Карма: 46
Рейтинг сообщений: 236
Зарегистрирован: Чт окт 27, 2005 18:50:07 Сообщений: 11169 Откуда: из мест не столь отдалённых
Рейтинг сообщения:0 Медали: 2
"Верным путём идете, товарищ!" Вот насколько удобно применять симулятор для обучения! КТ608 не задает вопросов"что будет, если.." а проверяет это на симуляторе.
Если Вы замените транзистор на схеме, результаты будут немного отличаться.
Попробуйте НЧ транзистор, и транзистор СВЧ. Интуитивно понятно, что на НЧ транзисторе эффект будет не заметен, а на СВЧ- заметен, и даже очень..
Зарегистрирован: Вс мар 29, 2009 16:54:18 Сообщений: 150
Рейтинг сообщения:0
Сэр Мурр писал(а):
Если Вы замените транзистор на схеме, результаты будут немного отличаться. Попробуйте НЧ транзистор, и транзистор СВЧ. Интуитивно понятно, что на НЧ транзисторе эффект будет не заметен, а на СВЧ- заметен, и даже очень..
Важное замечание, т.к. в некоторых схемах лучше применять НЧ транзисторы дабы задавить гармоники.
Сэр Мурр писал(а):
"Верным путём идете, товарищ!" Вот насколько удобно применять симулятор для обучения! КТ608 не задает вопросов"что будет, если.." а проверяет это на симуляторе.
Надо увековечить имя того человека, который понял, что математические формулы неудобны для восприятия людей и создал для них графическую оболочку - симулятор радиосхем.
Непременно следует обратить внимание и разобраться с параметрами моделей. Станет понятно что анализируем и зачем. Некоторые параметры моделей вообще не важны, но в расчетах считаются. Например для блока питания емкость КЭ большой роли не играет, но при расчетах учитывается. Для реальных разработок придется сделать свои модели, параметры которых будут реально соответствовать тем элементам, которые будут применяться.
Зарегистрирован: Вс мар 29, 2009 16:54:18 Сообщений: 150
Рейтинг сообщения:0
Aladdin писал(а):
Непременно следует обратить внимание и разобраться с параметрами моделей. Станет понятно что анализируем и зачем. Некоторые параметры моделей вообще не важны, но в расчетах считаются. Например для блока питания емкость КЭ большой роли не играет, но при расчетах учитывается. Для реальных разработок придется сделать свои модели, параметры которых будут реально соответствовать тем элементам, которые будут применяться.
Полностью поддерживаю. Я сам мечтаю поскорее создать в EWB модель транзистора 2N5109 и КТ608Б
Качественное и безопасное устройство, работающее от аккумулятора, должно учитывать его физические и химические свойства, профили заряда и разряда, их изменение во времени и под влиянием различных условий, таких как температура и ток нагрузки. Мы расскажем о литий-ионных аккумуляторных батареях EVE и нескольких решениях от различных китайских компаний, рекомендуемых для разработок приложений с использованием этих АКБ. Представленные в статье китайские аналоги помогут заменить продукцию западных брендов с оптимизацией цены без потери качества.
Несколько годов назад, я с интересом и энтузиазмом мучил MicroCap5 && DesignLab8. Пытался получить конкретные и реальные результаты моделирования схем. Не хочу сбивать Вас с пути и советовать что-то, просто выложу мои модели для MicroCap 5, которые я использовал в проектировании. Это не просто от балды выдуманные циферки, а полученные в результате не которых экспериментов. Возможно, их получится переложить в формат WB.
IS-Ток насыщения при температуре 27С
BF- Коэфф. усиления в схеме с ОЭ(100)
NF-Коэф. неидеальности в нормальном режиме
VAF-
IKF-
ISE-
NE-коэф. неидеальности перехода Б-Э
BR- максимальный коэф. усиления тока в инверсном режиме
IKR-
ISC-
RE-Обьемное сопротивление Е
RC- Обьемное сопротивление К
RB-Обьемное сопротивление Б
NC-коэф. неидеальности коллекторного перехода
CJC- Емкость коллекторного перехода при нулевом смещении
CJE-Емкость эмитерного перехода при нулевом смещении
VJE-
MJE-
CJC-
VJC-
MJC-
TF- Время переноса заряда через базу в нормальном режиме
XTF-
VTF-
ITF-
TR- Время переноса заряда через базу в инверсном режиме
Компания EVE выпустила новый аккумулятор серии PLM, сочетающий в себе высокую безопасность, длительный срок службы, широкий температурный диапазон и высокую токоотдачу даже при отрицательной температуре.
