не могу въехать в отличие джей-фета от мос-фета для практич. применения. на внутреннюю стр-ру не смотрю-сложновато для понимания. в чем принципиальные отличия? например почему джейфет а не другой транзистор на приложенной схеме? СПС
>http://en.wikipedia.org/wiki/JFET> ....Comparison with other transistors JFET gate current (the reverse leakage of the gate-to-channel junction) is comparable to that of a MOSFET (which has insulating oxide between gate and channel), but much less than the base current of a bipolar junction transistor. The JFET has higher transconductance than the MOSFET and is therefore used in some low-noise, high input-impedance op-amps.. ---------- transconductance - это усиление имеется в виду?
тут вероятно его применили потому-что не нужно задавать схему смещения, что при таких напряжениях было бы проблематично. он нормально открыт на средненький ток, небольшие изменения Uзи будут чуть приоткрывать и чуть призакрывать его
tc - это видимо 'крутизна' по нашему, от 'коэффициента усиления' отличается тем что сравнивает несравнимое - выходной ток к входному напряжению
tc - это видимо 'крутизна' по нашему, от 'коэффициента усиления' отличается тем что сравнивает несравнимое - выходной ток к входному напряжению
вот это я пока не понял.. читаю но не въезжаю.. transconductance а по-русски как этот термин называется? ps: имхо: если ток это функция напряжения пусть даже нелинейная то в принципе можно то и сравнивать..но отличие от понятия усилене не вижу. и как понимать транскондукцию если например транзистор управляется независимым источником ЭДС?
Обязательным условием долгой и стабильной работы Li-FePO4-аккумуляторов, в том числе и производства EVE Energy, является применение специализированных BMS-микросхем. Литий-железофосфатные АКБ отличаются такими характеристиками, как высокая многократность циклов заряда-разряда, безопасность, возможность быстрой зарядки, устойчивость к буферному режиму работы и приемлемая стоимость. Но для этих АКБ очень важен контроль процесса заряда и разряда для избегания воздействия внешнего зарядного напряжения после достижения 100% заряда. Инженеры КОМПЭЛ подготовили список таких решений от разных производителей.
если изменение напряжения на 1в меняет ток на 100ма это ослабление или усиление? зависит от сопротивления на стоке и напряжения питания. потому коэффициентом усиления сложно это назвать. я не 100% уверен что tc это 'крутизна', но скорее всего это так и есть, основная характеристика полевиков и ламп.
не все нормально открыты, есть обедненные и обогащенные, одни открыты другие закрыты, какие из них какие не помню, но нормально закрытые вроде по другому рисуются
Компания EVE выпустила новый аккумулятор серии PLM, сочетающий в себе высокую безопасность, длительный срок службы, широкий температурный диапазон и высокую токоотдачу даже при отрицательной температуре.
Эти аккумуляторы поддерживают заряд при температуре от -40/-20°С (сниженным значением тока), безопасны (не воспламеняются и не взрываются) при механическом повреждении (протыкание и сдавливание), устойчивы к вибрации. Они могут применяться как для автотранспорта (трекеры, маячки, сигнализация), так и для промышленных устройств мониторинга, IoT-устройств.
...Transconductance is an expression of the performance of a bipolar transistor or field-effect transistor (FET). In general, the larger the transconductance figure for a device, the greater the gain(amplification) it is capable of delivering, when all other factors are held constant.... (C)
transconductance - крутизна, отношение малого приращения тока сток-исток к приращению напряжения затвор-исток, его вызвавшему, при постоянном напряжении сток-исток. Показывает, насколько резко транзистор реагирует на изменение напряжения затвор-исток.
А так... Отличия JFET от MOSFET:
1. У MOSFET более высокое входное сопротивление. 2. У JFET нет порогового напряжения затвор-исток. 3. MOSFET чувствительны к статике (хотя сейчас уже все равно, все приборы выпускаются с защитой; у меня еще ничего не получилось спалить статикой). 4. У JFET зачастую больше крутизна. 5. Ну и главное отличие - JFET работате в режиме обеднения, а MOSFET (с индуцированным каналом) - в режиме обогащения.
_________________ Разница между теорией и практикой на практике гораздо больше, чем в теории.
добавлю немного. ПРИНЦИПИАЛЬНОЕ отличие мосфета от джейфета - формирование затворной области. у мосфета между каналом и затвором - изолятор(обычно диоксид кремния) у джейфета - обратносмещенный p-n переход.
_________________ " Если на небе есть ангелы, то, их небесное воинство построено на принципах мафии" У.Н. Румфорд. ---------- http://www.youtube.com/watch?v=qWfIYU9Zzs4 А.К. "Легион"
значит ли это что он в принципе от 0.000? вольт пахать будет?
Да, значит... В принципе он может работать без смещения. При 0В у него не нулевой ток стока. Чтобы его запереть, нужно подать отрицательное напряжение на затвор относительно истока. Положительные напряжения допускаются, но не большие - не более 0,5В (а лучше поменьше), иначе откроется управляющий p-n переход.
Вот в этой статье работа полевых JFET-транзисторов проанализирована автором исключительно по графическому представлению т.н. "выходной характеристики" транзисторов десяти типов. Переводчик статьи имеет честь представить её на суд жаждущих знаний читателей...
дык JFET - это просто полевой транзистор с p-n-переходом?
Похоже на то. Хотя они вроде как сильно умощнились, вот и стали *FET. Вобщем самого интересует этот вопрос. PS: Так что получается: на одном транзисторе можно собрать вполне терпимый усилитель без дополнительных каскадов раскачки, а упрявлять, например, напрямую от плеера?
JFET/ПТУП - полевой транзистор с управляющим p-n переходом. Коротко - при увеличении обратного напряжения перехода ОПЗ перехода перекрывает канал.
MOSFET/ПТИЗ - полевой транзистор с изолированным затвором. При увеличении напряжения на затворе происходит инверсия типа проводимости полупроводника под ним, и образуется канал. Чем больше напряжение на затворе - тем шире канал. Полярность управляющего напряжения определяется типом используемых зарядоносителей (электроны/дырки).
Цитата:
Так что получается: на одном транзисторе можно собрать вполне терпимый усилитель без дополнительных каскадов раскачки, а упрявлять, например, напрямую от плеера?
Это можно сделать и на биполярнике. Кстати, биполярник по буржуйски - BJT, если кто не знал.
_________________ Разница между теорией и практикой на практике гораздо больше, чем в теории.
Криво выразился, не совсем то имел в виду. Начальное состояние у него вроде как "полуоткрыт", а значит не нужно никакое дополнительное смещение рабочей точки.
Согласен с rustot. Транзистор с P-N переходом, при нулевом напряжении затвор-исток не "полуоткрыт" и не "готов открыться", а "почти полностью открыт". Его можно открыть посильнее, при положительном (для N-канального) напряжении затвора, но тут нужно без фанатизма, чтобы не открыть P-N переход затвора.
Сейчас этот форум просматривают: нет зарегистрированных пользователей и гости: 25
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения