либо ШИМ не до конца остановлен (импульсы проскакивают) попробуй отключить или завесить ресетом контроллер.
либо через флюс или ещё какую бяку идёт утечка мимо транзистора — спасет резистор, подключенный параллельно светодиоду, но правильней устранить утечку.

ну, я пока без ШИМа пробую, просто сет\ресет порта. собрано на макетке беспаечной

значит утечка (может даже по корпусу транзистора) если транзистор мощный — вполне возможно эта утечка и через его кристалл : ставь резистор параллельно светодиоду

PCBWay - всего $5 за 10 печатных плат, первый заказ для новых клиентов БЕСПЛАТЕН

Сборка печатных плат от $30 + БЕСПЛАТНАЯ доставка по всему миру + трафарет

Онлайн просмотровщик Gerber-файлов от PCBWay + Услуги 3D печати

ок, попробую. а резюк какой? как рассчитать?
вообще утечки быть не должно. корпус ТО-92

Организация питания на основе надежных литиевых аккумуляторов EVE и микросхем азиатского производства

Качественное и безопасное устройство, работающее от аккумулятора, должно учитывать его физические и химические свойства, профили заряда и разряда, их изменение во времени и под влиянием различных условий, таких как температура и ток нагрузки. Мы расскажем о литий-ионных аккумуляторных батареях EVE и нескольких решениях от различных китайских компаний, рекомендуемых для разработок приложений с использованием этих АКБ. Представленные в статье китайские аналоги помогут заменить продукцию западных брендов с оптимизацией цены без потери качества.

Подробнее>>

да хоть 10кОм (от стока транзистора на плюс) чтобы он хоть чуть чуть нагружен оказался

Новый аккумулятор EVE серии PLM для GSM-трекеров, работающих в жёстких условиях (до -40°С)

Компания EVE выпустила новый аккумулятор серии PLM, сочетающий в себе высокую безопасность, длительный срок службы, широкий температурный диапазон и высокую токоотдачу даже при отрицательной температуре. Эти аккумуляторы поддерживают заряд при температуре от -40/-20°С (сниженным значением тока), безопасны (не воспламеняются и не взрываются) при механическом повреждении (протыкание и сдавливание), устойчивы к вибрации. Они могут применяться как для автотранспорта (трекеры, маячки, сигнализация), так и для промышленных устройств мониторинга, IoT-устройств.

Подробнее>>

Рассматривая даташит http://html.alldatasheet.com/html-pdf/1 ... bf998.html возник вопрос: насколько он защищён по входам внутренними диодами (может опечатка и в паре один стабилитрон) или требует внешней защиты скажем в схеме измерения на щупе?

Собственно перевел на русский страницу и вопрос отпадает- транзисторы защищены от скачков напряжения на входе интегрированными обратными (надо полагать обращёнными, переводы часто не точны) диодами. Ура, убираю внешние с их ёмкостями, что очень важно на частотах близких к 1 Ггц.

Столкнулся на днях с одной задачкой.
Есть J-FET. Каким образом простыми действиями можно определить какой вывод у него является истоком, а какой стоком?
Datasheet и справочные листы предполагают наличие трёх видов цоколёвки. Понятно, что сам затвор идентифицируется чётко...

J-FET под рукой не имею, но... по идее... При прозвонке канала сток-исток... Если замкнуть затвор на исток... Ток должен вырасти? По сравнению с затвором в воздухе.

Проблема в том, что канал там представляет одно однородное сопротивление и соединение завтор-сток и затвор исток практически равноценное. Например, при включении в режиме генератора тока (истокового повторителя), я не заметил какой-то серьёзной разницы в его работе.
Ничего не приходит в голову, как разве что замерять крутизну при включении с общим истоком. По идее, при правильном включении крутизна должна быть больше...

Именно так и рекомендовали поступать. Только не всегда это поможет: попадаются симметричные транзисторы, кажется, КП303 из таковых, правда, я сам с ними не имел дел.

Мой случай - это BF245, производитель как раз заявляет, что это транзистор имеет симметричный канал.
Собственно, это же касается имеющихся у меня КП103, на который также имеются различные данные по цоколёвке (корпус TO-92)

Собственно, если по крутизне не будет разницы при обоих включениях, то и в схеме тоже будет пофигу - работать будет.

Ну... получается, что если разницы в крутизне не наблюдается глазом. То и разницы во включении тоже не будет наблюдаться.

Вот потому и данные различны, что сток и исток неразличимы принципиально - кто как захотел, тот так и обозвал.
"И это правильно." (ц)

если транз силовой, возможно сток и исток различаются термосопротивением на радиатор. т.к. заряды тормозятся на стоке то он и греется больше особенно n канал.

BF245, корпус TO-92, быстрый, но слабенький.

Коллеги, как с помощью тестера отличить IGBT от MOSFET? Маркировка на корпусе не поддается прочтению, считаем, что ее нет.

Обязательно только с помощью одного "тестера". Ну, тогда пусть это будет тестер транзисторов. Засовываете в него транзистор, и он вам покажет, что это такое.

А вообще, проверется очень просто. На затвор подётся отпирающее напряжение. На сток-исток (коллектор-эмиттер) небольшой ток (через маленькую лампочку, резистор и т.п.).
Вольтметром проверяется падение напряжения между стоком-истоком. У IGBT оно будет всегда в районе вольта, в то время как у MOSFET прямо пропорционально току, соответственно, при небольшом токе совсем маленькое.

Slabovik, спасибо, но внешне 2 одинаковых корпуса из схемы, стоящие рядом этим китайским показометром показываются один как IGBT, другой как MOSFET. Так что показометру веры нет.

Добавлено after 1 minute 14 seconds:
Есть еще какая-нибудь метода, кроме предложенной выше?

у меня давольно тупой вопрос но всетаки... можно ли открытый полевой транзистор использовать как выпрямительный диод или спрошу по другому, в открытом состоянии полевой транзистор пропускает ток только в одном направлении? можно ли через него пропустить переменный ток ? можно ли зделать диодный мост из 4-ех открытых полевиков ? меня волнует направление тока через открытый полевик