Например TDA7294

Форум РадиоКот • Просмотр темы - Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд
Форум РадиоКот
Здесь можно немножко помяукать :)





Текущее время: Вт апр 16, 2024 22:13:22

Часовой пояс: UTC + 3 часа


ПРЯМО СЕЙЧАС:



Начать новую тему Ответить на тему  [ Сообщений: 860 ]     ... , , , 17, , , ...  
Автор Сообщение
Не в сети
 Заголовок сообщения: Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд
СообщениеДобавлено: Пт авг 14, 2015 08:46:11 
Друг Кота
Аватар пользователя

Карма: 67
Рейтинг сообщений: 1012
Зарегистрирован: Чт сен 18, 2008 12:27:21
Сообщений: 18798
Откуда: Столица Мира Санкт-Петербург
Рейтинг сообщения: 1
Медали: 1
Получил миской по аватаре (1)
Rds_on vs Vgs

_________________
[ Всё дело не столько в вашей глупости, сколько в моей гениальности ] [ Правильно заданный вопрос содержит в себе половину ответа ]
Измерить нннада?


Вернуться наверх
 
Не в сети
 Заголовок сообщения: Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд
СообщениеДобавлено: Сб авг 15, 2015 12:06:51 
Опытный кот
Аватар пользователя

Карма: 7
Рейтинг сообщений: 48
Зарегистрирован: Вт июн 17, 2014 00:34:26
Сообщений: 791
Рейтинг сообщения: 0
Хотелось бы подытожить, при выборе полевика порядок следующий:
1.Сначала смотрим в таблицу Rds vs Vgs, и находим сопротивление канала при
напряжении, которое хотим подать на gate.
2. Считаем общее сопротивление цепи, слаживая сопротивление канала и нагрузки, затем зная напряжение питания и сопротивление, находим ток drain.
3.В заключении смотрим в таблицу Id vs Vgs, в которой указывается максимальный ток drain при данном Vgs. Если этот ток не превышает рассчитанный в предыдущем пункте транзистор будет работать, если превышает: либо ищем способ увеличить напряжение Vgs и снова производим рассчет, либо ищем другой транзистор. :)
Если где-то не прав поправьте пожалуйста.


Вернуться наверх
 
Не в сети
 Заголовок сообщения: Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд
СообщениеДобавлено: Сб авг 15, 2015 12:10:17 
Друг Кота
Аватар пользователя

Карма: 138
Рейтинг сообщений: 2712
Зарегистрирован: Чт янв 10, 2008 22:01:02
Сообщений: 21790
Откуда: Московская область, Фрязино
Рейтинг сообщения: 0
baghear писал(а):
при выборе полевика порядок следующий:

Этот порядок зависит от ПРИМЕНЕНИЯ полевого транзистора.
Можно его применять как статический ключа можно делать линейный ВЧ усилитель.
И требования при выборе будут совершенно разные.


Вернуться наверх
 
PCBWay - всего $5 за 10 печатных плат, первый заказ для новых клиентов БЕСПЛАТЕН

Сборка печатных плат от $30 + БЕСПЛАТНАЯ доставка по всему миру + трафарет

Онлайн просмотровщик Gerber-файлов от PCBWay + Услуги 3D печати
Не в сети
 Заголовок сообщения: Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд
СообщениеДобавлено: Сб авг 15, 2015 15:22:11 
Опытный кот
Аватар пользователя

Карма: 7
Рейтинг сообщений: 48
Зарегистрирован: Вт июн 17, 2014 00:34:26
Сообщений: 791
Рейтинг сообщения: 0
При выборе полевика в качестве ключа, правильно расписал?


Вернуться наверх
 
Организация питания на основе надежных литиевых аккумуляторов EVE и микросхем азиатского производства

Качественное и безопасное устройство, работающее от аккумулятора, должно учитывать его физические и химические свойства, профили заряда и разряда, их изменение во времени и под влиянием различных условий, таких как температура и ток нагрузки. Мы расскажем о литий-ионных аккумуляторных батареях EVE и нескольких решениях от различных китайских компаний, рекомендуемых для разработок приложений с использованием этих АКБ. Представленные в статье китайские аналоги помогут заменить продукцию западных брендов с оптимизацией цены без потери качества.

