Страница 16 из 45

Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд

Добавлено: Чт июл 16, 2015 11:06:57
yasya2004
В моём случае, порог открытия выше, значит они будут открываться, но не полностью ???
Отвод тепла - там стоит радиатор и водяное охлаждение, (радиоуправляемый катер у меня),
Вот фотку сделал , там dip-8 с неё идёт сигнал на затворы через смд резистор 270 ом, чёт и даташита не могу найти на неё
Просто всё это и силовуха с полевиками и управление залита прозрачным герметиком с завода.
Изображение

Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд

Добавлено: Чт июл 16, 2015 23:31:43
kaetzchen
значит они будут открываться, но не полностью ???
Это вопрос! Будут открываться, но хуже, медленнее и соответственно большими потерями, т.е нагрев. Но у вас там драйвер http://www.intersil.com/content/dam/Int ... sl6700.pdf и я полагаю, что вряд ли затворы управляются низким напряжение в оригинальной схеме. Вы все равно уже заказали транзисторы, ставьте их. они теоретически дебелее оригинальных. Если че вот тем вот резистором можно подрегулировать зарядный ток на затворы. Тестить потихоничку поднимая обороты, контролировать нагрев.
270 ом- это вообще-то дохрена но оберегает саму микруху драйвера от перегруза, и сравните затворные емкости по даташиту в ваших старых и новых транзисторах

Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд

Добавлено: Пн июл 20, 2015 08:56:33
Evan
Здравствуйте ! У меня вопрос по MOSFET . Иногда в маркировку "IRF" дополнительно вводят какую-либо букву , например IRFZ 44, IRFP 460, IRFB 4110 . Чем эти полевые транзисторы различаются ?

Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд

Добавлено: Пн июл 20, 2015 18:13:53
kaetzchen
Есть автомобили ВАЗ 2101, ВАЗ 2106 и тд... IRF это сокращение по буквам названия производителя, так часто делают. а вот все что после IRF - это и есть собственно маркировка.
Это совершенно разные транзисторы.

Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд

Добавлено: Чт июл 30, 2015 11:22:40
yasya2004
В общем получил транзисторы к регулятору, видимо делов с ними не будет. Формфактор и по размерам 1 в 1 ,
обмерял их мультиком,в открытом состоянии
D+ и S- сопротивление 300ом, а на оборот
D- и S+ сопротивление 70 ом, видимо открываются не полностью.
А в старых IPD048N06L3G в обоих случаях почти 1 ом.
Ставить смысла не вижу, , думаю искать подобные с логическим управлением.
1400 рублей напрасно уходит в пользу ЧипДип. :?

Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд

Добавлено: Чт июл 30, 2015 13:47:13
kaetzchen
А как Вы меряли, поподробнее можно? Что-то не то..

Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд

Добавлено: Чт июл 30, 2015 14:19:11
arkhnchul
kaetzchen писал(а):IRF это сокращение по буквам названия производителя, так часто делают. а вот все что после IRF - это и есть собственно маркировка.
строго говоря, здесь сокращение производителя - IR. Буквы дальше - общий тип (F,L,G).

Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд

Добавлено: Чт июл 30, 2015 18:06:20
yasya2004
kaetzchen писал(а):А как Вы меряли, поподробнее можно? Что-то не то..
Мерял так же , как и проверяю полевики.
Ставлю мультик на диод- прозвонка, чёрный щуп на D, красный на S, у меня показывает 555, меняю полярность - бесконечность, потом как обычно не снимая чёрный с S , красным + касаюсь затвор G, и затем его снова на D, и при этом получается 330 Ом, меняю полярность между S и D , получаю 70 Ом, типа открылся, затем не снимая с S чёрным касаюсь G и обратно на D у меня опять 555, меняю полярность - бесконечность, типа закрылся.
Те же манипуляции с транзисторами , которые стояли раньше на регуляторе(которые остались в живых, их было несколько штук из 12, остальные в коротком) показывали как S-D, так и D-S = 1 Ом., т.е. они открывались и закрывались полностью.
Если я всё правильно понимаю.

Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд

Добавлено: Чт июл 30, 2015 22:49:00
kaetzchen
Я тоже так полевики проверяю,но только в плане-А не убитый ли он вообще? И то это тест ничего конкретно не покажет о его работоспособности. Мультиметр в любом режиме не в состоянии зарядить затвор мосфета полностью. Сопротивление перехода так не померять. Можно получить общее сравнительное представление о "легкости" Мосфета в плане отклика на управляющее напряжение.То что купленные Вами ФЕТы "тяжелее" предыдущих Вы протестили. Это не значит,что они не будут работать в инверторе. Попробуйте не паять их жестко, а недлиными проводочками подпаять в схему и проверить. На Ваше усмотрение,тогда они будут уже Б\У :lol:

Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд

Добавлено: Вт авг 11, 2015 18:33:56
yasya2004
kaetzchen, спасибо, YES YES YES ДААА, Йехэоу...., я сделал это, Мы это сделали с Вами, заработал регуль на простых полевых транзисторах...., за 900рэ, мы спасли регуль Etti High Voltage 120A Opto PRO, стоимость почти 10 кило рублей.
А сейчас более подробно как это сделать...
СпойлерАккуратно ножиком отковыриваем фирменный лэйбл с лицевой стороны (1), с обратной стороны отковыриваем водяной радиатор(2), он на эпоксидке прихвачен, ножовкой по металлу аккуратно отпиливаем жесткие проводники(3), (потом будет ясно почему отпиливаем, а не отпаиваем) и затем отпаиваем питание + и - в точках 4 и 5. (см фото)
Изображение

В результате этих действий мы получаем 2 платы, плату управления

Изображение

И силовую плату с пробитыми транзисторами залитую силиконовым герметиком

Изображение

Плату управления откладываем в сторону, а силовую плату очищаем от герметика и
аккуратно выпаиваем или кто как может, транзисторы 60в 90А
IPD048N06L3G с логическим уровнем управления
( 5 штук остались вживых и рабочие но менять будем все, однозначно) и смд сопротивления 27 Ом.
В результате получаем

Изображение

На их место впаиваем транзисторы IRFS3207ZPBF, Nкан 75В 170А,
причём не логическим уровнем управления и сопротивления в
затвор ставим 16 Ом, смд сопротивлений не было, поэтому получилось так

Изображение

Т.к. мы запилили жёсткие проводники, то плату управления с силовой платой соединяем
простым компьютерным шлейфом от ХДД к материнке длинной примерно 5 см., чтобы в следующий раз
ничего не пилить

Изображение
Изображение

Все места пайки и силовую плату покрываем цапон или другим лаком. После высыхания
складываем конструкцию пополам, не забывая положить между платами диэлектрик,
т.к. сейчас резисторы лежат сверху транзисторов.

Изображение

И паяем питание + и - на место в точках 1 и 2

Изображение

В местах пайки питания я стянулся компьютерным хомутом.
Меняем термопасту на водяном радиаторе и устанавливаем на место,
я закрепил его холодной сваркой.
(незабываем про родной диэлектрик)

Изображение

С лицевой стороны приклеиваем фирменный лэйбл и в результате получаем регулятор уже не
60v и 120A, а 75v и 170А, т.е. с достаточным запасом мощности.

Изображение

Ну и в конце проверка работоспособности девайса .



Огромное спасибо кто отозвался на мою проблему, думаю может кому и пригодится всё описанное выше.

Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд

Добавлено: Ср авг 12, 2015 09:30:27
Gudd-Head
yasya2004 писал(а):может кому и пригодится всё описанное выше.
Может быть. Только какого лешего было это сюда лепить?

Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд

Добавлено: Чт авг 13, 2015 10:48:20
baghear
Добрый день, есть n-мосфет в стоке которого стоит лампочка 12v 5A. При напряжении GS 10v и токе 5А на переходе DS падает 3V.
Если схему запитать от 12 вольт и подать на gate 10 v, то по цепи должен потечь ток 5А, а суммарное падение напряжение будет равно 15 вольт, чего быть не может.
Объясните пожалуйста как рассуждать в данном случае.

Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд

Добавлено: Чт авг 13, 2015 10:51:17
Gudd-Head
baghear писал(а):При напряжении GS 10v и токе 5А на переходе DS падает 3V.
Чёт дохуя много. Что за полевик?
baghear писал(а):Объясните пожалуйста как рассуждать в данном случае.
Нарисовать картинку и пользоваться законами Кирхгофа и Ома.

Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд

Добавлено: Чт авг 13, 2015 10:56:29
baghear
Чёт дохуя много. Что за полевик?
Эту задачу просто придумал.
Нарисовать картинку и пользоваться законами Кирхгофа и Ома.
С какой стороны подойти? При заданном напряжении GS ток меньше потечет через полевик?

Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд

Добавлено: Чт авг 13, 2015 11:13:00
Gudd-Head
Да, ток будет меньше. Открытый полевик, по сути, просто сопротивление.

Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд

Добавлено: Чт авг 13, 2015 11:21:52
baghear
То есть в даташите указывается максимальный ток, при заданном напряжении GS?
Зная сопротивление нагрузки и открытого полевика, а также напряжение питания получим ток?

Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд

Добавлено: Чт авг 13, 2015 12:21:13
Gudd-Head
baghear писал(а):То есть в даташите указывается максимальный ток, при заданном напряжении GS?
Примерно. Просто когда полевик не до конца открыт, он представляет собой источник тока (как и биполярник) — график Id vs Vgs. А когда открыт полностью (насыщен) — сопротивление Rds_on vs Vgs.

Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд

Добавлено: Чт авг 13, 2015 12:38:50
baghear
Спасибо. И что понимать под полностью открытым полевиком?

Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд

Добавлено: Чт авг 13, 2015 12:42:53
Gudd-Head
Когда он имеет чисто активное сопротивление сток-исток, т.е. ток стока не ограничен (пропорционален приложенному напряжению).

Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд

Добавлено: Чт авг 13, 2015 15:19:06
baghear
Мне кажется что когда ток не ограничен - это следствие того что транзистор открыт, как не собирая схему оценить откроется он полностью или нет? и в какую таблицу для рассчетов смотреть: Id vs Vgs or Rds_on vs Vgs.