Добавлено: Пт сен 21, 2007 01:11:15
В книгах, в справочнике, в даташите.
Страница 2 из 7
Добавлено: Пт сен 21, 2007 18:55:38
сложно сказать что такое ваты в справочнике по транзисторам
Добавлено: Пт сен 21, 2007 19:14:38
Ватты они и в африке.
Сложно скачать книгу типа "юнному электронщику" ?
Сложно скачать книгу типа "юнному электронщику" ?
Добавлено: Пт сен 21, 2007 22:16:21
Справочник Москатова. http://www.moskatov.narod.ru/Books.html
Добавлено: Сб сен 22, 2007 07:23:29
В справочниках так не пишется или это очень плохой справочник. Так обычно пишут в прайс-листах. Ну а в прайс-листах доверять можно только графе "цена".yaotzin писал(а):где узнать что за параметр в справочнике пишется
1600V/45W
Да и то не мешает найти где-нибудь в уголочке мелкий шрифт: "Без НДС, на момент хххх" 
Добавлено: Сб сен 22, 2007 10:17:33
именно так написано )
Добавлено: Сб сен 22, 2007 10:26:18
Биполярные транзисторы
fгр – граничная частота коэффициента передачи тока. Частота, при которой модуль
13
коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером экстраполируется к
единице. Частота, равная произведению модуля коэффициента передачи тока на
частоту измерения, которая находится в диапазоне частот, где справедлив закон
изменения модуля коэффициента передачи тока 6 дБ на октаву.
fh21 – предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора.
Частота, на которой модуль коэффициента передачи тока падает на 3 дБ по
сравнению с его низкочастотным значением.
h21Э – статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
Отношение постоянного тока коллектора к постоянному току базы при заданных
постоянном обратном напряжении коллектор – эмиттер и токе эмиттера в схеме с
общим эмиттером.
h21э – коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме малого
сигнала в схеме с общим эмиттером. Отношение изменения выходного тока к
вызвавшему его изменению входного тока в режиме короткого замыкания
выходной цепи по переменному току в схеме с общим эмиттером.
Iк – ток коллектора транзистора.
Iкбо – обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном
обратном напряжении коллектор – база и разомкнутом выводе эмиттера.
Iк.макс – максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
Iк.и.макс – максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
Iкэк – обратный ток коллектор – эмиттер при короткозамкнутых выводах базы и
эмиттера. Ток в цепи коллектор – эмиттер при заданном обратном напряжении
коллектор – эмиттер и короткозамкнутых выводах эмиттера и базы.
Iкэо – обратный ток коллектор – эмиттер при разомкнутом выводе базы. Ток в цепи
коллектор – эмиттер при заданном напряжении коллектор – эмиттер и разомкнутом
выводе базы.
IкэR – обратный ток коллектор – эмиттер при заданном сопротивлении в цепи база –
эмиттер. Ток в цепи коллектор – эмиттер при заданном обратном напряжении
коллектор – эмиттер и заданном сопротивлении в цепи база – эмиттер.
Iкэх – обратный ток коллектор – эмиттер заданном обратном напряжении база –
эмиттер.
Iэ – ток эмиттера транзистора.
Iэбо – обратный ток эмиттерного перехода при разомкнутом выводе коллектора
транзистора.
Iэ.макс – максимально допустимый постоянный ток эмиттера транзистора.
Iэ.и.макс – максимально допустимый импульсный ток эмиттера транзистора.
Кш – коэффициент шума транзистора. Для биполярного транзистора это отношение
мощности шумов на выходе транзистора к той её части, которая вызвана тепловыми
шумами сопротивления источника сигнала.
Рмакс – максимально допустимая постоянно рассеиваемая мощность.
Рк.макс – максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на
коллекторе транзистора.
Рк.и.макс – максимально допустимая импульсная мощность, рассеивающаяся на
коллекторе транзистора.
14
Рк.ср.макс – максимально допустимая средняя мощность, рассеивающаяся на
коллекторе транзистора.
Q – скважность.
