The term “data changes” is occasionally used in place of “write cycle” or “erase/write cycle.” A data change will occur when an auto-erase cycle is initiated, and a second data change will occur upon the write cycle, therefore, an “erase/write cycle” is equivalent to two “data changes.”
Всё верно так и есть. Об этом я и писал.
Цитата:
С точки зрения расхода ресурса именно это считается за одну операцию в терминологии производителя.
Это с точки зрения программиста считается за одну операцию, а сточки зрения физического износа полупроводника, это две операции (внесение заряда – это одна операция (происходит износ) и удаление заряда – это вторая операция (происходит износ)). И я об этом тоже писал… нет у меня желания ничего кому-то доносить… считаете себя правым – флаг в руки… я не настаиваю.
Это с точки зрения программиста считается за одну операцию, а сточки зрения физического износа полупроводника, это две операции (внесение заряда – это одна операция (происходит износ) и удаление заряда – это вторая операция (происходит износ)).
Итак - диванные теоретики начали выкручиваться. Внимание вопрос: Исходное состояние байта памяти == 0xFF (все биты стёрты). На сколько циклов "запись/стирание" уменьшится ресурс любой ячейки (бита) этого байта?, если её содержимое будет изменяться в следующем порядке: 0xFF 0xFE 0xFC 0xF8 0xF0 0xE0 0xC0 0x80 0x00 0xFF Так - на сколько?
я рискну добавить "в лучшем случае минимум 2 и в лучшем случае только эти ячейки", поскольку конкретная модель E2PROM не указана, а контроллеры у них внутре бывают довольно-таки разные.
Обязательным условием долгой и стабильной работы Li-FePO4-аккумуляторов, в том числе и производства EVE Energy, является применение специализированных BMS-микросхем. Литий-железофосфатные АКБ отличаются такими характеристиками, как высокая многократность циклов заряда-разряда, безопасность, возможность быстрой зарядки, устойчивость к буферному режиму работы и приемлемая стоимость. Но для этих АКБ очень важен контроль процесса заряда и разряда для избегания воздействия внешнего зарядного напряжения после достижения 100% заряда. Инженеры КОМПЭЛ подготовили список таких решений от разных производителей.
насколько я помню, производитель считает циклы "стирание-запись" т.е. один такой цикл подразумевает 2 изменения состояния ячейки... и ещё, (тут я не уверен, возможно с УФ ПЗУ путаю) что процесс стирания ячейки расходует её ресурс даже если она итак стёрта...
_________________ Просто не учи физику в школе, и вся твоя жизнь будет наполнена чудесами и волшебством Безграмотно вопрошающим про силовую или высоковольтную электронику я не отвечаю, а то ещё посадят за участие в (само)убиении оболтуса...
Компания EVE выпустила новый аккумулятор серии PLM, сочетающий в себе высокую безопасность, длительный срок службы, широкий температурный диапазон и высокую токоотдачу даже при отрицательной температуре.
Эти аккумуляторы поддерживают заряд при температуре от -40/-20°С (сниженным значением тока), безопасны (не воспламеняются и не взрываются) при механическом повреждении (протыкание и сдавливание), устойчивы к вибрации. Они могут применяться как для автотранспорта (трекеры, маячки, сигнализация), так и для промышленных устройств мониторинга, IoT-устройств.
насколько я помню, производитель считает циклы "стирание-запись" т.е. один такой цикл подразумевает 2 изменения состояния ячейки...
Так и есть. Я выше ссылку приводил на документ производителя.
Цитата:
и ещё, (тут я не уверен, возможно с УФ ПЗУ путаю) что процесс стирания ячейки расходует её ресурс даже если она итак стёрта...
А вот это вряд ли. На физическом уровне ведь ничего происходить не будет. Ну во всяком случае с простенькими EEPROM, где нет умной логики, которая какую-нибудь регенерацию иногда будет делать.
По утверждению недоучек (https://radiokot.ru/forum/viewtopic.php?p=3887233#p3887233) при данных действиях получается один износ, а реально по 2 износа на каждую ячейку (бит).