Эти аккумуляторы поддерживают заряд при температуре от -40/-20°С (сниженным значением тока), безопасны (не воспламеняются и не взрываются) при механическом повреждении (протыкание и сдавливание), устойчивы к вибрации. Они могут применяться как для автотранспорта (трекеры, маячки, сигнализация), так и для промышленных устройств мониторинга, IoT-устройств.
Зарегистрирован: Вс мар 29, 2009 16:54:18 Сообщений: 150
Рейтинг сообщения:0
Aladdin писал(а):
Несколько годов назад, я с интересом и энтузиазмом мучил MicroCap5 && DesignLab8. Пытался получить конкретные и реальные результаты моделирования схем. Не хочу сбивать Вас с пути и советовать что-то, просто выложу мои модели для MicroCap 5, которые я использовал в проектировании. Это не просто от балды выдуманные циферки, а полученные в результате не которых экспериментов. Возможно, их получится переложить в формат WB.
Спасибо! Переложить можно, даже 1:1. Аббревиатуру параметров я тоже расшифровывал, здесь отдельная тема - http://radiokot.ru/forum/viewtopic.php?t=16155 EWB позволяет напрямую импортировать SPICE-модели компонентов. Можно искать такие модели и загружать в программу. Хотя я спешу с выводами и могу ошибаться. Никакой ошибки, скачал с сайта ГУП НПП "Пульсар" http://npp-pulsar.rosprom.org/new/spice.htm SPICE-модель и вставил ее в программу.
"Достаточно типичный случай, когда необходимого компонента не оказывается в библиотеке MicroCAP. Наиболее целесообразный путь решения проблемы – поиск SPICE-модели этого компонента и последующее добавление его в библиотеку. В принципе, модель можно построить и самому на основании справочных данных. Но в подавляющем большинстве случаев для построения точной модели требуются специфическая информация, которая в стандартной документации отсутствует. Поэтому адекватные модели большей части электронных компонентов может сделать только фирма-производитель. И многие такие фирмы размещают на своих сайтах наряду с техническими описаниями и параметрами компонентов еще и их SPICE-модели."
Я так понял, что можно вытащить библиотеку из любого SPICE-симулятора и переставить ее в EWB. Но в приведенной цитате из статьи слишком запугивают, известно, что "не боги горшки обжигают". После прочтения книги: "Знакомство с полупроводниками", библиотечка *квант*, выпуск 33 появится понимание полупроводников.
Вот хорошая статья: "Идентификация параметров модели стабилитрона для системы Spice" - http://spice.distudy.ru/models/zener/ На этом сайте есть и еще интересные статьи - http://spice.distudy.ru/models/ правда до транзистора дело не дошло.
Комментарий к файлу: Статья: "Идентификация параметров модели стабилитрона для системы Spice" SozdanieModStab.rar [33.59 KiB]
Скачиваний: 294
Как видно он достаточно широкополосен (полоса 20 МГц). Меня в этой схеме привлекла нагрузка у транзисторов (индуктивности L1, L3, L5). Получается, что транзисторы работают на индуктивное сопротивление катушек. Но как расчитывать, ведь в пределах полосы 20 МГц их сопротивление измениться весьма значительно? Достаточно прикинуть сопротивление на калькуляторе чтобы в этом убедиться. Сначало узнаем индуктивность приведенных в схеме катушек, для быстрого расчета я использую встроенный в программу Mmana калькулятор:
Дано: Катушки L1,L3,L5 – бескаркасные, намотаны на оправке, диаметром 8 мм посеребренным проводом, диаметром 1 мм. Они содержат по 3 витка, намотанных с шагом 1 мм.
