Форум РадиоКот

Очень просто не зависит. Предположим R=const и С=const. Тогда при маленьком напряжении входном, кондёр зарядится МАЛЕНЬКИМ током за время Т. А при большем напряжении, ток заряда выходит больший, от того время снова равно Т.

Ааа.. Вон оно как... Спасибо за разъяснение
Нашёл формулу: t=Q/I. Попробовал рассчитать скорость разряда затвора транзистора IRF4905(ёмкость у него 3400пФ, а Total Gate Charge 180нКл при напряжении затвора 10В) резистором в 1Ком. Получается, если Q=C*U, то Q=0.0000034Ф*10В= 0.000034Кл. Делим это на 0.01А получается 0.0034 секунды.
Если взять значение из даташит, то заряд 0.00000018Кл/0.01=0.000018сек.
В итоге - ничего не сходится...

Общий заряд затвора включает в себя не только заряд входной емкости, но и заряд емкости Миллера.
Последний заряд не только соизмерим со входным, но и порой заметно больше...

В даташите даётся три заряда: Total Gate Charge, Gate-to-Source Charge и Miller Charge. Их нужно сложить всех?

Нет, общий заряд затвора Total Gate Charge и есть сумма приведенная ко входу.
ЗЫ. Когда Вы считаете время заряда-разряда затвора как отношение заряда к току, то должны понимать, что эта формула будет справедлива при ПОСТОЯННОМ ТОКЕ заряда-разряда.
Что далеко не всегда так...

Её я и использовал в расчётах, но они противоречат друг другу..
Чёт затянулись поиски истины у меня... Может поможете рассчитать минимальный номинал подтягивающего резистора затвора на напряжение затвора 12В и частоту 15кГц.

Транзистор кстати IRF4905

А в чем смысл подтяжки?
Если к затвору подключен источник ЭДС, то имеет значение его внутреннее сопротивление и сопротивление в затворе (последовательное), а подтяжка шунтирована этим источником...

Затвор подключается к земле через оптрон, поэтому, когда нет управляющего напряжения, то затвор практически висит в воздухе, в это время резистор и разряжает затвор на +12В.

А у Вас на приведенной схеме исток куда подключен?
Судя по схеме, к нагрузке...
Но если исток подключить к +12 вольтам, то время разряда затвора будет примерно равно Q*R/Eпит.
Заряд затвора определится током фототранзистора, который равен произведению тока светодиода на коэффициент передачи оптрона.
Правда тут есть одно НО...
Дело в том, что при уменьшении сопротивления подтяжки необходимо контролировать ключевой режим фототранзистора, то есть сопротивление подтяжки должно быть не менее, чем Eпит/Iколл.фототр. или Eпит*Коптр./I светодиода.
Есть смутное предположение, местами переходящее в железобетонную уверенность, что такой музыкальный инструмент играть не будет...
Слишком большой заряд затвора для такой частоты и такого хилого драйвера как оптрон...

Тут возникла такая идея, Раз абсолютный ноль вольт, не получить на затворе ПТ после однотактного биполярного ключа,
даже теоретически. Может тогда послать запирающий минус, во время лог.0, на затвор ПТ.
Сигнал операционкой надо как то сдвинуть в отрицательное поле на 50%,
Если есть такой изобретенный "велосипед" поделитесь соображениями, ссылками.
Двухтактный биполярный ключ на скорую руку начертил.

Кстати, отрицательный лог.0. думаю быстрее разрядит емкость затвора ПТ обогащенного, N-канального типа, ежели он будет через резистор на корпус разряжаться.

ИСТОК подключен к +12, а СТОК к нагрузке (мосфет Р-канальный).
А причём тут оптотранзистор? Чтобы открыть мосфет, мы полностью заряжаем его конденсатор(паразитный). Чтобы его отключить, мы его полностью разряжаем. Этим и занимается подтяжка. Просто нужно выбрать номинал, которого будет достаточно и для своевременного разряда конденсатора, и который не будет препятствовать оптрону в процессе заряда паразитной ёмкости.

