Форум РадиоКот

noise1 писал(а):Это что то новое в теории , как это лавинный пробой может ограничивать ток?

ограничивать перенапряжения, а не ток:

http://www.power-e.ru/2006_03_40.php
http://www.power-e.ru/2006_04_12.php

Просто оставлю это здесь:

Мощные нитридо-галиевые (GaN) транзисторы – конец эры кремния?

данной информации 100 лет в обед. Всё упирается в более высокую стоимость, в т. ч. и при проектировании. Даже высоковольтные GaN выпускает сразу несколько фирм.

Возможно я просто заморочился... Народ подскажите мне нужно сделать ключ для лазера мощность которого 5Вт, напряжение потания 2В, потери даже 0,1В очень критичны. время работы лазера 10-600 мсекунд реально ли этого добиться от MOSFET или пробовать собирать на релюшки от набора arduino

Спойлер

llirikks писал(а):реально ли

зачем реле? MOSFET справится с вашей задачей. Если необходимо, то время включения и выключения будут не больше нескольких нс.

neon писал(а):MOSFET справится с вашей задачей.

А что с падением напряжения? Где узнать внутреннее сопротивление открытого транзистора и схему включения ?

все необходимые данные есть в спецификации на транзистор. Лазер с драйвером? Если нет, тогда необходим источник тока. Схем в сети море. Пользуйтесь поиском.

полевой транзистор с изолированым затвором и каналом n-типа

есть транзисторы вот http://lampilich.narod.ru/tr/field/kp305.html
или вот такие вот http://lampilich.narod.ru/tr/field/kp305.html
с изолированым затвором и каналом n-типа
как принято изображать такой транзистор на схеме из интернета однозначно не ясно как в общем то и все остальное что может быть нужно для его применения

никак не пойму, должен ли такой транзистор быть обратно смещен так как примеру КП303 или
любой другой n-канальный fet, (у КП303 потенциал затвора должен быть ниже чем потенциал истока, а у таких как должно быть?)

у таких транзисторов так же есть вывод называемый "подложка" куда его следует подключать?


Тема дубль, да еще не в том разделе.
Сюда перенес.
Вот еще подобная тема.
http://radiokot.ru/forum/viewtopic.php?f=21&t=31585
aen

JFET отличаются от MOSFET тем, что там на затвор можно подавать только отрицательные напряжения (отн. истока/подложки), иначе откроется диод "затвора". Потому такие транзисторы делают изначально открытыми.
У MOSFET затвор изолирован окислом, и для простоты управления его просто открывают положительным напряжением.

Глупость, вот читайте. Как прокомментируете 2П306 ??? 2П304 и 2П305.
http://hightolow.ru/transistor3.php

От чего же это глупость? Вот эта картинка как раз вторит словам Гад-Хэда. И описание к ней:

Спойлер

Потому, что ваш пример, один из многих. Читайте физику полупроводников . Так как насчет например 2П306???? Как там напряжения на затворах?

Спойлер

Вот Вам, товарищ, соображающий не быстро, справочный листок на КП306. Посмотрите значения напряжений для первого затвора, чтоб он оставался в режиме? Все в рамках от -3,5В до 2 вольт. Т.е. ток хлещет, и мы его то под-откроем, то закроем. Что, по Вашему, не так?

Gudd-Head писал(а):JFET отличаются от MOSFET тем, что там на затвор можно подавать только отрицательные напряжения (отн. истока/подложки), иначе откроется диод "затвора".

смотря какие JFET:



это для нормально включенного. Для нормально отключенного необходимо только положительное напряжение на затворе.

но самый классический вариант это он и есть. Нормальновключённый.

У MOSFET затвор изолирован окислом, и для простоты управления его просто открывают положительным напряжением.
Соображать быстро не значит правильно. Сами пишите от МИНУС 3,5 до ПЛЮС 2 у КП306. У КП305 -Д 0,2..+2В. Кп305Ж-+0,5... + 0,5, И -2,5...0,2. КП306В -3,5...0. Б- 0..+2.
МОП, один из МДП.

noise1 писал(а):для простоты управления

Кому охота ебаться с двухполярным управлением? Как его сопрягать с микроконтроллерами без дополнительных деталей?
И древние как говно мамонта транзисторы я в рассчёт не брал. Канал MOSFET можно как насытить, так и обеднить, с этим никто не спорит.

Gudd-Head писал(а):Кому охота ебаться с двухполярным управлением?

дело не в охоте, а в необходимости в том или ином случае. Видать вы не сталкивались с драйверами мощных JFET.

Gudd-Head писал(а):Как его сопрягать с микроконтроллерами без дополнительных деталей?

а как вы сопрягаете мощные MOSFET с микроконтроллерами? Есть для этого драйвер. Подстраиваться под микроконтроллер можно в некоторых случаях.

Gudd-Head писал(а):И древние как говно мамонта транзисторы я в рассчёт не брал.

тем более вы ошибаетесь, т. к. я привёл график для современного JFET, на затвор которого подают около +15 В, помимо отрицательного.

Привет. Вот решил и я идти в ногу со временем. Есть такие транзисторы. Полевые, о них эта тема. Но меня заинтересовали с управлением Logic-Level. Вот на пример IRLR3103. Как ним управлять скажем от процессора. Питание процессора 3 вольта. Питание нагрузки 9-12 вольт. Насколько я понял, токо ограничивающий резистор в затвор не ставится. А просто нужно притянуть затвор к массе скажем через резистор 10 ком. Насколько я понимаю. Такая ситуация возможна только в одном случае. Если внутри уже есть схема управления затвором, которая и заряжает емкость затвора. А как все обстоит на самом деле? Что скажет уважаемое сообщество специалистов? Как правильно управлять полевыми транзисторами с Logic-Level?

Партизан писал(а):Как правильно управлять полевыми транзисторами с Logic-Level?

смотря на какой частоте.