Форум РадиоКот

Тут возникла такая идея, Раз абсолютный ноль вольт, не получить на затворе ПТ после однотактного биполярного ключа,
даже теоретически. Может тогда послать запирающий минус, во время лог.0, на затвор ПТ.
Сигнал операционкой надо как то сдвинуть в отрицательное поле на 50%,
Если есть такой изобретенный "велосипед" поделитесь соображениями, ссылками.
Двухтактный биполярный ключ на скорую руку начертил.

Кстати, отрицательный лог.0. думаю быстрее разрядит емкость затвора ПТ обогащенного, N-канального типа, ежели он будет через резистор на корпус разряжаться.

ИСТОК подключен к +12, а СТОК к нагрузке (мосфет Р-канальный).
А причём тут оптотранзистор? Чтобы открыть мосфет, мы полностью заряжаем его конденсатор(паразитный). Чтобы его отключить, мы его полностью разряжаем. Этим и занимается подтяжка. Просто нужно выбрать номинал, которого будет достаточно и для своевременного разряда конденсатора, и который не будет препятствовать оптрону в процессе заряда паразитной ёмкости.

Фототранзистор тут при том, что чтобы быть ОТКРЫТЫМ КЛЮЧОМ, фототранзистор должен находится в НАСЫЩЕНИИ, однако режим насыщения гарантируется ТОКОМ КОЛЛЕКТОРА, который должен быть в открытом состоянии не менее, чем отношение напряжение источника питания к сопротивлению в коллекторе. А сопротивление в коллекторе и есть тот самый подтягивающий резистор.
То есть фактически в данной схеме Вы не можете выбрать этот резистор сколь угодно малым....
Если взять стандартный оптрон с коэффициентом передачи в 100%, то максимальный ток коллектора определится максимальным током светодиода.
Примерно 30...40 мА (50 мА - предельно допустимый).
То есть минимальное сопротивление резистора подтяжки составит 12В/30мА=240 Ом
Теперь узнаем время выключения МОСФЕТА: 180 нКл/30мА=6 мкс, на самом деле ток будет экспоненциальный и время практически удвоится до 10 мкс.
При периоде 60 мкс и фронте 10 мкс на стоке МОСФЕТА будет рассеиваться 1/12 от мощности в нагрузке...
Это только динамических потерь... И только на выключение...
Реально примерно 10%.

Шунг писал(а):Тут возникла такая идея

Почему бы и нет?
Только после запирания отрицательным напряжением, затвор лучше всё-таки подтягивать к нулю чтобы потом включался быстрее.

КРАМ писал(а):То есть фактически в данной схеме Вы не можете выбрать этот резистор сколь угодно малым....

Ну это понятно, я вам в предыдущем посте объяснял...
Щас провёл опыты. Сделал подтяжку в килоом, подключил нагрузку в 2.5А, начал регулировать ШИМ. Транзистор IRF5305(IRF4905 пока в наличии не имеется) за 2мин. нагрелся градусов до 50, причём нагрев одинаковый как на 30% ШИМ так и на 90%. Попробую в протеусе смоделировать схему и поиграть с номиналами, чтоб фронты по круче были...

Уууууууууууууу... Тебе же посчитали. 240 Ом.

В очередной раз выкладываю "драйвер для бедных":

isx писал(а):причём нагрев одинаковый как на 30% ШИМ так и на 90%.

Нагрев зависит не от скважности, а от ЧАСТОТЫ. Чем выше частота, тем большую часть периода занимает процесс переключения.
А тепло выделяется именно во время переключения, когда ключ входит в активный режим.
5305-ый имеет в 3 раза меньший заряд затвора, чем 4905-ый.
То есть при 2,5 амперах получится динамической мощности на стоке примерно 1 ватт (можете сами посчитать).
Далее все будет зависеть от конвекции. Для 1 ватта перегрев без радиатора составит 62 градуса (у кристалла). То есть примерно 90 градусов абсолютной температуры. Корпус будет градусов на 10...20 холоднее.

просто КОТ писал(а):Тебе же посчитали. 240 Ом.

Оптрон PC817 имеет максимальный ток 50мА., следовательно ставим резистор на 240 Ом. Тут 240, там 240 итого получается 6В на затворе. Не маловато.?

Gudd-Head писал(а):"драйвер для бедных"

Д не в бедноте дело . Пытаюсь уменьшить количество деталей на плате, дабы уменьшить её размеры. Если не выйдет, то поставлю два оптрона, один на открытие затвора, другой на закрытие.

КРАМ писал(а):динамической мощности на стоке примерно 1 ватт (можете сами посчитать)

А можете пояснить как считали? Я просто с динамическими потерями пока не сталкивался...

КРАМ писал(а):Для 1 ватта перегрев без радиатора составит 62 градуса

И этот момент поясните пожалуйста, как переводите ватты в градусы?

Привет, котаны! Помогите подобрать транзистор для управления нагрузкой, потреблять она будет около 3 ампер.





Сюда перенес.
Схему Вам придется менять, т.к. Вы поставили транзистор по схеме с общим коллектором(эмиттерный повторитель), поэтому независимо от напряжения питания такой схемы, на выходе получите напряжение меньше, чем на входе.
Вам нужна схема с общим эмиттером или с общим истоком в случае применения полевого транзистора.
aen

isx писал(а):

просто КОТ писал(а):Тебе же посчитали. 240 Ом.

Оптрон PC817 имеет максимальный ток 50мА., следовательно ставим резистор на 240 Ом. Тут 240, там 240 итого получается 6В на затворе. Не маловато.?

6 вольт на затворе и означают, что фототранзистор находится в АКТИВНОМ режиме. То есть нужно увеличивать ток СВЕТОДИОДА...
Кстати, 50 мА это максимальный ток не оптрона, а СВЕТОДИОДА оптрона.

isx писал(а):

КРАМ писал(а):динамической мощности на стоке примерно 1 ватт (можете сами посчитать)

А можете пояснить как считали? Я просто с динамическими потерями пока не сталкивался...

Очень просто. МГНОВЕННЫЕ динамические потери мощности на переключении будут равны половине мощности в нагрузке при открытом ключе. То есть 2,5А*12В/2=15 Вт. Средняя мощность потерь за период составит отношение этой мощности к скважности переключения. Скважность ВЫКЛЮЧЕНИЯ для 15 кГц и 60 нКл затворного заряда составит примерно 15. Получается 1 Ватт.

isx писал(а):

КРАМ писал(а):Для 1 ватта перегрев без радиатора составит 62 градуса

И этот момент поясните пожалуйста, как переводите ватты в градусы?

В даташите есть параметр транзистора, который называется тепловое сопротивление корпуса кристалл-окружающая среда.
Этот параметр показывает перегрев кристалла относительно окружающей среды выраженный в градусах на 1 ватт рассеиваемой мощности.
Для обсуждаемого транзистора он равен 62 град/ватт
Значит при 1 ватте на стоке перегрев составит 62 градуса. Если НЕПОСРЕДСТВЕННО вокруг корпуса транзистора температура воздуха будет 20 градусов, то температура кристалла(а не корпуса!!!) составит 20+62=82 градуса.
Эта величина не должна превышать предельно допустимую температуру прибора по даташиту при установленном в этом пределе ограничению по току стока...

Тогда получается какая-то такая схема?



Транзистор подойдет любой низкочастотный подходящий по току?

Такая схема не получается. транзистор никогда не будет закрыт.
Для запирания транзистора напряжение на между базой и эмиттером должно быть менее 0,3 вольт.

Почитал форум и нашел решение задачи похожей на мою, правда на меньший ток.



Что мне надо заменить в этой схеме, кроме нагрузки с паралельным ей диодом, и более мощного транзистора, если у меня нагрузка будет питаться от 16 вольт и является драйвером трехваттного светодиода?

Транзистор будет каким-то из этого списка
IRFL4310PBF
IRLML0100TRPBF.

В общем-то, ничего. Эта схема может и 100 В нагрузку включать, если рассчитан транзистор и его исток соединён с "землёй" МК.

является драйвером трехваттного светодиода?

Вместо мотора светодиод?
Напрямик нельзя,, схема ограничения- стабилизации тока нужна для светодиода.

Здравствуйте.
Прошу помощи в подборе транзистора или какого-либо другого способа решения задачи.
Требуется транзистор, способный включать и отключать по питанию сотовый модуль SIM900 по велению ножки микроконтроллера (для экономии батарей и защиты от зависания). Схема питается от батарей, которые могут просесть вплоть до 3.2 вольт. Все найденные мной транзисторы открываются минимум с 5 вольт, а уже с 4 вольт они открываются не полностью, и модуль отключается при попытке регистрации в сети. Проверял на BCP56 и полевике IRLML2402. Подскажите, пожалуйста, транзистор, который сможет полностью открыться уже при 3.2 вольтах с минимальным падением напряжения, желательно, небольшой, типа SOT223 или подобного размера.

Тебе нужны полевики logic-level они открываются начиная от 1.0В - IRLML6344TR как пример заявлено 37 миллиом при напряжении на затворе 2.5В.

Alexeyslav
Спасибо, нашел такие в магазине, попробую.

Alexeyslav
Подключил IRLML6344TR так: Gate - к микроконтроллеру через резистор, Source - к плюсу питания (+4.2В), Drain - к плюсу модуля. При поднятии ножки МК на Drain образовалось 3 вольта., модуль, естественно, игнорирует все попытки его запуска. Получается, транзистор недооткрылся? Или мне нужен другой тип (NPN/PNP)? Хотя, больше подозреваю свои кривые руки. Можете объяснить что может быть не так?