Подробнее>>
Не в сети
 Заголовок сообщения: Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд
СообщениеДобавлено: Сб авг 15, 2015 17:04:43 
Друг Кота
Аватар пользователя

Карма: 138
Рейтинг сообщений: 2712
Зарегистрирован: Чт янв 10, 2008 22:01:02
Сообщений: 21790
Откуда: Московская область, Фрязино
Рейтинг сообщения: 0
Статического - да. Если речь идет о переключениях с некоторой частотой, то нужно посчитать потери динамического режима.


Вернуться наверх
 
Новый аккумулятор EVE серии PLM для GSM-трекеров, работающих в жёстких условиях (до -40°С)

Компания EVE выпустила новый аккумулятор серии PLM, сочетающий в себе высокую безопасность, длительный срок службы, широкий температурный диапазон и высокую токоотдачу даже при отрицательной температуре. Эти аккумуляторы поддерживают заряд при температуре от -40/-20°С (сниженным значением тока), безопасны (не воспламеняются и не взрываются) при механическом повреждении (протыкание и сдавливание), устойчивы к вибрации. Они могут применяться как для автотранспорта (трекеры, маячки, сигнализация), так и для промышленных устройств мониторинга, IoT-устройств.

Подробнее>>
Не в сети
 Заголовок сообщения: Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд
СообщениеДобавлено: Сб авг 15, 2015 17:11:55 
Опытный кот
Аватар пользователя

Карма: 7
Рейтинг сообщений: 48
Зарегистрирован: Вт июн 17, 2014 00:34:26
Сообщений: 791
Рейтинг сообщения: 0
Опишите пожалуйста как их посчитать?


Вернуться наверх
 
Не в сети
 Заголовок сообщения: Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд
СообщениеДобавлено: Сб авг 15, 2015 17:30:32 
Друг Кота
Аватар пользователя

Карма: 138
Рейтинг сообщений: 2712
Зарегистрирован: Чт янв 10, 2008 22:01:02
Сообщений: 21790
Откуда: Московская область, Фрязино
Рейтинг сообщения: 1
Нужно посчитать скважность активного режима. Ключ будет находится в активном режиме и рассеивать на себе половину мощности нагрузки ключа во время переключения. Время переключения определяется как отношение полного заряда затвора (Total Gate Charge) к току драйвера затвора (фактически току короткого замыкания драйвера). Нужно проверить допустимый ток затвора для выбираемого транзистора в сравнении с приемлемым для скорости переключения током от драйвера.
Пример.
Заряд затвора 50 нКл. Ток драйвера - 10 мА. Частота переключения 10 кГц. Мощность в нагрузке - 10 Ватт.
Переключение будет происходить 50нКл/10мА=5 мкс дважды за период - всего 10 мкс.
Период - 100 мкс. Значит скважность активного режима составит 10. А динамическая мощность рассеиваемая на ключе - 0,5 ватта.


Вернуться наверх
 
Не в сети
 Заголовок сообщения: Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд
СообщениеДобавлено: Сб авг 15, 2015 23:21:55 
Опытный кот
Аватар пользователя

Карма: 7
Рейтинг сообщений: 48
Зарегистрирован: Вт июн 17, 2014 00:34:26
Сообщений: 791
Рейтинг сообщения: 0
Почему скважность активного режима равна 10?
Если 10 мкс надо для переключения, а период 100, то максимальная скважность активного режима 90. Где я ошибся?
А как Вы посчитали динамическую мощность рассеиваемую на ключе?


Вернуться наверх
 
Не в сети
 Заголовок сообщения: Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд
СообщениеДобавлено: Вс авг 16, 2015 05:47:23 
Друг Кота
Аватар пользователя

Карма: 138
Рейтинг сообщений: 2712
Зарегистрирован: Чт янв 10, 2008 22:01:02
Сообщений: 21790
Откуда: Московская область, Фрязино
Рейтинг сообщения: 1
Потому что скважность - это ОТНОШЕНИЕ периода повторения ко времени некоего действа в этом периоде, скважность которого мы и считаем. Скважность меандра равна 2.
Как я ранее написал, мощность в активном режиме выделяемая на самом ключе будет равна ПОЛОВИНЕ мощности выделяемой в нагрузку при полностью открытом ключе. На самом деле расчет немного сложнее, но для большинства практических расчетов вполне достаточно.
Если в нагрузке выделяется 10 ватт, то при скважности активного режима равной 10 динамическая мощность составит 0,5 ватта.
0,5*10 ватт/10 = 0,5 ватт


