Форум РадиоКот

IfoR писал(а):Да, нельзя.

Дополню: при превышении этого напряжения произойдёт пробой окисла, который изолирует затвор от канала.

Gudd-Head писал(а):при превышении этого напряжения произойдёт пробой окисла

и по этой же причине, помоему, требуется на гейт ставить гальваническую развязку.. я правильно вспоминаю?

Гальваническая развязка к обсуждаемой проблеме отношения не имеет.
И с развязкой можно превысить напряжение затвор-исток.
Кстати, пробить затвор можно и через Миллера.
Если на стоке имеется изменяющееся напряжение, то через емкость Миллера оно оказывается приложенным к затвор-истоку, образуя с выходным сопротивлением драйвера и входной емкостью затвора частотнозависимый делитель.

Подскажите, как найти рабочую точку транзистора bc327, если производители не предоставляют график зависимости тока базы от напряжение БЭ... И как выбрать рабочую точку для усилителя на базе класса AB? На классе А понятно, нужна середина, на B можно и в 0 взять,а на AB как выбратЬ? Есть же формулы какие-то наверное, не по тыку в небо же выбирается

Да никто уже не строит эти характеристики, особенно для маломощных транзисторов в режиме линейного усиления,
забудь. Все легко считается аналитически. Читай Гаврилова С А - без лишних сложностей пишет.
Или, если серьезнее, посмотри старинную книгу Спрвочник по расчету электронных схем - Гершунский.

unstopable писал(а):а на AB как выбратЬ? Есть же формулы какие-то наверное, не по тыку в небо же выбирается

Ток покоя для режима AB выбирается из требований к схеме. Никаких универсальных конкретных формул для этого нет и быть не может.
ЗЫ. Кстати,для режима А совсем не обязательно выбирать середину ВАХ. Важно лишь, чтобы при максимальной ИМЕЮЩЕЙСЯ амплитуде усилитель не выходил из активного режима.

В интернете выложена частотная характеристика порлевого транзистора как: F(МГц)=159/C11b (пФ). ПАравда причем-то к формуле еще сказано про крутизну S (хотя в формуле она не фигурирует). Так вот, например по справочнику, КП801 предназначен для ключевого режима до 3 МГц, емкость С11 же его 3000 пФ. Если брать формулу, то получится 159/3000=0.053Мгц (53 кГц). ЧТо-то не так? А вот что?
Или скорость включения зависит только от скорости зарядки входной емкости, без внутренних процессов обогащения, обеднения? Что-то я не понял, к чем эта формула?

Я имею представление о МДП, МОП, полевом транзисторе с p-n переходом. В интернете (в справочниках) фигурируют ПСИТ транзисторы. Что это за транзисторы?

В Multisim 12 дается в характеристиках (моделях) транзисторов такой параметр как ideal maximum forward beta. Как я понял это и есть h21э ? Но меня смутило то как этот коэффициент получился таким ? Ведь обычно h21э в справочниках например варьируется в зависимости от разных условий , кстати почему так ? (что-то подзабыл я) Ведь h21 измеряют при к.з. на выходе и при определенном токе коллектора и базы ?

Vendein_RaZoR писал(а):Ведь h21 измеряют при к.з. на выходе

Это как?
h21 это зависимость тока коллектора от тока базы при включении по схеме с общим эмиттером.

Да я в курсе . Ладно по-другому вопрос задам . h21 задается в виде разброса значений по справочнику потому что один и тот же транзистор может иметь разные h21э(из диапазона) ? Поэтому в мультисиме задается конкретное значение в параметрах ?

Не знаю, как там в мультисиме, а в микрокапе, щелкнув по элементу, получаешь таблицу со всеми его параметрами, и можешь установить h21 (Forward Beta) какой у твоего конкретного транзистора.

Ну а в реальности получается например если указан в справочнике h21э допустим 50...200 , то у одинаковых транзисторов этих же номиналов h21э будут изменяться в этих пределах ?

Да и ещё , как самому измерить h21э ? h21э = Ik/Iб при к.з. на выходе ?

Vendein_RaZoR писал(а):как самому измерить h21э

В инете масса схем приборов для измерения h21. Кроме того, он меняется в зависимости от нагрузки. Так что реальный h21 будет зависеть от конкретного транзистора и тока коллектора.

Вставить транзистор в соотвествующие гнезда самого дешевого китайского мультиметра за 8-10 уе и, установив переключатель в положение hFE, посмотреть на индикатор. Там будет показано интересующее значение.
50-200 - это в таких пределах может быть у разных экземпляров. Реально разброс меньше, но параметр изменяется при изменении температуры процентов на 20, при изменении тока коллектора, от старения и пр.

Ну то есть например если взять 2 одинаковых КТ315А , а у них h21э 20...90 , то это означает что h21э у них может быть разный и быть в этих пределах ?

И что значит измерить реальный h21э ? И как так можно задаваться произвольно h21э при построении тех же усилительных каскадов ?

Кроме того, он меняется в зависимости от нагрузки.

Поэтому ?

И обязательно ли он должен быть в диапазоне ?

Ты картошку когда-нибудь копал? Или хотя бы на базаре - в магазине покупал? Там вес одной бывает от 50 гр до 500 гр. Кладешь первую попавшуюся на весы - реальный вес 340 гр. Нормально! На суп хватит. А если она месяц полежит в ящике под плитой - уже 300 гр осталось - усохла. (процесс старения). Если по рецепту в суп надо 400 гр, то и с 300-ми тоже суп получится. Только пожиже чуть будет... Так и с транзисторами.

Да каждый год копаю
Ну насколько я знаю h21э от ширины базы , от легирования зависит ещё .
А что тогда будет определять h21э как соотношение Iк/Iб ? Или это такая же константа как сопротивление напрмер и будет варьироваться в зависимости от различных условий типа температуры и тд ?

Вы как на иностранном разговариваете.
Это коэффициент передачи тока базы. В простонародье - коэффициент усиления по постоянному току. У разных экземпляров транзисторов даже одной марки он разный. Для этого и подбирают одинаковые по этому параметру для работы в определенных схемах.

Да это я понял , но для конкретного транзистора это получается постоянная величина и в зависимости от некоторых условий может меняться так ?