Износ один будет, хоть и 2 смены состояния. Производитель измеряет 1 износ как 2 смены состояния. Именно в цикле стирание-запись (т.е. 2 смены состояния) Microchip выражает ресурс своих EEPROM. То, что там происходит на физическом уровне к вопросу не относится. Главное то, в чем измеряет (и гарантирует) ресурс производитель.
у микрочипа даже программка есть. https://www.microchip.com/developmentto ... ceSoftware на физическом уровне износов два (у некоторых и более) и говорилось о нём. мне кажется, требуется определения терминологии и вообще области спора, потому что один про одно, другой про другое. Производителей много, кто там как измеряет... Тот же микрочип в рассказах про что есть цикл стирание-запись и как он износит еепром пишет, что обычно миллион циклов
Цитата:
Failures occur because an EEPROM cell can wear out – but, this takes a long time, typically millions of cycles.
. Берем даташиты на дешёвые-популярные - и где ж там миллион? Гарантируется вдруг на порядок меньше. Наверное, на всякий случай
По утверждению недоучек (https://radiokot.ru/forum/viewtopic.php?p=3887233#p3887233) при данных действиях получается один износ, а реально по 2 износа на каждую ячейку (бит).
Износ один будет, хоть и 2 смены состояния. Производитель измеряет 1 износ как 2 смены состояния. Именно в цикле стирание-запись (т.е. 2 смены состояния) Microchip выражает ресурс своих EEPROM. То, что там происходит на физическом уровне к вопросу не относится. Главное то, в чем измеряет (и гарантирует) ресурс производитель.
что процесс стирания ячейки расходует её ресурс даже если она итак стёрта...
Это ведь легко проверить внутри чипа - нужно стирание ячейки или нет. Поэтому - какой смысл преднамеренно ухудшать характеристики чипа (уменьшать ресурс когда не нужно), если этого легко избежать? Чтобы получить чип хуже по-характеристикам, чем у конкурентов и проиграть в конкурентной борьбе? Это было бы странно если бы производители чипов такого не учли.
ну да. забабахать туда мк, чтоб легко всё проверял. усложнить, удорожить и проиграть в конкурентной борьбе. вообще странно, что никто ничего не предусматривает сразу (например, не встраивает светодиодик в мк, это ведь легко) и проигрывает в конкурентной борьбе. еще можно в еепром счётчик циклов вставить, это тоже легко, но что-то не встраивают и опять проигрывают в конкурентной борьбе.
обычно электрод стирания накрывает не одну ячейку, а от байта до всей памяти... да и выяснять (делать на каждую ячейку схему определения необходимости стирания неоправданно дорого) ещё больше ресурс снижает применение технологий TLC и MLC, но от них почему-то не отказываются...
_________________ Просто не учи физику в школе, и вся твоя жизнь будет наполнена чудесами и волшебством Безграмотно вопрошающим про силовую или высоковольтную электронику я не отвечаю, а то ещё посадят за участие в (само)убиении оболтуса...
Кроме уже приведённой уважаемым NStorm ссылки на мануал Микрочипа, можно привести ещё мануал от Renesas: "RL78/G13 User’s Manual" https://www.renesas.com/us/en/doc/produ ... 73201cf1f2 где сказано: а позже расшифровано что такое "rewrites": Обратите внимание, что говорится именно о: "1 erase + 1 write after the erase is regarded as 1 rewrite." Это то, что другие вендоры называют "1 W/E cycle".
Также можно почитать данный пост, где обсуждали аналогичный алгоритм множественной записи в одну страницу флешь: https://devzone.nordicsemi.com/f/nordic ... -confusion И где тоже подтверждается, что ресурс флеши считается по количеству стираний.
Также в даташите на "Tiva TM4C129DNCPDT" от TI на стр.620 "Internal Memory\EEPROM\Endurance" можно прочитать следующее: Endurance is per meta-block which is 8 blocks. Endurance is measured in two ways: 1. To the application, it is the number of writes that can be performed. 2. To the microcontroller, it is the number of erases that can be performed on the meta-block. Т.е. - для МК один из путей вычисления Endurance - подсчёт числа стираний. Только стираний!
Также можно в гугле набрать "what is cycle erase/write for flash" и найти много полезной инфы.