Решение: Длина катушки = 0.6 см
Индуктивность = 0.059 мкГн
Сопротивление на частоте 88 МГц = 3.26 Ом
Сопротивление на частоте 108 МГц = 4 Ом
Да, после несложных математических действий я ответил сам на свой вопрос. Видно, что сопротивление меняется в небольших пределах. Но взгляните, что происходит в нагрузке:
Ток течет не линейно, как в случае резистивной нагрузки, а описывает фигуру - эллипс. Обратите внимание на стрелки, которые показывают направление движения рабочей точки при наличие сигнала для индуктивной и емкостной нагрузок. Но прямая превращается в эллипс только в случае подачи переменного напряжения, а для постоянного тока характеристика будет прямой, т.к. индуктивное сопротивление в этом случае равно нулю и падение напряжения происходит только на сопротивлении провода катушки.
Цитата из книги: При комплексном* характере нагрузки выходной цепи усилительного элемента нагрузочная линия, являющаяся траекторией движения рабочей точки на семействе выходных характеристик, уже не представляет собой прямую вследствие появления сдвига фазы между током и напряжением сигнала в выходной цепи. Так, например, при комплексной нагрузке, имеющей активную и емкостную составляющие сопротивления, и синусоидальном или косинусоидальном входном сигнале траектория движения рабочей точки на семействе выходных характеристик близка к эллипсу, который рабочая точка обегает против часовой стрелки. При нагрузке с индуктивной составляющей сопротивления и таком же сигнале форма нагрузочной линии также эллиптическая, но рабочая точка обегает эллипс в направлении часовой стрелки.
Что же этот сдвиг фазы в действительности из себя представляет не в абстрактной модели, а физической? Попробуем смоделировать в своем воображении происходящие в схеме процессы:
На постоянном токе, транзистор, для приведенной в самом начале схемы усилителя, окажется подключенным к источнику питания напрямую, т.к. сопротивление катушки будет очень низким. Нагрузочная прямая в таком случае идет строго вверх, т.е. режим короткого замыкания, но транзисторы ВЧ усилителей не работают на постоянном токе, эту прямую строят только для расчета рабочей точки по постоянному току. Последнее предложение написано туманно, я поясню, когда расчитывают каскад то строят две прямые одну для постоянного тока другую для переменного, по одной определяют статические параметры по другой динамические. В самый первый момент расчета пользуются статической характеристикой, т.к. надо определить рабочую точку каскада, а когда нужно посмотреть, как она изменяется под воздействием сигнала, то переходят к динамической характеристике.
При переменном токе произойдет короткий, но плавный рывок электронов, равный половине периода частоты (половина лямбды), например, в сторону к транзистору. Индуктивное сопротивление для этого рывка будет равно уже расчитанному выше, т.е. ~ 3.26...4 Ом. Оно образуется в результате того, что электроны проходя через витки катушки окажутся на ее выходе не все, а лишь их немногая часть. К тому же электроны по катушке будут двигаться с трудом. Первый электрон вошедший в спираль и подошедший к месту перекрытия двух соседних витков оттолкнул, прижал к краю провода, затормозил своим полем электрон оказавшийся параллельным, но этот в свою очередь так же оттолкнул первый электрон. Что произошло? Образовался эффект обратный конденсаторному, где электроны притягиваются дырками, только здесь участники электроны, которые взаимно друг друга отталкивают и тормозят тем самым движение по проводу. Так происходит со всеми парами. Поясняю, взгляните на изображение показывающее принцип действия катушки индуктивности:
На рис.1 электроны испытывают взаимное отталкивающее действие в результате чего провод электрически утончается (рис.2). Рис.3 поясняет работу трех-витковой катушки. Видно, что электрон в среднем витке выдавился в середину провода - давление на электроны возросло в два раза - провод стал электрически еще тоньше и в нем стало циркулировать меньше свободных электронов - сопротивление возросло. Действие поля подобно механической пружине. Как мы уже заметили сопротивление с каждым витком увеличивается в два раза, а это уже называется нелинейной зависимостью сопротивления. Но прежде, чем продолжить дальше, разберем работу меандрового сигнала на емкостную нагрузку.