Вернуться наверх
 
Не в сети
 Заголовок сообщения: Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд
СообщениеДобавлено: Вс авг 16, 2015 12:09:10 
Опытный кот
Аватар пользователя

Карма: 7
Рейтинг сообщений: 48
Зарегистрирован: Вт июн 17, 2014 00:34:26
Сообщений: 791
Рейтинг сообщения: 0
Цитата:
Потому что скважность - это ОТНОШЕНИЕ периода повторения ко времени некоего действа в этом периоде, скважность которого мы и считаем. Скважность меандра равна 2.

Согласен.
Цитата:
Как я ранее написал, мощность в активном режиме выделяемая на самом ключе будет равна ПОЛОВИНЕ мощности выделяемой в нагрузку при полностью открытом ключе. На самом деле расчет немного сложнее, но для большинства практических расчетов вполне достаточно.

Это в случае если скважность равна 2 ?


Вернуться наверх
 
Не в сети
 Заголовок сообщения: Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд
СообщениеДобавлено: Вс авг 16, 2015 13:58:09 
Друг Кота
Аватар пользователя

Карма: 138
Рейтинг сообщений: 2712
Зарегистрирован: Чт янв 10, 2008 22:01:02
Сообщений: 21790
Откуда: Московская область, Фрязино
Рейтинг сообщения: 1
Причем тут скважность?
В АКТИВНОМ РЕЖИМЕ половина мощности рассеивается в нагрузке, а половина на самом ключе.
Если скважность активного режима 10, то средняя мощность динамических потерь за период составит 1/10 от мощности активного режима.


Вернуться наверх
 
Не в сети
 Заголовок сообщения: Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд
СообщениеДобавлено: Вс авг 16, 2015 15:30:13 
Опытный кот
Аватар пользователя

Карма: 7
Рейтинг сообщений: 48
Зарегистрирован: Вт июн 17, 2014 00:34:26
Сообщений: 791
Рейтинг сообщения: 0
Цитата:
В АКТИВНОМ РЕЖИМЕ половина мощности рассеивается в нагрузке, а половина на самом ключе.

Если правильно понял, то это приблизительное значение, которое получается из-за того, что в активном режиме половина напряжения приложена к нагрузке, другая половина к транзистору.
Тогда всё становится на свои места, спасибо!!! :))


Вернуться наверх
 
Не в сети
 Заголовок сообщения: Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд
СообщениеДобавлено: Пт ноя 20, 2015 19:51:43 
Друг Кота
Аватар пользователя

Карма: 14
Рейтинг сообщений: 24
Зарегистрирован: Вт июн 28, 2011 12:11:50
Сообщений: 3443
Откуда: Россия,Ставропольский край, ст.Бекешевская
Рейтинг сообщения: 0
что если подложку в mosfet не подключать к истоку , а вывести наружу или совсем оставить неподключенной?

_________________
Меня зовут Димон .
Изображение
Изображение


Вернуться наверх
 
Не в сети
 Заголовок сообщения: Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд
СообщениеДобавлено: Сб ноя 21, 2015 09:31:29 
Друг Кота

Карма: 43
Рейтинг сообщений: 257
Зарегистрирован: Пн апр 19, 2010 00:04:18
Сообщений: 11998
Откуда: Малороссия
Рейтинг сообщения: 0
обратите внимание, что как минимум в ЛТ-спайсе есть модель 4-х терминального ФЕТа ("explicit substrate connection" type (Monolithic) MOSFET.)
почитайте про body effect, типа можно использовать как дополнительный почти затвор. полагаю поэтому истоки распространенных ФЕТов и "заземляют" на субстрат, что бы там ничего не плавало не стекало и не звенело, хотя во множестве приложений может оказаться полезным. погуглил: их делали и делают ограниченно,


Вернуться наверх
 
Не в сети
 Заголовок сообщения: Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд
СообщениеДобавлено: Пт дек 11, 2015 08:53:10 
Сверлит текстолит когтями
Аватар пользователя

Карма: 39
Рейтинг сообщений: 1148
Зарегистрирован: Пн июн 15, 2015 10:01:37
Сообщений: 1101
Рейтинг сообщения: 0
Когда проверяю полевик мультиметром - последний показывает от 500 до 700 ом в открытом состоянии, хотя сопротивление в открытом состоянии транзистора IRF 740 - 0.55 Ом
В чем причина таких показаний ? :dont_know:


