Форум РадиоКот

yaotzin писал(а):

rustot писал(а):насколько помню теорию, тонкость базы не является неотъемлемым свойством транзистора обязательным для работы. базу делают тонкой чтобы повысить быстродействие, в связи с очень низкой скоростью движения носителей. а так по идее и база милиметровой толшины не помешает использовать транзистор в нч схемах, носители пролетят между коллектором и эмиттером несмотря на толщину

я тут два диода соединил, они транзистором не являются - за счет того что база вышла большая, И данный так сказать "транзистор" - не работает.

у него база не является общей. если выдерете из диода кристалы и слепите получится транзистор

rustot писал(а):у него база не является общей. если выдерете из диода кристалы и слепите получится транзистор

Какова, по-вашему, длина свободного пробега неосновных носителей заряда?

rustot писал(а):у него база не является общей. если выдерете из диода кристалы и слепите получится транзистор

т.е. по вашему база транзистора может быть равной по площаде эмиттера и коллектора и все равно это будит транзистор?

Gudd-Head писал(а):Какова, по-вашему, длина свободного пробега неосновных носителей заряда?

думаю не менее десятых долей мм, первые транзисторы не очень тонкие были. гонка за долями микрометров это гонка за быстродействием

yaotzin писал(а):т.е. по вашему база транзистора может быть равной по площаде эмиттера и коллектора и все равно это будит транзистор?

не понял вопроса. почему нет? коллектор побольше конечно по соображениям мощности но площадь одной стороны базы равна площади коллектора, с другой площади эмиттера

или вы про толщину а не площадь? так в первых точечных транзисторов база была гораздо больше эмиттера и коллектора. одна большая база и на ней точки эмиттера и коллектора

rustot писал(а):

Gudd-Head писал(а):думаю не менее десятых долей мм, первые транзисторы не очень тонкие были. гонка за долями микрометров это гонка за быстродействием

17я страница вверху http://oldradioclub.ru/retrolib/books/mrb0809.djvu

ток внесет в базу область p - свободные электроны из эмиттера который состояит из полупроводника типа N. А так как база тонкая то лишь небольшого количества этих электронов хватит для заполнения дырок области P.

Т.е. область P заполнена - барьера нет - и электроны пошли дальше(те которые зашли с эмиттера). Я по другому принцип транзистора не понимаю - если вы понимаете его по другому сам принцип - я слушаю.

там и карт инка есть где у базы (область P) все ковалентные связи заполнены(дырки) - электронами, поскольку они все заполнены в N области коллектора не может быть положительно заряженных ионов - соответственно барьера не будит!

yaotzin писал(а):Т.е. область P заполнена - барьера нет - и электроны пошли дальше(те которые зашли с эмиттера). Я по другому принцип транзистора не понимаю - если вы понимаете его по другому сам принцип - я слушаю.

в чем вы видите противоречие с тем что я говорю, не понимаю. ну тонкая база, это какое то абсолютное понятие что ли? потолще в 2 раза станет работаться перестанет? а в 4? базы же и в долях микрона были и в долях миллиметра и все работало и так и так. меняется в первую очередь быстродействие

ну просто пишут тонкая должна быть, ну если вы говорите это не принципиально, поверю

не поручусь головой но думаю транзистор будет работать и с сантиметровой толщиной базы, с реакцией на изменение напряжения в десятые доли секунды и коэффициентом усиления меньше единицы, то есть на практике бесполезным. долет носителя это же дело вероятностное а не так чтобы вот 12 микрон пролетел а 12.01 ну никак

почему тогда два диода соединив не вышло транзистора ? я его пытался открыть - он не открывался

rustot писал(а):думаю транзистор будет работать и с сантиметровой толщиной базы

Челябинские транзисторы настолько суровы
Читайте матчасть, потом думайте.

а какая принципиальная тут засада, поясните? концентрация неосновных носителей в базе будет убывать по экспоненциальному закону K/exp(толшина). никогда не достигая нуля, коэффициент усиления по току в какой то момент станет меньше 1 но я об этом сказал, но он и нуля не достигнет. принципиальная возможность изменить ток коллектора изменяя ток базы же останется? или нет и есть какая то принципиальная граница толщины базы?

про сантиметровую базу это так игра ума, первоначальный мой пост о другом был. начиная с какой-то достаточно большой (на порядки больше реально изготовляемых) толшины базы график распределения носителей в объеме базы становится очень пологим и дальнейшее утоньшение базы не имеет целью улучшить основное качество - усиление по току. зато напрямую увеличивает скорость реакции, быстродействие, частоту

rustot писал(а):начиная с какой-то достаточно большой (на порядки больше реально изготовляемых) толшины базы...

...у вас получатся просто два встречно включённых диода.

Почему при добавлении акцептора Бора в Кремний, получается дырка ? Ведь 3 валентных электрона Бора ни куда грубо говря с орбиты не ушли, а лишь образовали ковалентную свзяь с кремением.

Почему дырка то появляется ? Дырка это положительный ион, в данном случаем атом Бора не становится положиьтельным ионом - а остается нейтральным атомом.

так он и остается электрически нейтральным, число электронов равно числу протонов независимо от типа проводимости. меняется только количество потенциальных ямок в его структуре, а средний потенциал остается нулевым. 'лишними' или 'недостающими' являются не электроны, а как раз эти ямки. если их слишком мало, то часть электронов вне их и свободно катается по плоской потенциальной поверхности. если их слишком много то все электроны всегда в своих ямках, но легко перескакивают в соседнюю свободную ямку (между ними почти нет барьера, перескочить в соседнюю гораздо проще чем выбраться на плоскую поверхность). если число ямок строго равно числу электронов, то все сидят на своих местах и не двигаются

Так откуда у Бора - эта ямка ? Если все уровни у него заполнены и он являеться электрически нейтральным ?

вот картинки, можно немного почитать, сдесь понятно расписано, открывайте картинки в правильном порядке!

Lander писал(а):Почему при добавлении акцептора Бора в Кремний, получается дырка ? Ведь 3 валентных электрона Бора ни куда грубо говря с орбиты не ушли, а лишь образовали ковалентную свзяь с кремением.

Почему дырка то появляется ? Дырка это положительный ион, в данном случаем атом Бора не становится положиьтельным ионом - а остается нейтральным атомом.

Объясняю, у кремния 4 валентных, у бора 3 валентных, может ли 4й валентный электрон с кремния занять дырку у бора ? безусловно может после перехода от кремния 4го электрона в ковалентную связь бора, материал стает P проводимости. т.е. появляется кремний атому (протону) которому не хватает электрона(положительный ион).

P.S. если что не так мой учитель Kotische если что он виноват