Страница 8 из 27
Re: p-n Переход (электронно-дырочный переход)
Добавлено: Ср июн 22, 2011 11:48:18
Алексей2011
Gudd-Head писал(а):
Там электрон является неосновным носителем заряда.
Думаю, это проще объяснить с точки зрения энергетических уровней. Про уровень Ферми слыхали?
Ну, то что он не является основным не дает ответа, как ему удается выпрыгивать из связей. Про уровни Ферми слышал и когда то учил это в политехе. С тех пор многое подзабылось, а принцип работы диода вобще ни когда не понимал (вернее в школе думал, что понимал, а выяснилось позже, что ни фига не въезжаю).
Света писал(а):
Уффф... Иногда уже пальцев не хватает, чтобы на них всё объяснять и приходится отправлять в квантовую физику, принципу Паули, уровню Ферми и тому подобное...
А нужно ли всё это?...
Не могу найти себе покоя, когда не могу понять как работает такая довольно простая вещь, как диод. Я же не прошу выкладки с математическими формулами и расчетами. Я хочу всего лишь понять сам смысл, получить словесное описания с категориями больше, меньше, примерно равно и т.д. Не думаю, что такое объяснение потребует глубинных познаний в физике и будет занимать больше, чем половину страницы текста.
Re: p-n Переход (электронно-дырочный переход)
Добавлено: Ср июн 22, 2011 12:01:33
Gudd-Head
Алексей2011 писал(а):Ну, то что он не является основным не дает ответа, как ему удается выпрыгивать из связей.
Дык, там он уже не в валентной зоне, а в зоне проводимости!
Алексей2011 писал(а):Про уровни Ферми слышал и когда то учил это в Политехе.
Коллега!

Re: p-n Переход (электронно-дырочный переход)
Добавлено: Ср июн 22, 2011 12:18:18
Алексей2011
Gudd-Head писал(а):
Дык, там он уже не в валентной зоне, а в зоне проводимости!

Хм, и в какой момент, интересно, он из зоны ковалетных связей успел перейти в зону проводимости?
У меня есть предположение, что энергия электрона в ковалентной связи достаточна, чтобы перейти в металл в зону проводимости. Т.е. в отличие от полупроводника металл допускает уровень энергии электрона в зоне проводимости равный или чут- чуть выше уровня энергии электрона, находящегося в ковалентной связи, в то время как в полупроводнике уровень энергии зоны проводимости находится довольно высоко. Поэтому приложенного электрического поля достаточно, чтобы чуть-чуть подтолкнув электрон из ковалентной связи перенести его в металл (клемма диода) в зону проводимости.
Если это так, то откуда берется достаточная энергия у электронов, входящих с правой стороны в диод в n-область? Ведь уровень энергии зоны проводимости в полупроводнике находится намного выше уровня энергии электрона в зоне проводимости металла.
Gudd-Head писал(а):
Коллега!


Re: p-n Переход (электронно-дырочный переход)
Добавлено: Ср июн 22, 2011 12:31:41
Gudd-Head
Алексей2011 писал(а):Хм, и в какой момент, интересно, он из зоны ковалетных связей успел перейти в зону проводимости?
Когда перешёл п-н переход и стал неосновным носителем заряда. Диаграммки с энергетическими уровнями это хорошо показывают.
Re: p-n Переход (электронно-дырочный переход)
Добавлено: Ср июн 22, 2011 13:24:29
Lander
yaotzin писал(а):Думаю тут вопрос твой должен быть не почему валентный электрон перешел от одного атома к другому, а почему создаются ковалентные связи.?
Кстати подумал, а атом-акцептор Бор полность переманивает электрон у Кремения или создает ковалетную связь, тоесть типа электрон Кремения начинает вращаться и вокруг атома Бора и атома Крмения. Но по идее если бы так было, то тогда откуда появилась бы дырка.
Если все таки появляется дыра, то ковалентной связи по крайне мере с атомом Кремния, у которо был украден электрон, не должно быть и атом кремения превращается в положительный Ион.
Но почему электрону Кремения нужно намного меньше энергии, что бы перейти к Бору, так и не разорбрался

Решил, что пока буду принимать это как должное, этакий закон Вселенной

Re: p-n Переход (электронно-дырочный переход)
Добавлено: Ср июн 22, 2011 13:45:10
Алексей2011
Надо еще немного почитать материал. Может что-то упустил из виду.
Re: p-n Переход (электронно-дырочный переход)
Добавлено: Ср июн 22, 2011 15:41:55
yaotzin
Lander писал(а):yaotzin писал(а):Думаю тут вопрос твой должен быть не почему валентный электрон перешел от одного атома к другому, а почему создаются ковалентные связи.?
Кстати подумал, а атом-акцептор Бор полность переманивает электрон у Кремения или создает ковалетную связь, тоесть типа электрон Кремения начинает вращаться и вокруг атома Бора и атома Крмения. Но по идее если бы так было, то тогда откуда появилась бы дырка.
Если все таки появляется дыра, то ковалентной связи по крайне мере с атомом Кремния, у которо был украден электрон, не должно быть и атом кремения превращается в положительный Ион.
Но почему электрону Кремения нужно намного меньше энергии, что бы перейти к Бору, так и не разорбрался

Решил, что пока буду принимать это как должное, этакий закон Вселенной

Как так полностью?, электроны только валентные покидают атомы, те что там еше есть электроны, на более низких уровнях они не покидают(может и покидают но только под нагревом или еше чемто - но не так много).
Ну не полностью этот электрон там крутится то к бору то к кремнию, но он там один а должно быть 2а электрона чтоб была
ковалентная связь.
Ну дырка означает свободное место где бы электрон (какой то другой смог бы впрыгнуть в эту дырку затратив мало энергии(ему легко ходить по дыркам)) посему электроны двигаются либо по дыркам в ковалентных связях либо в зоне проводимости - выше ковалентных связей.
Дырка в ковалентной связи!!!! там ходит не 2 электрона а 1
Что значит много меньше энергии, оно там все движется, т.е. электроны себе двигаются постоянно, нет такого чтоб электрон валентный перешел к бору и там остался(на то он и валентный), посветило солнце на материал - больше дырок станет и больше электронов в зоне проводимости, нагрелся материал тоже самое произойдет.
Ну если ты хочешь чтоб там ничего не двигалось - заморозь материал =]]]] по моему оно медленней станет.
Как бы читай тему там это было все, и я задавал такие же вопросы.
Re: p-n Переход (электронно-дырочный переход)
Добавлено: Ср июн 22, 2011 15:53:01
yaotzin
П.С. Свободные электроны находятся - (выше ковалентных связей) - называется зона проводимости(свободная зона).
Валентная зона - ниже зоны проводимости - там ковалентные связи.
А еще ниже там электроны которые сильно связаны с протонами.
Re: p-n Переход (электронно-дырочный переход)
Добавлено: Ср июн 22, 2011 15:56:06
yaotzin
каждый атом старается завершить свою последнюю оболочку - недостающим электроном, так создаются молекулы, и соотв. появляются положительные и отрицательные ионы.
Re: p-n Переход (электронно-дырочный переход)
Добавлено: Ср июн 22, 2011 16:08:07
Lander
yaotzin писал(а):Lander писал(а):
Много меньше по сравнению с собсвенным полупроводником, то есть чтобы в собсвенном полупроводнике, электрон смог оторваться от атома кремния нужно затратить больше энергии, чем по сравнению с тем, что электрон переходит на орбиту акцептора-Бора. Хотя перейдя на атом-Бора - это еще и не зона проводимости.
Тоесть если в собсвенном полупроводнике Кремнии один из элекронов просто взять и изьять, тлепортировать в другой участок Вселенной, то какая нужна энергия какого нибудь соседнего электрона Кремния, что бы он занял место этой дырки ?
Больше энергии перехода к акцептору-Бору или такую же ?
Re: p-n Переход (электронно-дырочный переход)
Добавлено: Ср июн 22, 2011 16:30:45
yaotzin
Алексей2011
Легче начать с прямого включения диода, нарисуйте направление электрического поля (когда подключают источник питания) при прямом включении(направление электронов и дырок куда они идут стрелочками), направление силы диффузии (куда движутся электроны и дырки), направление электрического поля дрейфа - куда движутся электроны и дырки - и тогда вам станет все ясно.
При чем должны представить какая сила когда сильней, и при каком подключении.
Когда происходит диффузия электронов с N области в P, создается как бы внутренняя батарейка со своим электрическим полем которое направляет электроны назад с P области в N(если бы этого не было то все электроны растеклись бы равномерно по P - N материалам). Но когда вы подключаете источник питания к диоду в прямом направлении то (сила диффузии электронов в P + поле источника питания направляющего с N в P электроны) все же гараздо больше чем электрическое поле дрейфа направляющие электроны назад с P в N. Поэтому электронам пофиг на дрейф и они проходят барьер.
Как бы читайте тему там все это есть. или нету =]
Re: p-n Переход (электронно-дырочный переход)
Добавлено: Ср июн 22, 2011 17:58:56
yaotzin
Больше энергии перехода к акцептору-Бору или такую же ?
Это уже к P-N переходу не относится =] там формулы есть в книжке Барьеры, берите читайте я в это не вникал, просто понял что есть ковалентные связи и что есть дырка в ковалентной связи, даже в голову не приходил такой вопросы что вы задали =] Кто его знает больше или меньше если электрон будит кружится все время - также как и другие электроны у которых нет дырки в ковалентной связи, вы у Kotishe спросите, он наверняка знает =]
Re: p-n Переход (электронно-дырочный переход)
Добавлено: Ср июн 22, 2011 18:01:43
yaotzin
Света писал(а):Алексей2011 писал(а):...Ваши рассуждения больше применимы для диффузного перехода носителей без приложения внешнего электрического поля...
При соединении вместе двух полупроводников разных типов проводимости (без приложения внешнего напряжения), часть свободных электронов рядом с границей соединения, под воздействием притяжения дырок, переходят границу и на границе образуется поле.
Они туда переходят не из-за притяжения дырок а под силой диффузии, просто растекаются как вода пролитая на пол.
Re: p-n Переход (электронно-дырочный переход)
Добавлено: Ср июн 22, 2011 18:12:23
yaotzin
Re: p-n Переход (электронно-дырочный переход)
Добавлено: Ср июн 22, 2011 18:22:23
Lander
Re: p-n Переход (электронно-дырочный переход)
Добавлено: Ср июн 22, 2011 19:04:42
Света
Есть прекрасная книжечка, написанная достаточно просто, которая вполне может помочь разобраться с p-n переходом:
Степаненко И.П. - Основы теории транзисторов и транзисторных схем (1977)
Re: p-n Переход (электронно-дырочный переход)
Добавлено: Ср июн 22, 2011 20:32:53
Lander
Не во всех книгах дается тупое описание. Вот в этой достаточно понятно, даже для меня (хотя вопросы все равно появились и я вновь на этом замечательном форуме

)
Библиотечка "Квант". Выпуск 65. Барьеры
Re: p-n Переход (электронно-дырочный переход)
Добавлено: Ср июн 22, 2011 21:33:15
yaotzin
Lander писал(а):Не во всех книгах дается тупое описание. Вот в этой достаточно понятно, даже для меня (хотя вопросы все равно появились и я вновь на этом замечательном форуме

)
Библиотечка "Квант". Выпуск 65. Барьеры
Да отличная книга, там еще вторая есть забыл название, я их распечатал, очень хорошие книги.
Re: p-n Переход (электронно-дырочный переход)
Добавлено: Чт июн 23, 2011 16:29:09
Lander
Блин, вдруг понял, что не понял.
Вот ввели пятивалентный Мышьяк в Кремний, четыре электрона Мышьяка вступили в связь с четырьма элетронами Кремния, а как ?? Если все электроны кремния образуют ковалентную (попарную) связь между собсвенными атомами. (?)

Re: p-n Переход (электронно-дырочный переход)
Добавлено: Чт июн 23, 2011 20:45:50
Gudd-Head
Lander писал(а):все электроны кремния образуют ковалентную (попарную) связь между собсвенными атомами.
А тут вместо собственного атома — мышьяк.