*Имеется ввиду, что сопротивление представляет комплекс из двух и более сопротивлений, которые в сумме дают т.н. импеданс, т.е. общее сопротивление. Например катушка индуктивности обладает комплексным сопротивлением. Ее комплекс состоит из двух сопротивлений: первое, сопротивление переменному току, т.е. индуктивное и оно называется еще реактивным или мнимым; второе, сопротивление постоянному току - активное, которым является сопротивление проволоки катушки. Мнимым называют реактивное сопротивление потому, что оно мнимое, стеснительное или скрытое.
Вложения:
Комментарий к файлу: Принцип действия катушки индуктивности ind.jpg [113.79 KiB]
Скачиваний: 756
Комментарий к файлу: Нагрузка для триода IndRH1.jpg [58.44 KiB]
Скачиваний: 547
Комментарий к файлу: Схема усилителя Usil88-108.jpg [42.69 KiB]
Скачиваний: 705
Зарегистрирован: Вс мар 29, 2009 16:54:18 Сообщений: 150
Рейтинг сообщения:0
Первое изображение, на нем каскад с чисто активной нагрузкой в виде одного резистора и его нагрузочная прямая:
Она справедлива для постоянного и переменного токов. Сопротивление резистора для этих токов всегда постоянно, например, 10 Ом и они создают на нем линейное падение напряжения, что собственно говоря и показывает такая нагрузочная прямая. Строится прямая просто, точка на координате X (Uвых) берется из расчета напряжения питания транзистора, например, 5 Вольт; точка на другой координате Y (Iвых) из расчета, что при полностью открытом транзисторе напряжение его питания вызовет на сопротивлении, например, 10 Ом падение всего напряжения и создаст ток в 0.5 Ампера.
На втором рисунке показан каскад на p-n-p транзисторе с комплексной нагрузкой состоящей из двух сопротивлений активного (резистивного) и реактивного (емкостного):
На третьем рисунке показана диаграмма работы этого каскада, для удобства она разбита на точки а, б, в, г, д:
При поступлении сигнала рабочая точка начинает вращается вокруг места, где она была выбрана на постоянном токе, т.е. вокруг точки "0".
Сигнал меандра складывается или вычитается из напряжения тока покоя. Когда транзистор откроется рабочая точка "0" переместится вверх со статической характеристики на динамическую и начнет по ней движение.
С точки "б" по точку "в" транзистор находится в частично закрытом состоянии и через него протекает небольшой ток. В это же время заряженный конденсатор начинает разряжаться через резистор, что приводит к росту напряжения питания транзистора. В точке "в" транзистор открывается и выходной ток быстро достигает точки "г". Открытый транзистор поддерживает на конденсаторе заряд до точки "д" и закрывается.
На четвертом изображении представлены диаграммы для синусоидального напряжения:
Рабочая точка "0", которая была выбрана для статической нагрузочной прямой на динамической нагрузочной характеристике начнет совершать круговые движения описывая эллипс. Сначало точка "0" находится в точке "а". Транзистор начинает плавно закрываться и вместе с ним падает напряжение на конденсаторе "С" разряжаясь через резистор "R" при этом напряжение коллектор-эмиттер растет. Ток достиг своего минимума в точке "б", далее, транзистор начинает снова открываться. С этого момента наблюдается любопытная вещь - напряжение коллектор-эмиттер должно начинать снова падать, а оно продолжает некоторое время расти с одновременным увеличением тока коллектора. Такой эффект обусловлен продолжающимся разрядом через резистор "R" конденсатора "C". Далее, напряжение коллектор-эммиттер продолжает падать вследствии заряда конденсатора, затем все повторяется вновь.
Вложения:
Комментарий к файлу: Четвертое. 4.jpg [38.61 KiB]
Скачиваний: 763
Комментарий к файлу: Третье изображение 3.jpg [65.23 KiB]
Скачиваний: 784
Комментарий к файлу: Второе изображение 2.jpg [37.68 KiB]
Скачиваний: 736
Комментарий к файлу: Первое изображение 1.jpg [79.18 KiB]
Скачиваний: 754
Зарегистрирован: Вс мар 29, 2009 16:54:18 Сообщений: 150
Рейтинг сообщения:0
Не следует принимать все, что я рассказываю за абсолютную истину. В случае с катушкой я могу в какой-нибудь детали вопроса ошибаться, т.к. мне еще не довелось увидеть книги где бы описывались процессы происходящие в ней, что ставит под большое сомнение вообще наличие такого знания у человечества и наводит на вопрос происхождения знаний.
Так обстоит дело и со схемой включения транзистора. Во всех книгах написано одно и тоже, что различать схемы включения нужно по общему электроду, т.к. все книги на самом деле являются переписанными друг с друга с незначительной правкой и добавлениями. Я считаю такой подход не совсем верным. Обратим внимание на рисунок, на нем вы видите две схемы: "а)" и "б)". В чем их отличие? Схему на рисунке "а)" можно назвать "схемой с общим эмиттером", а схему на рисунке "б)" уже язык не поворачивается так назвать, хотя обе они схемы с ОЭ. Дело в том, что понятие схемы включения является более условным понятием, нежели практическим пришедшим видимо из теории четырехполюсников характеризующим набор определенных параметров. Для того чтобы точно узнать с какой схемой мы столкнулись нужно определить вход и выход каскада, а затем проверить инвертируется или нет входной сигнал, но строго от общего электрода входной цепи. Подобная проверка существует и для определения вида обратной связи. Если применять разные общие электроды для входной и выходной цепи, то можно получать каскад с разными зависимостями выходного напряжения от входного.
Вложения:
Комментарий к файлу: Рисунок graf39.jpg [130.17 KiB]
Скачиваний: 735
Зарегистрирован: Вс мар 29, 2009 16:54:18 Сообщений: 150
Рейтинг сообщения:0
Такой вопрос. Вот, например, имеется два транзистора со следующими параметрами:
VT1 h21э = 100
Uкэ = 12 Вольт
Iк = 2 Ампера
VT2 h21э = 100
Uкэ = 30 Вольт
Iк = 1 Ампер
Как вы заметили, все параметры разные, кроме h21э, который у обоих транзисторов одинаков. Меня интересует могу ли я заменить без подбора параметров один транзистор, к примеру VT1, на другой? Окажутся ли после замены одинаковыми токи?
Как я себе представляю, с развитием полупроводников быстро был достигнут технологический предел в очистке от примесей материала будущего кристалла из которого в дальнейшем сделают транзисторы. Материал для транзисторов широкого применения тоже один и тот же, следовательно, как я предполагаю все параметры касающиеся температурной зависимости и пр. у всех в будущем изготовленных транзисторов должны быть одинаковы, а разными будут лишь электрические величины h21э, Uкэ, Iк, которые, видимо, достигаются манипуляцией с толщиной слоев П/П кристалла. Значит ветви выходной характеристики высоковольтного транзистора должны быть продолжением ветвей низковольтного транзистора.
Зарегистрирован: Вс мар 29, 2009 16:54:18 Сообщений: 150
Рейтинг сообщения:0
Ясно. Хорошо бы смоделировать в симуляторе, но там до сих пор неясности с отечественной базой. С импортной пока связываться не хочу, т.к. у меня нет толковых справочников по ним и не знаю есть ли вообще такие.
Все-таки как легко ошибиться. Анализируя простенькую схему электронного VOX я было сначало подумал, что входной разделительный конденсатор C1 и резистор R1 образуют ФВЧ, но потом подумав еще немного сделал правильный вывод: ФВЧ образуется, но резистор R1 создает подпорку базе транзистора VT1, чтобы он не реагировал на легкие покачивания напряжения. Вообще хочу попробовать переложить схему на транзисторы КТ315 и КТ361. Как мне кажется их можно суда без перерасчета поставить.
Вложения:
Комментарий к файлу: VOX graf40.jpg [67.4 KiB]
Скачиваний: 790
Последний раз редактировалось KT608B Вт июл 21, 2009 23:17:24, всего редактировалось 1 раз.
Карма: 13
Рейтинг сообщений: 14
Зарегистрирован: Вс июн 01, 2008 00:17:35 Сообщений: 4673 Откуда: Я всего лишь плод вашего воображения...
Рейтинг сообщения:0 Медали: 1
KT608B писал(а):
Как вы заметили, все параметры разные, кроме h21э, который у обоих транзисторов одинаков. Меня интересует могу ли я заменить без подбора параметров один транзистор, к примеру VT1, на другой? Окажутся ли после замены одинаковыми токи? .
