АВК писал(а):Спасибо, ссц, что то я понял.
..маладэц..!!!..
АВК писал(а):1) эта схема для 1980 года была верхом совершенства.
..нет - верхом совершенства тогда был non switching ws "super A" - разработали даже целую элементную базу под это дело - идея состоит в отсутствии отсечки выходного тока при весьма малом или даже полном отсутствии тока покоя..
..в некоторых моделях это даже удавалось..
АВК писал(а):2) что я ЭТУ схему в ее тонкостях работы не понимаю. Тут надо с бумажной сидеть и по бумажке плюсы минусы ''гонять'' чтоб до меня что то дошло...
..зачем тебе это - полным полно комплементарных пар..
АВК писал(а):3) вопрос ''практического свойства'' - а не лучшели вместо того, чтоб городить огород с этим ''диодным улучшением'', так попростому поднять питание схемы на 10% ИЛИ уменьшить уровень сигнала на 15% - это при том же, начальном питании???
..в некоторых конструкциях так и делали - напряжение питания плеча, в котором работали дарлингтоны, поднимали на несколько вольт..
АВК писал(а):Вот мне КАЖЕТСЯ, что уровень искажений при любом из 2х мной предложенных ''изменениях'' будет таким же, как и с использованием ''улучшающего диода''.
..если как у тебя в той несуразице сделано - то меньше, если брать схему Баксандала - то у Баксандала лучше - там хоть как-то пытаются выровнять крутизну ВАХ в плечах..
АВК писал(а):Или я непонял чего то, про ''ограничения''...
..видимо - да..и какой тогда смысл тебе что-то объяснять..?
АВК писал(а):И ещё, как я понял, наверно достаточно будет взять транзисторы с максимальной В, и тогда ООС попросту ''задавит'' все искажения???
..если бы..усиление плеча Дарлингтона меньше 1, усиление плеча Шиклаи - больше, плечо Дарлингтона усиливает только ток, плечо Шиклаи - и ток, и напряжение..
..помимо всего прочего, глубина ООС падает с ростом частоты (почему - это отдельная тема),
и иногда выходит так, что h21э никак не влияет на глубину ООС начиная с частот 8..10 кГц и выше - к примеру, такое имеется в "Бриг-е" первой ревизии - что бы ты туда не поставил, все одно дерьмо получается..
..и вот еще какой вопрос - связь между h21э и током коллектора - очень сильно влияет на глубину ООС - пожалуй, даже больше, чем сама величина h21э - к примеру, при выходной мощности 1Вт h21э плеча на дарлингтонах (типовой) около тысячи для двойки: (h21э общ=h21э1*h21э2), тогда как при мощности 20Вт - менее 200..
..падение общего коэффициента передачи плеча тянет за собой уменьшение входного сопротивления: Rвх=1+(h21э*Rэ), а это в свою очередь, увеличивает нагрузку на каскад УН, понижая его первый полюс - что вызывает снижение глубины ООС..
..вот такой механизм..
..отсюда - и ступенька на выходе на высоких частотах (ООС практически нет или она чрезвычайно мала, чтобы компенсировать асимметрию плеч) - вот и выходит, что на древнем гавне "родом из СССР", типо КТ803, КТ805, КТ808, кои очень любили толкать разработчики в свои "шедевры", получить вменяемо малые искажения на умеренно высоких частотах не представляется возможным - если ВК сконфигурирован как "двойка Дарлинтона" - нужна тройка как минимум..а это уже немного другие проблемы - устойчивость, склонность к сквозным токам и т.д..и получается, что решение одних проблем вызывает появление других, с которыми надо тоже, блять, героически боротцо..
..и так по кругу..
..отсюда вывод - как ни странно, но ты сделал правильный - стремится использовать в ВК транзисторы с максимальным значением h21э - если это двойка (или же усложнить ВК до тройки) - но тут есть проблемка - чтобы найти те же КТ808 с h21э ну, хотя бы 50 при токе 1А тебе потребуется пара ведер этих транзюков...если ты очень везучий - то хватит и одного ведра..
..и выходит, что самый разумный выход - использовать современную элементную базу и схемотехнику..а не дрочить на раритеты..