Rтп-с – тепловое сопротивление от перехода к окружающей среде.
Rтп-к – тепловое сопротивление от перехода к корпусу транзистора.
tвкл – время включения биполярного транзистора. Интервал времени, являющийся
суммой времени задержки и времени нарастания.
tвыкл – время выключения биполярного транзистора. Интервал времени между
моментом подачи на базу запирающего импульса и моментом, когда напряжение на
коллекторе транзистора достигнет значения, соответствующего 10 % его
амплитудного значения.
Тмакс – максимальная температура корпуса транзистора.
Тп.макс – максимальная температура перехода транзистора.
tрас – время рассасывания биполярного транзистора. Интервал времени между
моментом подачи на базу запирающего импульса и моментом, когда напряжение на
коллекторе транзистора достигает заданного уровня.
Uкб – напряжение коллектор – база транзистора.
Uкбо.макс – максимально допустимое постоянное напряжение коллектор – база при
токе эмиттера, равном нулю.
Uкбо.и.макс – максимально допустимое импульсное напряжение коллектор – база
при токе эмиттера, равном нулю.
Uкэо.гр – граничное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при
разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера.
UкэR.макс – максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при
заданном (конечном) сопротивлении в цепи база – эмиттер транзистора.
Uкэх.и.макс – максимально допустимое импульсное напряжение между
коллектором и эмиттером при заданных условиях в цепи база – эмиттер.
Uкэ – напряжение коллектор – эмиттер транзистора.
Uкэ.нас – напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
Uэбо.макс – максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер – база при
токе коллектора, равном нулю.
тут по мощности много параметров а какой жеш у меня в справочнике написан
fгр – граничная частота коэффициента передачи тока. Частота, при которой модуль
13
коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером экстраполируется к
единице. Частота, равная произведению модуля коэффициента передачи тока на
частоту измерения, которая находится в диапазоне частот, где справедлив закон
изменения модуля коэффициента передачи тока 6 дБ на октаву.
fh21 – предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора.
Частота, на которой модуль коэффициента передачи тока падает на 3 дБ по
сравнению с его низкочастотным значением.
h21Э – статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
Отношение постоянного тока коллектора к постоянному току базы при заданных
постоянном обратном напряжении коллектор – эмиттер и токе эмиттера в схеме с
общим эмиттером.
h21э – коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме малого
сигнала в схеме с общим эмиттером. Отношение изменения выходного тока к
вызвавшему его изменению входного тока в режиме короткого замыкания
выходной цепи по переменному току в схеме с общим эмиттером.
Iк – ток коллектора транзистора.
Iкбо – обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном
обратном напряжении коллектор – база и разомкнутом выводе эмиттера.
Iк.макс – максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
Iк.и.макс – максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
Iкэк – обратный ток коллектор – эмиттер при короткозамкнутых выводах базы и
эмиттера. Ток в цепи коллектор – эмиттер при заданном обратном напряжении
коллектор – эмиттер и короткозамкнутых выводах эмиттера и базы.
Iкэо – обратный ток коллектор – эмиттер при разомкнутом выводе базы. Ток в цепи
коллектор – эмиттер при заданном напряжении коллектор – эмиттер и разомкнутом
выводе базы.
IкэR – обратный ток коллектор – эмиттер при заданном сопротивлении в цепи база –
эмиттер. Ток в цепи коллектор – эмиттер при заданном обратном напряжении
коллектор – эмиттер и заданном сопротивлении в цепи база – эмиттер.
Iкэх – обратный ток коллектор – эмиттер заданном обратном напряжении база –
эмиттер.
Iэ – ток эмиттера транзистора.
Iэбо – обратный ток эмиттерного перехода при разомкнутом выводе коллектора
транзистора.
Iэ.макс – максимально допустимый постоянный ток эмиттера транзистора.
Iэ.и.макс – максимально допустимый импульсный ток эмиттера транзистора.
Кш – коэффициент шума транзистора. Для биполярного транзистора это отношение
мощности шумов на выходе транзистора к той её части, которая вызвана тепловыми
шумами сопротивления источника сигнала.