Если по предельным режимам вас устраивает другой транз, то берите смело. Надо ведь что учесть - схема усилителя (любого - транзисторного, лампового, на ОУ) строится либо так, что конкретные значения усиления не играют роли вообще (т.е. полагается, что коэффициент усиления не менее чем сколько-то, и при этом полностью работает принцип ФОС), либо вводится регулировка. Очевидно надо учитывать и другие параметры, но если речь только о h21э - то в принципе слепая замена возможна. Разумеется при небольших отличиях, так, например, трудно заменить 2SB772P на КТ814 - у них очень сильно h21э различаются, и если схема посчитана для первого, то для второго может просто базового тока не хватить - хотя величина h21э очень условно показывает связь базового и коллекторного токов (она вовсе непрямая и вообще никакая, отсюда и огромные диапазоны коэффициента), но в целом показывает, и чем этот параметр выше, тем меньший ток нужен, тем более высокие сопротивления во входных цепях. Т.е. это кагбэ УСЛОВНО разных классов транзисторы. Ну и понятно, что схема, использующая супербета-транзистор вообще вряд ли может перенести замену на обычный транзюк - ибо не от хорошей жизни там стоит такой транзюк, видимо входные цепи такие (это не ваш случай, это просто иллюстрация).
Цитата:
Вообще хочу попробовать переложить схему на транзисторы КТ315 и КТ361. Как мне кажется их можно суда без перерасчета поставить.
В этих симуляторах, если рассмотреть поближе, то почти все модели это импульсные транзисторы. Т.е. расчет построен в основном на расчете переходных процессов и частотных характеристик. Усиление и мощности большой роли не играет. Можно запросто построить стабилизатор на кт315 с током стабилизации 8 ампер, НО при этом емкости переходов кт315 будут отличаться от емкостей мощного транзистора и выходные характеристики это стабилизатора не будут соответствовать реальным.
Я для себя, (когда пользовался этими прогами) выбирал для расчета нужные мне параметры, остальные просто не указывал в описании модели.
В микрокапе, например, даже есть две параллельные модели одного и того же типа ОУ упрощенная модель (использует только основные характеристики) и точная модель(которая использует при расчете гораздо больше параметров).
Другое дело, когда программа рассчитывает вариант с наихудшими показателями элементов. Например в DesignLab есть расчет, когда программа начинает перебирать все возможные варианты сочетаний всех параметров (температурных, усиления, частотных и т.д.) В этом случае действительно желательно зарядить реальные параметры того, что будет использоваться.
Зарегистрирован: Вс мар 29, 2009 16:54:18 Сообщений: 150
Рейтинг сообщения:0
Пухич писал(а):
KT608B писал(а):
Что за схема?
Схема, которую я привел в сообщении. Это схема электронного коммутатора управляемого переменным напряжением на входе и в радиолюбительской среде именуемый просто от английской аббревиатуры VOX, т.к. изобрели его по видимому в европе. Привожу схему еще раз:
Хочу сделать к ней кое-какие комментарии. Оба транзистора в схеме находятся в так называемом "классе усиления С", когда нет смещения рабочей точки и транзистор может усиливать больший диапазон напряжений или токов.
Параметры используемого реле РЭС-60 0801 Напряжение - 6 вольт
Сопротивление обмотки - 70 Ом
Ток срабатывания - 51 мА
Ток отпускания - 11 мА
Параметры транзистора МП37 Коэффициент усиления - 15-30
Ток коллектора в режиме усиления - 20 мА
В режиме переключения при насыщении или имп. режиме - 150 мА
Параметры транзистора КТ315Б Коэффициент усиления - 50-350
Ток коллектора - 50 мА
В импульсном режиме из-за эффекта насыщения ток будет еще больше.*
Параметры RC цепи я вычислил по общеизвестной формуле t=RхC
С=30 мкФ=0,00003 Ф
Rt1=1,8к=1800 Ом
Rt2=312к=312000 Ом
Значения временных задержек для полного разряда конденсатора:
t1=0,054 секунды
t2=11,76 секунды
На практике задержки получатся еще больше, т.к. в расчет не было взято сопротивление перехода "б-э" транзистора VT2.
