Форум РадиоКот

yaotzin писал(а):Lander так почему при обратном подключении диода (когда подключили батарейку, + к N а минус к P) электроны с P области не переходят в N область ?

Потому что давно нужно нарисовать зонную диаграмму, и понять, куда они вообще МОГУТ перемещаться, а куда НЕТ!

Sorry

yaotzin писал(а): Lander так почему при обратном подключении диода (когда подключили батарейку, + к N а минус к P) электроны с P области не переходят в N область ?

В P области нет электронов, только дырки! )

peg писал(а):В P области нет электронов, только дырки! )

Ну вот, лыко мачало - начинай сначала.

Kotische писал(а):Неосновные носители - это реально!
Если бы их небыло, то не работали бы фотодиоды,
небыло бы проблем с температурной стабильностью транзисторов,
диоды не имели бы обратной утечки.

Просмотрел я весь тред... Собрав все силы!
Вам, парни, надо понять механизм проводимости вообще.

Я тут тезисно намечу то, без чего нельзя двигаться дальше.

Ток переносят только свободные заряды. Валентные - не переносят.

Вначале о металлах.
Ну, то есть, кристаллическая рещетка металлов состоит из неподвижных ионов
и свободных электронов. Электроны могут двигаться куда хотят, и весело
бегут под действем электрического поля, проводя ток.

Потом идеальный полупроводник.
В нем нет свободных электронов, поэтому он изолятор.
Но под действием тепловой (или световой, или еще какой-то) энергии
валентные электроны могут иногда отрываться от атомов, становиться свободными,
так же, как и в металлах.
Только в том месте, откуда убежал электрон, остается ион и незаполненная
валентная связь (дырка). В эту связь могут перепрыгивать соседние валентные
электроны, таким образом дырка тоже перемещается по кристаллу куда хочет.
Именно надо говорить о дырке: во-первых, ее движение описывается в квантовой
механике совершенно аналогично движению свободных электронов; во-вторых,
мы договорились, что валентные электроны ток не переносят.
Ну, а если вдруг встретятся дырка и электрон, они оба исчезнут.
Но все равно, идеальный полупроводник - это почти изолятор, проводит очень
плохо.

Примесная проводимость.

Добавляем в кремний пятивалентные атомы.
У них на внешней электронной оболочке один электрон лишний, они его
теряют сразу и насовсем. В кристалле получаются положительные ионы
(примеси) и свободные электроны, которым не с чем рекомбинировать.
Полная аналогия с металлом.
Имеем электронную проводимость.

Добавляем в кремний трехвалентные атомы. У них в электронной оболочке для
полного счастья не хватает электрона, поэтому они навсегда забирают этот
электрон у ближайшего атома кремния и уже не отдают никогда. Образуются
дырки, которым не с чем рекомбинировать. Имеем отрицательные ионы и
свободные положительные заряды - дырки. Та же аналогия с металлом, только
знаки зарядов поменялись. Имеем дырочную проводимость.

Если мы создали примесную проводимость (p или n типа), то она всегда
такая большая, что естественной проводимостью полупроводника можно с
чистой совестью пренебречь (это изолятор, как мы и сказали в самом начале).
Естественные электроны и дырки поэтому называют неосновными носителями.
В идеале лучше, чтобы их не было совсем.

p-n переход (контакт p и n полупроводников).

Носители переходят в соседний полупроводник под действием сил диффузии.
(Силы диффузии образуются всегда, когда есть изменение концентрации: с
одной стороны нет электронов, с другой - дырок.)
На переходе образуется область без носителей, все перешедшие носители
рекомбинировали. Дальнейшему переходу носителей мешает поле оставшихся
голыми после рекомбинации ионов примесей.
Итого имеем на переходе - изолятор (область без носителей зарядов)
и потенциальный барьер (поле ионов выталкивает носители из перехода обратно
"на родину").

Если к переходу приложить напряжение в прямом направлении (+ к p, - к n),
носители смогут преодолеть потенциальный барьер и побежать навстречу
друг другу, радостно рекомбинируя. Переход проводит ток.
Если приложить обратное напряжение, оно оттянет носители еще дальше от
перехода, еще больше оголится ионов, вырастет потенциальный барьер
(ровно на величину приложенного напряжения). Но на переходе носителей нет,
ток проводить нечему, и он не идет.