Рмакс – максимально допустимая постоянно рассеиваемая мощность.
Рк.макс – максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на
коллекторе транзистора.
Рк.и.макс – максимально допустимая импульсная мощность, рассеивающаяся на
коллекторе транзистора.
14
Рк.ср.макс – максимально допустимая средняя мощность, рассеивающаяся на
коллекторе транзистора.
Q – скважность.
Rтп-с – тепловое сопротивление от перехода к окружающей среде.
Rтп-к – тепловое сопротивление от перехода к корпусу транзистора.
tвкл – время включения биполярного транзистора. Интервал времени, являющийся
суммой времени задержки и времени нарастания.
tвыкл – время выключения биполярного транзистора. Интервал времени между
моментом подачи на базу запирающего импульса и моментом, когда напряжение на
коллекторе транзистора достигнет значения, соответствующего 10 % его
амплитудного значения.
Тмакс – максимальная температура корпуса транзистора.
Тп.макс – максимальная температура перехода транзистора.
tрас – время рассасывания биполярного транзистора. Интервал времени между
моментом подачи на базу запирающего импульса и моментом, когда напряжение на
коллекторе транзистора достигает заданного уровня.
Uкб – напряжение коллектор – база транзистора.
Uкбо.макс – максимально допустимое постоянное напряжение коллектор – база при
токе эмиттера, равном нулю.
Uкбо.и.макс – максимально допустимое импульсное напряжение коллектор – база
при токе эмиттера, равном нулю.
Uкэо.гр – граничное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при
разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера.
UкэR.макс – максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при
заданном (конечном) сопротивлении в цепи база – эмиттер транзистора.
Uкэх.и.макс – максимально допустимое импульсное напряжение между
коллектором и эмиттером при заданных условиях в цепи база – эмиттер.
Uкэ – напряжение коллектор – эмиттер транзистора.
Uкэ.нас – напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
Uэбо.макс – максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер – база при
токе коллектора, равном нулю.
тут по мощности много параметров а какой жеш у меня в справочнике написан
Добавлено: Вс сен 23, 2007 11:32:11
чем больше рассеиваемая мощность транзистора тем ??? что ???
Добавлено: Вс сен 23, 2007 11:57:40
Тем она больше.
Добавлено: Вс сен 23, 2007 13:25:20
мышонок писал(а):В справочниках так не пишется или это очень плохой справочник.
Добавлено: Вс ноя 18, 2007 08:47:47
Нужна проверка.
На основе эмиттерного повторителя, к базе которого подключен делитель напряжения, создать схему источника напряжения +5В
при условии, что используется стабилизированный источник питания +15В. Ток нагрузки (максимальный) равен 25мА. Сопротивления резисторов следует выбрать так, чтобы при подключении полной нагрузки напряжение на выходе изменялось не более чем на 5%.
Iэ=25 мА, h21э=100
Iэ= Iб+ Iк= Iб(h21э+1),
Iб= Iэ/( h21э+1)=0.247 мА
Rэ=5В/25мА=200 Ом
Uб= Uэ+0.6=5.6 В
Rб= (Ucc-Uб)/ Iб=9.4В/0.247 мА=38 кОм
Rб= (R1*R2)/R1+R2
R1,R2 - ?
Как подобрать сопротивления резисторов, чтобы при подключении полной нагрузки напряжение на выходе изменялось не более чем на 5%?
А вот еще интересная: разработать стабилизированный источник напряжения + - 10В для токов нагрузки величиной от 0 до 100мА. Входное напряжение при этом изменяется от 20 до 25В. В любых условиях через стабилитрон должен протекать ток 10мА. На какую предельную мощность должен быть рассчитан стабилитрон?
P={(Uvx-Uvux/R)-Ivux}*Uvux
На основе эмиттерного повторителя, к базе которого подключен делитель напряжения, создать схему источника напряжения +5В
при условии, что используется стабилизированный источник питания +15В. Ток нагрузки (максимальный) равен 25мА. Сопротивления резисторов следует выбрать так, чтобы при подключении полной нагрузки напряжение на выходе изменялось не более чем на 5%.