Фототранзистор тут при том, что чтобы быть ОТКРЫТЫМ КЛЮЧОМ, фототранзистор должен находится в НАСЫЩЕНИИ, однако режим насыщения гарантируется ТОКОМ КОЛЛЕКТОРА, который должен быть в открытом состоянии не менее, чем отношение напряжение источника питания к сопротивлению в коллекторе. А сопротивление в коллекторе и есть тот самый подтягивающий резистор.
То есть фактически в данной схеме Вы не можете выбрать этот резистор сколь угодно малым....
Если взять стандартный оптрон с коэффициентом передачи в 100%, то максимальный ток коллектора определится максимальным током светодиода.
Примерно 30...40 мА (50 мА - предельно допустимый).
То есть минимальное сопротивление резистора подтяжки составит 12В/30мА=240 Ом
Теперь узнаем время выключения МОСФЕТА: 180 нКл/30мА=6 мкс, на самом деле ток будет экспоненциальный и время практически удвоится до 10 мкс.
При периоде 60 мкс и фронте 10 мкс на стоке МОСФЕТА будет рассеиваться 1/12 от мощности в нагрузке...
Это только динамических потерь... И только на выключение...
Реально примерно 10%.

Шунг писал(а):Тут возникла такая идея

Почему бы и нет?
Только после запирания отрицательным напряжением, затвор лучше всё-таки подтягивать к нулю чтобы потом включался быстрее.

КРАМ писал(а):То есть фактически в данной схеме Вы не можете выбрать этот резистор сколь угодно малым....

Ну это понятно, я вам в предыдущем посте объяснял...
Щас провёл опыты. Сделал подтяжку в килоом, подключил нагрузку в 2.5А, начал регулировать ШИМ. Транзистор IRF5305(IRF4905 пока в наличии не имеется) за 2мин. нагрелся градусов до 50, причём нагрев одинаковый как на 30% ШИМ так и на 90%. Попробую в протеусе смоделировать схему и поиграть с номиналами, чтоб фронты по круче были...

Уууууууууууууу... Тебе же посчитали. 240 Ом.

В очередной раз выкладываю "драйвер для бедных":

isx писал(а):причём нагрев одинаковый как на 30% ШИМ так и на 90%.

Нагрев зависит не от скважности, а от ЧАСТОТЫ. Чем выше частота, тем большую часть периода занимает процесс переключения.
А тепло выделяется именно во время переключения, когда ключ входит в активный режим.
5305-ый имеет в 3 раза меньший заряд затвора, чем 4905-ый.
То есть при 2,5 амперах получится динамической мощности на стоке примерно 1 ватт (можете сами посчитать).
Далее все будет зависеть от конвекции. Для 1 ватта перегрев без радиатора составит 62 градуса (у кристалла). То есть примерно 90 градусов абсолютной температуры. Корпус будет градусов на 10...20 холоднее.

просто КОТ писал(а):Тебе же посчитали. 240 Ом.

Оптрон PC817 имеет максимальный ток 50мА., следовательно ставим резистор на 240 Ом. Тут 240, там 240 итого получается 6В на затворе. Не маловато.?

Gudd-Head писал(а):"драйвер для бедных"

Д не в бедноте дело . Пытаюсь уменьшить количество деталей на плате, дабы уменьшить её размеры. Если не выйдет, то поставлю два оптрона, один на открытие затвора, другой на закрытие.

КРАМ писал(а):динамической мощности на стоке примерно 1 ватт (можете сами посчитать)

А можете пояснить как считали? Я просто с динамическими потерями пока не сталкивался...

КРАМ писал(а):Для 1 ватта перегрев без радиатора составит 62 градуса

И этот момент поясните пожалуйста, как переводите ватты в градусы?

Привет, котаны! Помогите подобрать транзистор для управления нагрузкой, потреблять она будет около 3 ампер.





Сюда перенес.
Схему Вам придется менять, т.к. Вы поставили транзистор по схеме с общим коллектором(эмиттерный повторитель), поэтому независимо от напряжения питания такой схемы, на выходе получите напряжение меньше, чем на входе.
Вам нужна схема с общим эмиттером или с общим истоком в случае применения полевого транзистора.
aen