Особое внимание: для неосновных носителей потенциальный барьер является
потенциальной ямой, это очень важно для понимания работы транзистора
(неосновные носители, инжектированные в базу эмиттером, практически все
сваливаются в потенциальную яму коллекторного перехода, тем более глубокую,
поскольку его смещают в обратном направлении).

"Если приложить обратное напряжение, оно оттянет носители еще дальше от
перехода, еще больше оголится ионов, вырастет потенциальный барьер
(ровно на величину приложенного напряжения). Но на переходе носителей нет,
ток проводить нечему, и он не идет." (с)


А вот и вопрос:

1)Какие заряды конкретно, будет оттягиватья и куда ???

2)Ток есть чему проводить (это несоновные носители и они проходят через барьер) и он сущесвует, это обратный ток !!

Вроде, все понятно написал.
Неосновные носители не учитываем. Усложнять будете, когда разберетесь.
Электроны оттягиваются к плюсу, дырки - к минусу. Так трудно сообразить?

Какие именно электроны оттягиваются к "+" ? В P-области нет Электронов, Вы же сами писали.

Как жырки могут притяшиваться к "-" минусу ? Дырки это атомы! Атомы никуда не двигаются

Lander писал(а):Какие именно электроны оттягиваются к "+" ? В P-области нет Электронов, Вы же сами писали.

"Ты суслика видишь? И я нет. Но он есть"©

Lander писал(а):Как дырки могут притяшиваться к "-" минусу ? Дырки это атомы! Атомы никуда не двигаются

Дырки не атомы. Дырки — отсутствующие электроны.

Lander писал(а):Как жырки могут притяшиваться к "-" минусу ? Дырки это атомы! Атомы никуда не двигаются

Кто то опять НИФИГА не читает чё ему другие пишут?!!!

peg писал(а):в том месте, откуда убежал электрон, остается ион и незаполненная
валентная связь (дырка). В эту связь могут перепрыгивать соседние валентные
электроны, таким образом дырка тоже перемещается по кристаллу куда хочет.
Именно надо говорить о дырке: во-первых, ее движение описывается в квантовой
механике совершенно аналогично движению свободных электронов; во-вторых,
мы договорились, что валентные электроны ток не переносят.

Мне уже настолько стыдно, что я даже не вижу что мне пишут

Lander Да да они тебе про ямы еще расскажут(ты там ямы видел ? ), прямого и внятного ответа на обратное подключение что и почему тебе так и не сказали

yaotzin писал(а):прямого и внятного ответа на обратное подключение что и почему тебе так и не сказали

yaotzin, вместо того чтоб троллить, взял бы да и сказал, "прямо и внятно", поучил бы нас убогих как можно расказывать "про ямы" человеку у которого до сих под "дырки" не существуют!

yaotzin писал(а):Lander прямого и внятного ответа на обратное подключение что и почему тебе так и не сказали

Похоже, вы совсем читать не умеете.

Прочитал форум про p-n переход. Тоже как раз разбирался с ним и наткнулся на этот форум. И тоже не мог понять почему электроны из p-проводника не могут взять и перескочить в n-проводник.
Дело в том, что "дырки" (в которых нет электронов) на самом деле не просто "дырки", а дырки в валентной зоне, а из валентной зоны в зону проводимости электроны просто так перескочить не могут, энергии не хватает. Поэтому из p-проводника в n-проводник электроны и не могут перескочить.
Если надо могу накидать ссылок где все это подробно расписано.

всем привет! прошу обяснить подробно о p проводниках и n проводниках!
1 какой материал используется для изготовления р проводника?
2 какой материал используется для изготовления n проводника?
3 какой материал используется для изготовления р-n перехода?
4 влияет площадь материала и на и на что это влияет?
5 влияет ли толщина материала и на что?
6 как вытравить и чем этот материал с платы?
с Уважением Миханик! удачи в поисках! жду результатов!



Сюда перенес.

aen

миханик писал(а):... удачи в поисках! жду результатов!

Мы ищи, а ему результаты...
https://sunduk.radiokot.ru/loadfile/?load_id=1287313784

Все что-то ищут или кого-то! это и есть жизнь интересная и плодотворная!

ну может кто-то знает?

спасибо! но почему-то нескачивается!