Форум РадиоКот

Между биполярным транзистором и полевым разницу чувствуете? Такая-же разница и между IGBT и MOSFET. Общего только то, что управляются они напряжением. Всё остальное разное.Просвещайтесь, в сети полно инфы по этому поводу.

При должном уровне просвещения, само собой подобных вопросов у меня бы и не возникло. Ну а коли просвещения нет, а вопросы есть, то я и ищу на них ответы по пути наименьшего сопротивления.
Если конкретизировать то вопросы следующие:
1. Какие явные недостатки имеются в схеме выпрямителя построенной на IGBT?
2. В чем основное практическое различие в работе и применение в качестве выпрямителей IGBT в режиме диода и MOSFETов?
Заранее благодарю за ответы всех откликнувшихся.

В вашем случае потери на IGBT будут больше чем на диодах Шотки, а на низковольтных полевиках потери будут меньше и цена тоже

Просто запомните что, технология IGBT разрабатывается только для высоковольтных устройств где потери в 2-3В часто несущественны

Moderatorh писал(а):Говорят. что прямое падение напряжения в этом случае не более 0,2в...

Там стоят обычные диоды с обычным падением напряжения. Кто такое говорит не чего не понимает. Самое низкое падение напряжение на полевиках, на них можно сделать и 0,1 и 0,05в все зависит от сопротивления и от количества полевиеов. IGBT для высокого напряжения.

Теперь понятно, огромное спасибо.
Тогда все же полевики.
Ессть хорошие не особо сложные схемы их включения, что бы не мотать дополнительных обмоток и желательно без средней точки?

Ну и тогда плс. оцените по деньгам сборку данного блока питания целиком, за какие деньги можно будет уложиться с намоткой трансформатора с восемью вторичками по 2 вольта выхода на каждый канал по 100 ампер на каждый из восьми каналов без стабилизации, фильтрации и сглаживания напряжения, только выпрямить максимально экономично и все.

Я не "гуру" по мосфетам но могу предположить , сто полупроводниковый переход (тот самый паразитный) и открытый канал мосфета принципиально разные вещи , по даташитам этот канал имеет сопротивление доли ома .посему они и не греются . а на паразитном диоде уже будет падение . и будет оно работать как обычный диод-кипятильник

svs0230 писал(а):и будет оно работать как обычный диод-кипятильник

Будет, обязательно будет, вот только падение на паразитном диоде фета часто меньше, чем у хороших диодов, а если во время прямого тока через этот диод ещё и мосфет открыть от внешнего источника - ваще сказка получается!

svs0230 писал(а):открытый канал мосфета принципиально разные вещи , по даташитам этот канал имеет сопротивление доли ома

Вот для этого и на затворы подаётся управляющее напряжение, что бы когда надо были доли ома, а паразитные диоды работали очень короткое время. И не будет кипятильника.

Телекот писал(а):

Падение напряжения 150-200мв. Стоимость 1 транзистора примерно 50р

Вчера купил эти феты за 150 руб. штука в Чип-Дипе
Делаю электромагнитную плиту для домашнего рукоделия. Ток в плите работы не производит, поэтому заинтересован в минимальном напряжении, шоб как Днепр при тихой погоде. Подскажите, у меня транс 100 милливольт на виток, зато шина толстая, может можно одним витком обойтись, а то и полвитком (сердечник Ш-образный)
К подбору стабилитрона.
Две цепи:
1. От верхней половинки обмотки Tr2 (пусть для определенности плюс там где точка) - цепь R1, VD1 в рабочем направлении, R3, средняя точка.
2. От нижней половинки обмотки (плюс там, где средняя точка) цепь R3, VD2 в прямом направлении,- пренебрегаем,- R2 и конец обмотки. По методу контурных токов (где ты, техникум, ау!) ток первого контура (сумма ЭДС равна сумме падений напряжений) при напряжении плеча, скажем, в 25 Вольт, остаток в 15 Вольт делим на R1+R3 и получаем порядка 10 миллиампер через стабилитрон. А второй контур оказался не при делах, влияет только на ток через R3. Во как! Не ожидал даже.
Может, я ошибаюсь?

R3 вспомогательный резистор ток в основном течёт через через R1,R2. Так как стабилитрон в прямом направлении работает как диод.