Зачем применен резистор R2? Он в некоторых пределах ограничивает диапазон изменения задержек времени, но я думаю основная роль его, это ограничение максимального тока базы VT2. Сделаем простой расчет чтобы в этом убедиться:
Из приведенных параметров на VT2 возьмем ориентировочно h21э=30. Какое брать значение h21э зависит от тока проходящего через него. На проходной характеристике отлично видно, как изменяется h21э - чем больше ток, тем выше коэффициент усиления.
В справочнике на КТ315 дается такая зависимость усиления:
Справочные значения коэффициентов усиления для графика такие.
Кт315(Б, Г) = 50-350
КТ315(А, В) = 20-90
Диапазон данный в справочнике больше, чем на графиках. Это можно объяснить тем, что в справочный диапазон включен разброс между образцами транзисторов или зависимостью h21э от температуры:
На графике зависимости h21э транзистора КТ315 от тока не указана температура при которой снимались режимы, значит измерения проводились при комнатной температуре +25 градусов цельсия. Видите, что коэффициент усиления при +25 на графике температурной зависимости соответствует значениям предыдущего графика. Обращайте внимание на режимы измерения параметров.
*Хочу добавить несколько слов об этом режиме "насыщения". Во всей литературе участком насыщения называется та часть кривой, где она делает сильный изгиб. Я думаю, что ошибки в этом нет, а есть слепое копирование инженерами научных изысканий из-за чего теряется ясность понятия "насыщения". Правильнее называть участком насыщения область кривой, где она идет линейно, но тот кто придумывал названия для частей графика сделал умнее. Он назвал насыщением часть графика, где транзистор только начинает в него входить.
Режим "отсечки" тока тоже просто понять, если представить, что ток базы, например, 0,03 мА отсекается. Ток этот вызывается обратным током коллектора транзистора.
Вложения:
Комментарий к файлу: Зависимость h21э транзистора КТ315 от температуры 60.jpg [136.93 KiB]
Скачиваний: 768
Комментарий к файлу: Зависимость h21э транзистора КТ315 от тока 57.jpg [171.12 KiB]
Скачиваний: 535
Комментарий к файлу: Проходная характеристика 569814.jpg [111.92 KiB]
Скачиваний: 495
Комментарий к файлу: VOX graf40.jpg [67.4 KiB]
Скачиваний: 763
Последний раз редактировалось KT608B Ср июл 22, 2009 01:39:20, всего редактировалось 16 раз(а).
Зарегистрирован: Вс мар 29, 2009 16:54:18 Сообщений: 150
Рейтинг сообщения:0
Практическое применение - автоматическое включение в трансиверных устройствах режима передачи при поступлении звукового сигнала. Мне она понравилась своей гениальной простотой. Блок-схема - Усилитель>Время задающая цепь>Ключ. Я бы во входной части, в замен VT1, применил полевой транзистор, но к сожалению мне еще с биполярными не все понятно. Он бы повысил входное сопротивление и уменьшил шунтирование схемой источника сигнала.
Последний раз редактировалось KT608B Ср июл 22, 2009 00:02:15, всего редактировалось 5 раз(а).
Карма: 46
Рейтинг сообщений: 236
Зарегистрирован: Чт окт 27, 2005 18:50:07 Сообщений: 11169 Откуда: из мест не столь отдалённых
Рейтинг сообщения:0 Медали: 2
Не совсем согласен насчёт ФНч, образованного С1 и Р1. Надо учесть входную ёмкость транзистора, из-за чего будет меняться полное входное сопротивление. Но для диапазона звуковых частотэтл н существенно.
Карма: 13
Рейтинг сообщений: 14
Зарегистрирован: Вс июн 01, 2008 00:17:35 Сообщений: 4673 Откуда: Я всего лишь плод вашего воображения...
Рейтинг сообщения:0 Медали: 1
KT608B писал(а):
Практическое применение - автоматическое включение в трансиверных устройствах режима передачи при поступлении звукового сигнала. Мне она понравилась своей гениальной простотой.
Понятно. Открывающийся VT1 заряжает С2 и открывает VT2, при закрытии VT1 С2 продолжает питать VT2. Занятно.
Сейчас этот форум просматривают: нет зарегистрированных пользователей и гости: 29
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения
Вход
Регистрация
Правила
FAQ
Поиск