Iэ=25 мА, h21э=100
Iэ= Iб+ Iк= Iб(h21э+1),
Iб= Iэ/( h21э+1)=0.247 мА
Rэ=5В/25мА=200 Ом
Uб= Uэ+0.6=5.6 В
Rб= (Ucc-Uб)/ Iб=9.4В/0.247 мА=38 кОм
Rб= (R1*R2)/R1+R2
R1,R2 - ?
Как подобрать сопротивления резисторов, чтобы при подключении полной нагрузки напряжение на выходе изменялось не более чем на 5%?
А вот еще интересная: разработать стабилизированный источник напряжения + - 10В для токов нагрузки величиной от 0 до 100мА. Входное напряжение при этом изменяется от 20 до 25В. В любых условиях через стабилитрон должен протекать ток 10мА. На какую предельную мощность должен быть рассчитан стабилитрон?
P={(Uvx-Uvux/R)-Ivux}*Uvux
Добавлено: Чт ноя 22, 2007 09:08:08
Какая это уже тема по счету про "объяснение работы транзистора"? Есть идея. Чтоб все видели, давайте создадим объявление с заголовком ТАК РАБОТЕТ ТРАНЗИСТОР и соответствующим содержимым.
Добавлено: Пт ноя 23, 2007 02:02:05
Сделал диаграмму кратко поясняющую
как работает биполярный транзистор.
Часто необходим ключевой режим работы транзистора - т.е.
включен-выключен.
Если Эмитер заземлен и нагрузка подключена к положительному питанию и Коллектору транзистора, то для примерного расчета необходимого ток базы нужно:
- определить ток который будет протекать через транзистор во включеном состоянии по напряжению питания и
параметрам включаемой нагрузки. Например питание 12 вольт, нагрузка автореле-кубик с сопроивлением 85 Ом. Ток во
включеном состоянии будет около 12/85 = 0.14 А
- выбрать транзистор с запасом по току, максимальному напряжению
К-Э и рассеиваемой мощности. Возьмем КТ815 с током коллектора
1 А и достаточным напряжением К-Э для работы при
питании 12 вольт.
- определить по доументации минимальный коэф усиления этого транзистора при токе 0.14 А и минимальной температуре транзистора при эксплуатации. Пусть мы нашли число 30.
- Вычислить ток базы 0.14 / 30 = 4.7 mA
- увеличить ток базы в 2 раза для обеспечения запаса.
Значит нужен ток базы 9.4 mA
Пусть транзистор управляется от МК который по даташиту
выдает напряжени 4.8 вольт при токе 9.4 mA
- Расчитаем резистор между базой транзистора и выводом
МК предпологая что напряжение Б-Э составит 0.7 вольт.
(4.8 - 0.7)/0.0094 = 436 Ом
Можно использовать резистор на 430 или 470 Ом.
Для защиты транзистора от перенапряжения в момент выключения реле нужно зашунтировать обмотку реле диодом - например 1N4001 подключив анод диода к коллектору.
Вот схема:
"1" на выходе МК открывает транзистор и включается реле.
"0" на выходе МК прекращает ток через базу и транзистор закрывается. Энергия запасенная в магнитном поле катушки реле рассеивается в цепи катушка - диод.
Напомню что ножки AVR "тянут" ток 20 мА, PIC 25 мА, а msp430 и ARM всего по 4 мА.
Ножки МК можно включать параллельно !
как работает биполярный транзистор.
Часто необходим ключевой режим работы транзистора - т.е.
включен-выключен.
Если Эмитер заземлен и нагрузка подключена к положительному питанию и Коллектору транзистора, то для примерного расчета необходимого ток базы нужно:
- определить ток который будет протекать через транзистор во включеном состоянии по напряжению питания и
параметрам включаемой нагрузки. Например питание 12 вольт, нагрузка автореле-кубик с сопроивлением 85 Ом. Ток во
включеном состоянии будет около 12/85 = 0.14 А
- выбрать транзистор с запасом по току, максимальному напряжению
К-Э и рассеиваемой мощности. Возьмем КТ815 с током коллектора
1 А и достаточным напряжением К-Э для работы при
питании 12 вольт.