PS: Т.е. - пока что везде где удаётся в мануалах найти более-менее понятное толкование, что такое - "endurance" для flash, везде имеется в виду именно, что 1цикл это = запись+стирание. PPS: Диванным теоретикам - на домашнее изучение. Читать и вникать до просветления.
ну да. забабахать туда мк, чтоб легко всё проверял.
Не надо валить с больной головы на здоровую! Для проверки необходимости стирания ячейки (перевода бита в лог."1") нужно всего один элемент "И". Разницу между МК и элементом "И" улавливаете? Или для "погромиста" нет разницы?
обычно электрод стирания накрывает не одну ячейку, а от байта до всей памяти... да и выяснять (делать на каждую ячейку схему определения необходимости стирания неоправданно дорого)
Ну ОК - может и так. Но это не мешает программно определять необходимость стирания и выполнять его только когда нужно.
Не просто улавливаю, а могу даже представить, что за куча бесполезной хрени на кристалле будет. Даже светодиодик в мк и то лучше. И конкурентноспособней в борьбе
ячейка памяти — это один транзистор... а сколько транзисторов в элементе "И"? во сколько раз усложнится схема? и станет ли конкурентноспособной память, которая получится много дороже, да ещё и изнашивается даже внутри байта неравномерно и практически непредсказуемо?
_________________ Просто не учи физику в школе, и вся твоя жизнь будет наполнена чудесами и волшебством Безграмотно вопрошающим про силовую или высоковольтную электронику я не отвечаю, а то ещё посадят за участие в (само)убиении оболтуса...
ячейка памяти — это один транзистор... а сколько транзисторов в элементе "И"?
В многовходовом "И" транзисторов столько же сколько в 2-входовом, а входов может быть очееееееееееееееень много. И такие "И" можно ещё и каскадировать. Для получения по одному входу от каждого бита всей стираемой страницы.
так... т.е. вы считаете что стирание "1" не изнашивает ячейку? тогда пропадает последний смысл обходить её при стирании и, тем более что-то для этого городить...
_________________ Просто не учи физику в школе, и вся твоя жизнь будет наполнена чудесами и волшебством Безграмотно вопрошающим про силовую или высоковольтную электронику я не отвечаю, а то ещё посадят за участие в (само)убиении оболтуса...
так... т.е. вы считаете что стирание "1" не изнашивает ячейку? тогда пропадает последний смысл обходить её при стирании и, тем более что-то для этого городить...
Смысл имеет, так как кроме износа это может приводить к увеличению скорости стирания или уменьшению потребляемого тока. Хотя это всё уже - гадание на кофейной гуще, никто (кроме вендора) не знает как оно там внутри у конкретного чипа устроено, и нет смысла рассуждать об этом. Для нас (юзеров) главное - построить алгоритм хранения так, чтобы уменьшить число циклов износа.
Заголовок сообщения: Re: Arduino и энергонезависимая память
Добавлено: Чт сен 15, 2022 11:50:52
Друг Кота
Карма: 1
Рейтинг сообщений: 60
Зарегистрирован: Ср сен 30, 2020 16:51:47 Сообщений: 4420 Откуда: РФ
Рейтинг сообщения:0
А вот вопрос. Есть Ардуино Мега 2560 и настоящее статическое ОЗУ типа UT62256CPCL-70 или аналогичное. Можно пристыковать такое ОЗУ к Ардуине? Как сделать внешнюю 14-разрядную адресацию?
Пристыковать можно, если ног хватит. 14 ног на шину адреса, 8 ног на шину данных (вход/выход), 3 ноги на управляющие сигналы, итого 25 ног. Они могут использоваться для других функций, если чип памяти не выбран сигналом на CE. Только смысл такого действа? Это не еепромка, это просто SRAM на 32 КБ. Причём, зная ардуино-подход, будет очень медленная работа.
Только смысл такого действа? Это не еепромка, это просто SRAM на 32 КБ...
Да можно eeprom W27C512 поставить. Вопрос был о принципиальной возможности. При шинной организации устройства данные ведь можно не только в Ардуину и из Ардуины передавать, а можно Ардуиной Мега управлять адресацией, а данные из sram или eeprom передавать и в другие устройства.
Сейчас этот форум просматривают: нет зарегистрированных пользователей и гости: 24
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения