Заголовок сообщения: Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд
Добавлено: Пт авг 14, 2015 08:46:11
Друг Кота
Карма: 67
Рейтинг сообщений: 1012
Зарегистрирован: Чт сен 18, 2008 12:27:21 Сообщений: 18798 Откуда: Столица Мира Санкт-Петербург
Рейтинг сообщения:1 Медали: 1
Rds_on vs Vgs
_________________ [ Всё дело не столько в вашей глупости, сколько в моей гениальности ] [ Правильно заданный вопрос содержит в себе половину ответа ] Измерить нннада?
Хотелось бы подытожить, при выборе полевика порядок следующий: 1.Сначала смотрим в таблицу Rds vs Vgs, и находим сопротивление канала при напряжении, которое хотим подать на gate. 2. Считаем общее сопротивление цепи, слаживая сопротивление канала и нагрузки, затем зная напряжение питания и сопротивление, находим ток drain. 3.В заключении смотрим в таблицу Id vs Vgs, в которой указывается максимальный ток drain при данном Vgs. Если этот ток не превышает рассчитанный в предыдущем пункте транзистор будет работать, если превышает: либо ищем способ увеличить напряжение Vgs и снова производим рассчет, либо ищем другой транзистор. Если где-то не прав поправьте пожалуйста.
Этот порядок зависит от ПРИМЕНЕНИЯ полевого транзистора. Можно его применять как статический ключа можно делать линейный ВЧ усилитель. И требования при выборе будут совершенно разные.
Качественное и безопасное устройство, работающее от аккумулятора, должно учитывать его физические и химические свойства, профили заряда и разряда, их изменение во времени и под влиянием различных условий, таких как температура и ток нагрузки. Мы расскажем о литий-ионных аккумуляторных батареях EVE и нескольких решениях от различных китайских компаний, рекомендуемых для разработок приложений с использованием этих АКБ. Представленные в статье китайские аналоги помогут заменить продукцию западных брендов с оптимизацией цены без потери качества.
Компания EVE выпустила новый аккумулятор серии PLM, сочетающий в себе высокую безопасность, длительный срок службы, широкий температурный диапазон и высокую токоотдачу даже при отрицательной температуре.
Эти аккумуляторы поддерживают заряд при температуре от -40/-20°С (сниженным значением тока), безопасны (не воспламеняются и не взрываются) при механическом повреждении (протыкание и сдавливание), устойчивы к вибрации. Они могут применяться как для автотранспорта (трекеры, маячки, сигнализация), так и для промышленных устройств мониторинга, IoT-устройств.
Нужно посчитать скважность активного режима. Ключ будет находится в активном режиме и рассеивать на себе половину мощности нагрузки ключа во время переключения. Время переключения определяется как отношение полного заряда затвора (Total Gate Charge) к току драйвера затвора (фактически току короткого замыкания драйвера). Нужно проверить допустимый ток затвора для выбираемого транзистора в сравнении с приемлемым для скорости переключения током от драйвера. Пример. Заряд затвора 50 нКл. Ток драйвера - 10 мА. Частота переключения 10 кГц. Мощность в нагрузке - 10 Ватт. Переключение будет происходить 50нКл/10мА=5 мкс дважды за период - всего 10 мкс. Период - 100 мкс. Значит скважность активного режима составит 10. А динамическая мощность рассеиваемая на ключе - 0,5 ватта.
Почему скважность активного режима равна 10? Если 10 мкс надо для переключения, а период 100, то максимальная скважность активного режима 90. Где я ошибся? А как Вы посчитали динамическую мощность рассеиваемую на ключе?
Потому что скважность - это ОТНОШЕНИЕ периода повторения ко времени некоего действа в этом периоде, скважность которого мы и считаем. Скважность меандра равна 2. Как я ранее написал, мощность в активном режиме выделяемая на самом ключе будет равна ПОЛОВИНЕ мощности выделяемой в нагрузку при полностью открытом ключе. На самом деле расчет немного сложнее, но для большинства практических расчетов вполне достаточно. Если в нагрузке выделяется 10 ватт, то при скважности активного режима равной 10 динамическая мощность составит 0,5 ватта. 0,5*10 ватт/10 = 0,5 ватт
Потому что скважность - это ОТНОШЕНИЕ периода повторения ко времени некоего действа в этом периоде, скважность которого мы и считаем. Скважность меандра равна 2.
Согласен.
Цитата:
Как я ранее написал, мощность в активном режиме выделяемая на самом ключе будет равна ПОЛОВИНЕ мощности выделяемой в нагрузку при полностью открытом ключе. На самом деле расчет немного сложнее, но для большинства практических расчетов вполне достаточно.
Причем тут скважность? В АКТИВНОМ РЕЖИМЕ половина мощности рассеивается в нагрузке, а половина на самом ключе. Если скважность активного режима 10, то средняя мощность динамических потерь за период составит 1/10 от мощности активного режима.
В АКТИВНОМ РЕЖИМЕ половина мощности рассеивается в нагрузке, а половина на самом ключе.
Если правильно понял, то это приблизительное значение, которое получается из-за того, что в активном режиме половина напряжения приложена к нагрузке, другая половина к транзистору. Тогда всё становится на свои места, спасибо!!!
обратите внимание, что как минимум в ЛТ-спайсе есть модель 4-х терминального ФЕТа ("explicit substrate connection" type (Monolithic) MOSFET.) почитайте про body effect, типа можно использовать как дополнительный почти затвор. полагаю поэтому истоки распространенных ФЕТов и "заземляют" на субстрат, что бы там ничего не плавало не стекало и не звенело, хотя во множестве приложений может оказаться полезным. погуглил: их делали и делают ограниченно,
Когда проверяю полевик мультиметром - последний показывает от 500 до 700 ом в открытом состоянии, хотя сопротивление в открытом состоянии транзистора IRF 740 - 0.55 Ом В чем причина таких показаний ?
А какое напряжение было подано на затвор? Обычно сопротивление канала указывается при опр напряжении на затворе, напряжение на щупах мультиметра врядли хватает чтобы нормально открыть полевик
Добрый день надо коммутировать питание подсветки дисплея, можно ли это делать так или надо поставить в сток резистор? http://prntscr.com/9etscr Напряжение подсветки должно быть 3.3V или около того.
Стандартный метод проверки полевиков- плюсовой щуп на сток, потом на затвор, минус на исток ,плюс на сток- мультиметр показывает некоторое сопротивление- полевик исправен. Что если при испытании применять батарейку в 1.5В?
Заголовок сообщения: Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд
Добавлено: Вс дек 20, 2015 04:33:30
Друг Кота
Карма: 67
Рейтинг сообщений: 1012
Зарегистрирован: Чт сен 18, 2008 12:27:21 Сообщений: 18798 Откуда: Столица Мира Санкт-Петербург
Рейтинг сообщения:0 Медали: 1
Evan писал(а):
Что если при испытании применять батарейку в 1.5В?
Очевидно, надо смотреть на пороговое напряжение. Если оно меньше 1,5 В то полевик тупо не откроется Ну и надо понимать, что батарейка можеть выдать 1 А, а тестер — нет.
_________________ [ Всё дело не столько в вашей глупости, сколько в моей гениальности ] [ Правильно заданный вопрос содержит в себе половину ответа ] Измерить нннада?
Сейчас этот форум просматривают: нет зарегистрированных пользователей и гости: 25
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения