Форум РадиоКот

Ну например одного из проводников.

никак....конструкция позволяет не реагировать на внешние поля(посторонние) в пределах допуска

А есть какая нибудь ссылка на расчет ключа или каскада на поливике кп103?

http://www.google.ru/search?ie=UTF-8&hl ... 1%80%D0%B5
так хватит?

Верно ли я понял, что т.к. mosfet не имеет такого параметра как H21э то для ограничения тока который через него протекать будет резистор нужно ставить перед истоком иначе полевик пропустит через себя полное номинальное значение тока?

Ср + R3 это фильтр помех?



А зачем на этой схеме нужен Rн и Си и для чего Си шунтирует Rн?

Ср — разделительный конденсатор, отделяет постоянку
R3 — скорее всего для снятия статики (задание рабочей точки), порядка мегаом
Rн похоже на ту самую ООС по току, про которую вы писали вначале
Си компенсирует потери усиления из-за ООС для переменного сигнала.

А если заменить этот JFET на триод - получится по смыслу то же самый каскад. Rн и Cи это похоже на ООС по току и будет ей, но первично этим Rн приоткрывается полевик, чтобы каскад завести в класс А. Т.е. У нас на истоке относительно земли получается плюс сколь-то там вольт, а затвор притянут к земле с помощью Rз. Таким образом, на затворе относительно истока будет минус сколько-то там вольт. Так мы задаём рабочую точку и наш полевик сможет усиливать обе полуволны сигнала. Чтобы эта рабочая точка не улетала в стороны при подаче сигнала - есть Cи, который пропускает переменную составляющую помимо Rн.
Ещё засада в том, что Rн надо будет подбирать, т.к. JFETы (впрочем, мосфеты тоже) имеют разброс пороговых вольтов на открытие затвора.

Gudd-Head писал(а):Ср — разделительный конденсатор, отделяет постоянку
R3 — скорее всего для снятия статики (задание рабочей точки), порядка мегаом

Я только начинаю разбираться в электронике. "— разделительный конденсатор, отделяет постоянку" постоянный ток не течет через конденсатор. т.е. течет наносекунды пока зарядит 2 обкладки до номинального значения и стоп. Может импульсный ток?


R3 и Ср это снабер ?

http://ru.wikipedia.org/wiki/МОП-структ ... 0.B8.D1.8F


А как тогда другая часть заряда проскакивает мимо R3 и доходит до затвора, в смысле не все целиком уравновешивается между верхним и нижним проводами через R3?

И еще вопрос. http://ru.wikipedia.org/wiki/IGBT

IGBT и MOSFET требуют 12…15 В для полного включения и не нуждаются в отрицательном напряжении для выключения.

Зачем тогда указывают что управляющее напряжение допустим 30 вольт?

Gudd-Head писал(а):Ср — разделительный конденсатор, отделяет постоянку
R3 — скорее всего для снятия статики (задание рабочей точки), порядка мегаом
Rн похоже на ту самую ООС по току, про которую вы писали вначале
Си компенсирует потери усиления из-за ООС для переменного сигнала.

Уточню немного. Прежде всего, полевой транзистор с изоляцией PN-переходом очень похож на лампу, и элементы в каскаде имеют аналогичное назначение. А именно: Rз - определяет потенциал затвора, равный нулю (без этого резистора потенциал затвора не определён); поскольку относительно истока он должен быть отрицательным, то резистор Rн создаёт нужный положительный потенциал на истоке при прохождении через него тока истока. Кстати, таким образом заодно осуществляется стабилизация режима.

TTT355 писал(а):Я только начинаю разбираться в электронике. "— разделительный конденсатор, отделяет постоянку" постоянный ток не течет через конденсатор. т.е. течет наносекунды пока зарядит 2 обкладки до номинального значения и стоп. Может импульсный ток?

Имеется в виду вот что. К каскаду, изображённому здесь, может быть подключен источник сигнала, среднее значение напряжения которого не равно нулю (например, ещё один такой же каскад усиления). Такой сигнал нельзя подавать сразу на затвор, надо сначала исключить сдвиг сигнала относительно нуля, конденсатор с резистором в затворе именно это и делают - на затворе получается сигнал, колеблющийся вокруг нулевого значения, что и надо затвору.

TTT355 писал(а):R3 и Ср это снабер ?

Ни в коем случае.

TTT355 писал(а):А как тогда другая часть заряда проскакивает мимо R3 и доходит до затвора, в смысле не все целиком уравновешивается между верхним и нижним проводами через R3?

Смотрим внимательно Пусть на вход подан такой сигнал: синусоида частотой 1 кГц и амплитудой 1 мВ колеблется вокруг среднего значения 5 В. Прямо такую подавать на затвор нельзя, транзистор полностью откроется и ничего не будет усиливать. Если же его подать на Rз через Cз, то в точке соединения Rз и Cз будет что? Будет та же синусоида частотой 1 кГц и амплитудой 1 мВ, но уже со средним значением не 5, а 0 вольт.То есть сигнал как бы разделился: переменная его часть прошла через конденсатор, а постоянная осталась на нём. Потому что известно: напряжение на конденсаторе быстро меняться не может. Если одна обкладка болтается вверх-вниз с частотой 1 кГц, то и другая будет болтаться точно так же - ведь разница между ними не должна меняться.

TTT355 писал(а):И еще вопрос. http://ru.wikipedia.org/wiki/IGBT

IGBT и MOSFET требуют 12…15 В для полного включения и не нуждаются в отрицательном напряжении для выключения.

Зачем тогда указывают что управляющее напряжение допустим 30 вольт?

Обычно для любого параметра, превышение которого может испортить прибор, указывается максимальное значение, которое ни при каких условиях нельзя превысить. В указанном случае имеется в виду следующее: рекомендуется давать на затвор 12...15 вольт, но можно и больше, хуже не будет. Но больше 30 вольт давать уже нельзя, затвор пробьётся.

Чтобы не забыть до следующего раза записал все в файле как понял работу этой схемы, пожалуйста проверьте.

Ну и где там файл? Скачивает некий file.php, и всё на этом.

mickbell писал(а):Ну и где там файл?

Там в архиве mosfet.docx

Плохо. Давайте уважать друг друга и не подсовывать подобные файлы. Не имею ни малейшего желания ставить дурной офис, а конвертора сейчас нет.
-----
UPD. Помучался немного, открыл, почитаю. Всё равно, docx - это не наш (!) формат документов.

Еще раз напомню 0 вольт транзистор закрыт, положительное значение допустим +15в открыт. Но если вместо 0 вольт у нас будет хотя бы +1 вольт это приоткроет транзистор.

Неправильно. Пороговое напряжение у транзисторов с затвором в виде PN-перехода указанной проводимости отрицательное, так что для "приоткрывания" транзистора нужно сделать так. чтобы исток был более положительный, чем затвор. Проще всего сделать это, включив в исток резистор таким номиналом, чтобы при протекании через него тока, который мы желаем, падение напряжения на нём было такое, какое нужно для приоткрывания этого транзистора.

Вот и я тоже. Архив скачал, а docx открывать неохота.

Прошу прощения, будет для 2003 офиса

Кстати, это у вас не MOSFET. У мосфета затвор изолирован окислом, а здесь — обратно смещённым П-Н переходом, так что это JFET.

Да я уже открыл, и уже критикую. Смотрите моё прошлое сообщение. Идём дальше.

- После подачи импульса этот резистор как-бы вытягивает оставшееся на затворе напряжение, полностью перекрывая (до подачи следующего импульса) транзистор.

Это тоже неправильно, никакой импульс мы здесь не подаём. Мы подаём изменяющееся напряжение, но изменяющееся относительно какого-то уровня. После конденсатора остаётся напряжение, изменяющееся относительно нуля. Поскольку напряжение на истоке постоянно (это обеспечивается конденсатором Cи), то напряжение затвор-исток меняется и, значит, меняется и ток стока, он же ток истока (но меняется он около среднего значения, о котором мы уже говорили).
Продолжаем..................эх.

Электроны накапливаются на стыке исток – Rн и там потенциал становится положительным, а снизу есть заземление и там ток течет свободно и от этого возникает разность потенциалов. Если бы Rн был заменен перемычкой то ток бы тек но очень не стабильно.

Опять не так. Ничего там не накапливается. Ток идёт себе и идёт. Электроны, значит идут. А если через резистор идёт ток, то на этом резисторе есть напряжение. Кстати, Rн надо назвать Rи - в первоисточнике явно опечатка. "И" означает исток. Что касается перемычки: если резистор в истоке заменить перемычкой, то на затворе станет ноль вольт относительно истока, транзистор откроется полностью и не будет ничего усиливать. Для того, чтобы при отсутствии резистора в истоке ток был "очень не стабильным", надо подать на затвор отрицательное напряжение. Где бы его взять ещё... Резистором в истоке мы убиваем сразу двух зайцев: делаем на затворе минус относительно истока при отсутствии минусового питания, и к тому же стабилизируем режим транзистора.

Всякому знанию свое время, видимо еще не пришло время для понимания этой темы. Вернусь к ней позже.

Про преимущества полевых транзисторов пишут:
Благодаря очень высокому входному сопротивлению, цепь полевых транзисторов расходует крайне мало энергии, так как практически не потребляет входного тока.

Как это "практически не потребляет входного тока"? А ёмкость затвора?
Я вот хочу разобраться со схемой с мощным транзистором, так ёмкость затвора - тысячи пФ и советуют для быстрой работы транзистора обеспечить ток в затворе 5 Ампер! И этот ток потом сливается на землю.
Как же "не потребляет"? Просто в биполярных ток с базы сливается через эмиттер, а в полевых ток с затвора сливается в виде ёмкостной отдачи на землю.

Или я что-то не правильно понял?

ну разве что вот это:
"их управляющий электрод изолирован от области переноса тока, и для поддержания его в открытом состоянии энергии не требуется вообще. Как только полевой транзистор включился, его управляющий ток практически равен нулю."

Это да.
Но если полевой транзистор работает ключом на высокой частоте, то и расход тока большой.

Всё правильно. В статике ПТ ток не потребляет, в отличии от БТ.