Форум РадиоКот

Понятно.

СПАСИБО!!!

Всех с НОВЫМ ГОДОМ!!!!

Подскажите пожалуйста полевик N в корпусе sot23 с логическим уровнем..

http://www.irf.com/product-info/datashe ... ml2803.pdf
http://www.stm32circle.com/resources/Da ... BSS123.pdf
https://www.adafruit.com/datasheets/BSS138.pdf

Первая минута гугла.

Это Logic?
Gate Threshold Voltage - это напряжение открытия?

Начиная с этого значения он НАЧИНАЕТ открываться. А полное открытие будет про Логической единице, при 5В.

Насколько мне известно, 5в это верхнее, максимально допустимое напряжение для 1 - какая-то неувязка.
Где тогда в даташите напряжение полного открытия?

А не существует "напряжения полного открытия". Есть только сопротивление открытого канала при ОПРЕДЕЛЕННОМ напряжении затвор-исток.
Иногда приводят ГРАФИК зависимости сопротивления канала от оного напряжения.

Напряжение на базе, при котором режим насыщения, или режим при котором измеряется сопротивление канала.

noise1 писал(а):Напряжение на базе, при котором режим насыщения

Режим насыщения можно достичь и при напряжении равным пороговому и ВООБЩЕ не достичь ни при каком отпирающем напряжении. Потому как насыщение зависит от НАГРУЗКИ каскада.
Сопротивление канала зависит только (с определенным допущением, конечно) от напряжения затвор-сток и потому регламентируется даташитом.

Так в ТУ и ток указывается, на а по хорошему, да, графики надо смотреть.

В ТУ (даташите) указывают ТОК на котором измеряют СОПРОТИВЛЕНИЕ КАНАЛА.
Никаких напряжений на затворе в режиме насыщения там не указывают...

КРАМ писал(а): Есть только сопротивление открытого канала при ОПРЕДЕЛЕННОМ напряжении затвор-исток.

Это Rds?
Здесь это график 12?

Да, это Rds

Добрый день, уважаемые!
Может ли кто пояснить как рассчитать каскад с общим истоком на полевом транзисторе с управляющим p-n переходом в режиме А? Графический расчет мне понятен, но хотелось бы расчитать схему по численным характеристикам. Вот схема:

Спойлер

Исходные данные: Епит=18В. Ток покоя 1ма. Транзистор,например,BF245B: UОтс=-0,25...8В Начальный ток стока 6..15ма

Надо понимать что нормальное открытие мосфета считается при достижении на затворе напряжения определённого уровня. Оно - аналог насыщения у биполярного транзистора. А до этого мосфет работает как линейный прибор. Существует ли у мосфета зона, аналогичная закрытию/открытию биполярного транзистора? Другими словами, на участке на затворе от нуля до U1 мосфет всегда закрыт, при достижении напряжения открытия он открывается и дальнейшее его открытие зависит от какого-то коэффициента, аналогичному коэффициенту усиления h21э. Или, так-как это импульсный транзистор, он открывается сразу, ступенчато? Что за переходный процесс от начала открытия до полного открытия? Я предполагаю, что у него происходит полное открытие по напряжению, а если нагрузка потребляет большой ток, то он "задавливает" и полное открытие превращается в неполное. То есть для импульсного регулятора тока, аналогично тиристорному, этот вариант не годиться, не так ли?

Подскажите формулу для расчета максимальной частоты шима для работы с полевиком. Заранее благодарю

Пляшите от времени нарастания/спада фронтов.

Спасибо

Парни помогите подобрать аналог,из наличия в российских магазинах,транзистору 1n0608(P-TO263-3-2).
ссылка на дату впервая в гугле.

Доброго времени суток.
С мосфетами еще ни разу не работал, и мои знания, в большинстве своем, ограничиваются прочитанным в этой теме. Прошу не пинать очень больно, а всего лишь носом тыкнуть
В общем есть задача управлять группами автомобильных (12V) ламп, максимально 4х55W в группе. Хочу реализовать коммутацию на длительное время и регулировку яркости через программный ШИМ на МК.
я так понял под мои задачи подойдут IRL транзисторы максимальным напряжением немногим выше 12Вольт и током сток-исток не меньше, а лучше больше 20А.

нашел под свои нужды транзистор IRL3803. но есть сомнения 1 в разных источниках рознится информация по Rds(on) где-то 0.006Ом а гдето 6мОм
Так же не понятно, максимальное напряжение З-С 16v хотя он вроде как Logic-Level Gate Drive как понять смогут ли 5 вольт открыть транзистор полностью?
чтобы подитожить:
подойдет ли указанный транзистор под мои цели, или есть более подходящие варианты?
ну и вообще правильное ли у меня понимание о mosfet транзисторах? ))))