Вернуться наверх
 
Не в сети
 Заголовок сообщения: Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд
СообщениеДобавлено: Пт дек 11, 2015 13:03:24 
Опытный кот
Аватар пользователя

Карма: 7
Рейтинг сообщений: 48
Зарегистрирован: Вт июн 17, 2014 00:34:26
Сообщений: 791
Рейтинг сообщения: 0
А какое напряжение было подано на затвор?
Обычно сопротивление канала указывается при опр напряжении на затворе, напряжение на щупах мультиметра врядли хватает чтобы нормально открыть полевик


Вернуться наверх
 
Не в сети
 Заголовок сообщения: Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд
СообщениеДобавлено: Ср дек 16, 2015 14:57:48 
Опытный кот
Аватар пользователя

Карма: 7
Рейтинг сообщений: 48
Зарегистрирован: Вт июн 17, 2014 00:34:26
Сообщений: 791
Рейтинг сообщения: 0
Добрый день надо коммутировать питание подсветки дисплея, можно ли это делать так или надо поставить в сток резистор?
http://prntscr.com/9etscr
Напряжение подсветки должно быть 3.3V или около того.


Вернуться наверх
 
Не в сети
 Заголовок сообщения: Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд
СообщениеДобавлено: Чт дек 17, 2015 17:20:14 
Сверлит текстолит когтями
Аватар пользователя

Карма: 39
Рейтинг сообщений: 1148
Зарегистрирован: Пн июн 15, 2015 10:01:37
Сообщений: 1101
Рейтинг сообщения: 0
baghear писал(а):
А какое напряжение было подано на затвор?

Стандартный метод проверки полевиков- плюсовой щуп на сток, потом на затвор, минус на исток ,плюс на сток- мультиметр показывает некоторое сопротивление- полевик исправен.
Что если при испытании применять батарейку в 1.5В?


Вернуться наверх
 
Не в сети
 Заголовок сообщения: Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд
СообщениеДобавлено: Пт дек 18, 2015 07:05:55 
Друг Кота
Аватар пользователя

Карма: 107
Рейтинг сообщений: 1031
Зарегистрирован: Пт дек 17, 2010 15:07:50
Сообщений: 12366
Откуда: Крымский Федеральный Округ
Рейтинг сообщения: 0
Полевик нормирован на 10 вольт. Так что... думайте.

_________________
Изображение
И ты врёшь!!! © Vladisman
Изображение


Вернуться наверх
 
Не в сети
 Заголовок сообщения: Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд
СообщениеДобавлено: Вс дек 20, 2015 04:33:30 
Друг Кота
Аватар пользователя

Карма: 67
Рейтинг сообщений: 1012
Зарегистрирован: Чт сен 18, 2008 12:27:21
Сообщений: 18798
Откуда: Столица Мира Санкт-Петербург
Рейтинг сообщения: 0
Медали: 1
Получил миской по аватаре (1)
Evan писал(а):
Что если при испытании применять батарейку в 1.5В?

Очевидно, надо смотреть на пороговое напряжение. Если оно меньше 1,5 В то полевик тупо не откроется :facepalm:
Ну и надо понимать, что батарейка можеть выдать 1 А, а тестер — нет.

_________________
[ Всё дело не столько в вашей глупости, сколько в моей гениальности ] [ Правильно заданный вопрос содержит в себе половину ответа ]
Измерить нннада?


Вернуться наверх
 
Показать сообщения за:  Сортировать по:  Вернуться наверх
Начать новую тему Ответить на тему  [ Сообщений: 860 ]     ... , , , 17, , , ...  

Часовой пояс: UTC + 3 часа


Кто сейчас на форуме

Сейчас этот форум просматривают: нет зарегистрированных пользователей и гости: 25


Вы не можете начинать темы
Вы не можете отвечать на сообщения
Вы не можете редактировать свои сообщения
Вы не можете удалять свои сообщения
Вы не можете добавлять вложения

Найти:
Перейти:  


Powered by phpBB © 2000, 2002, 2005, 2007 phpBB Group
Русская поддержка phpBB
Extended by Karma MOD © 2007—2012 m157y
Extended by Topic Tags MOD © 2012 m157y