- определить по доументации минимальный коэф усиления этого транзистора при токе 0.14 А и минимальной температуре транзистора при эксплуатации. Пусть мы нашли число 30.
- Вычислить ток базы 0.14 / 30 = 4.7 mA
- увеличить ток базы в 2 раза для обеспечения запаса.
Значит нужен ток базы 9.4 mA
Пусть транзистор управляется от МК который по даташиту
выдает напряжени 4.8 вольт при токе 9.4 mA
- Расчитаем резистор между базой транзистора и выводом
МК предпологая что напряжение Б-Э составит 0.7 вольт.
(4.8 - 0.7)/0.0094 = 436 Ом
Можно использовать резистор на 430 или 470 Ом.
Для защиты транзистора от перенапряжения в момент выключения реле нужно зашунтировать обмотку реле диодом - например 1N4001 подключив анод диода к коллектору.
Вот схема:
"1" на выходе МК открывает транзистор и включается реле.
"0" на выходе МК прекращает ток через базу и транзистор закрывается. Энергия запасенная в магнитном поле катушки реле рассеивается в цепи катушка - диод.
Напомню что ножки AVR "тянут" ток 20 мА, PIC 25 мА, а msp430 и ARM всего по 4 мА.
Ножки МК можно включать параллельно !
Добавлено: Пт ноя 23, 2007 22:50:45
Вот примерное описание работы полевого транзистора - MOSFET.
Можно распечатать на листочке и положить в рабочий журнал
Более подробно и правильно в даташитах, в учебниках,
в книгах, в справочниках.
Можно распечатать на листочке и положить в рабочий журнал
Более подробно и правильно в даташитах, в учебниках,
в книгах, в справочниках.
Добавлено: Сб ноя 24, 2007 18:14:09
Тыч описание работы транзисторов оболдеть особоно с анимацией. Пареньку будет понятнее провести расчет его эмитерного повторителя с анимацией. Тогда и дятел поймет.
Добавлено: Сб ноя 24, 2007 18:30:59
Спсибо !Wd писал(а):Тыч описание работы транзисторов оболдеть особоно с анимацией.
Добавлено: Сб ноя 24, 2007 19:53:55
Тыч Пожалуйста! А вообще хорошо этот материал закинуть в обучалку для всех ребятишек и вопросов будет меньше,и спосибо скажут. Конкурс конкуром все равно приз один на всех не хватит, а благодарность огромная.
Добавлено: Ср ноя 28, 2007 14:28:43
А есть ли что либо похожее на "Транзистор? - Это просто!" только по полевикам?
Добавлено: Ср ноя 28, 2007 20:57:13
Значица объявления не будет?
Добавлено: Сб янв 05, 2008 09:01:21
Есле серезно хорошего обяснения работы транзистора и его ПРИМИНЕНИЯ
практически нет, то что база-емитерный ток управляет колектр-емитерным током ничего практически не говорит и об упоминание низкого входного и высокого выходного сопративление вобше нет ни слова ни в одном описание в интернете, транзистор нельзя обяснить за 5 минут, по этому прилагаю вместе написать подробную обучаюшию статью
где не будет говорится подай ток на базу получииш ток во столько раз больше, это не дело сами подумайте. Вобше создается впечатление читая книги что автора детально сами не знают как оно работает
практически нет, то что база-емитерный ток управляет колектр-емитерным током ничего практически не говорит и об упоминание низкого входного и высокого выходного сопративление вобше нет ни слова ни в одном описание в интернете, транзистор нельзя обяснить за 5 минут, по этому прилагаю вместе написать подробную обучаюшию статью
где не будет говорится подай ток на базу получииш ток во столько раз больше, это не дело сами подумайте. Вобше создается впечатление читая книги что автора детально сами не знают как оно работает