD14 ------> FMC_D0
PD15 ------> FMC_D1
PG6 ------> FMC_NE3
PD0 ------> FMC_D2
PD1 ------> FMC_D3
PD4 ------> FMC_NOE
PD5 ------> FMC_NWE.
Команды прописал так:
#define LCD_COMM_ADD *(volatile unsigned short *) 0x68000000 // RS = 0
#define LCD_DATA_ADD *(volatile unsigned short *) 0x68020000 // RS = 1
0x60020000 - тоже не дало результата.
До этого все работало на 407 контроллере.
Программная реализация на тех же пинах запустила дисплей но очень медленно.
Возможно сделать программную реализацию быстрее,если штатный fmc не запустится?
В хедере прописал пины для работы.
Вот кусок кода;
void Buf_Data(uint16_t data)
{
if (((data>>15)&0x01) == 0x01){D15_HI;}else {D15_LO;}
if (((data>>14)&0x01) == 0x01){D14_HI;}else {D14_LO;}
if (((data>>13)&0x01) == 0x01){D13_HI;}else {D13_LO;}
if (((data>>12)&0x01) == 0x01){D12_HI;}else {D12_LO;}
if (((data>>11)&0x01) == 0x01){D11_HI;}else {D11_LO;}
if (((data>>10)&0x01) == 0x01){D10_HI;}else {D10_LO;}
if (((data>>9)&0x01) == 0x01){D9_HI;} else {D9_LO;}
if (((data>>8)&0x01) == 0x01){D8_HI;} else {D8_LO;}

if (((data>>7)&0x01) == 0x01){D7_HI;} else {D7_LO;}
if (((data>>6)&0x01) == 0x01){D6_HI;} else {D6_LO;}
if (((data>>5)&0x01) == 0x01){D5_HI;} else {D5_LO;}
if (((data>>4)&0x01) == 0x01){D4_HI;} else {D4_LO;}
if (((data>>3)&0x01) == 0x01){D3_HI;} else {D3_LO;}
if (((data>>2)&0x01) == 0x01){D2_HI;} else {D2_LO;}
if (((data>>1)&0x01) == 0x01){D1_HI;} else {D1_LO;}
if (((data>>0)&0x01) == 0x01){D0_HI;} else {D0_LO;}
}

void LCD_WriteCommand(uint16_t cmd)
{
RS_LO;
//CS_LO;
Buf_Data(cmd);
WR_LO;
WR_HI;
//CS_HI;
}

void LCD_WriteData(uint16_t data)
{
RS_HI;
//CS_LO;
Buf_Data(data);
WR_LO;
WR_HI;
//CS_HI;
}

Прописано правильно, но volatile - это указание компилятору не выбрасывать "лишние" обращения к памяти, а у F7 еще есть кеш, причем атрибуты памяти по этим адресам такие же как у SRAM, т.е. нужно при помощи MPU этот регион памяти сделать некешируемым или отключить кеш вообще.


Конечно, некоторые С++ либы это делают автоматически, но можно и вручную взять сразу 9 бит, сдвинуть и записать за раз в GPIOE->BSRR, вместо того чтобы делать 9 проверок...

Спасибо большое.Сам являюсь любителем самоучкой в этой области.Все примеры взяты из интернета.
Поможете в этом деле с FMC?
Настраивал через программу STM32 cube
Заранее большое спасибо.

Разобрался спасибо.