Форум РадиоКот

Ребята, подскажите- может кто то занимается изготовлением плат? Нужны плата для Приемника Лидия 80. По России чтобы доставка. В личку черканите, если кто занимается

Подскажите как проверить диоды на ,даже не знаю как описать,полупробитость чтоль.....

Вот схема (снял сами диоды только)


Опишу ситуацию лучше

Имеется плата ПЗМП (плата защиты матрицы и питания)....на ней расположены диоды,которые соединяются с остальным устройством посредством двух разъёмов.
И вот какой-то из диодов,а может и не один подсирает в общую схему устройства и не даёт ему нормально работать.

Диоды пробовал (коллега) проверять подавая импульсы от генератора и в прямом и в обратном направлении.Размах импульсов порядка 12 В (прямоугольные).Никаких искажений по импульсам не видно.
Проверяли и тестером и на падение напряжения, и по сопротивлению и тоже ничего.
Тупо перепаивать все диоды скопом тоже не вариант.

den2, либо нетшательно проверили либо нужно прямое падение проверять на приличном токе. например 10V через 20ohm 5W (или какой макс ток через диоды может быть?) и падение проверять.

Падение напряжения на токе близком к максимальному, обратное напряжение близкое к максимальному, а не от батарейки мультиметра. При достаточной мощности генератора тоже повторить в динамике.

AlexS4, kentgaryk, В схеме идут импульсы амплитудой в 24 В (в идеале),реально же от 21 до 23.5

Рекомендации понял,попробуем.

Задам ещё один глупый вопрос....так как не понимаю почему не вышло проверить.

Имеется осциллограф которым нужно замерить пропадание/просадку кратковременное питающих фаз...
Ставлю на ослике максимальные предел на клетку в 5 В,на щупе 1:10,по идее должно получиться 50 В на клетку.
Ставлю закрытый вход АC,пробовал программное ослабление в самом ослике от 1:1 до 1:1000
Клеток этих самых 8 штук,выходит,что до 400 В должно всё нормально показать,а у меня при проверке фазы синусойда вылезает за пределы экрана.
Осциллограф портативный OWON HDS2061M-N

Почему полез замерять ослом то.
Устройство трехфазное,на линии висит РКФ (реле контроля фаз) и периодически срабатывает.Мультиметром этих просадок не видно,не ловятся.Стрелочного тестера нет,им думаю было бы заметнее по подергиванию стрелки если бы проседало.

И вот получается то ли лыжи не едут, то ли весеннее обострение...
Хотя на стационарном осле такое проводил не раз при ремонте цепей под напругой в 220 и выше,приходилось смотреть.И там всё нормально было,а тут чудеса какие-то .

При 230В (фазное) двойной размах составляет 640В, при 400В (линейное) 1120В из этого исходи.

kentgaryk, Ну хорошо,но почему тогда не срабатывает ослабление в самом ослике тогда ,когда ставил 1:10 - 1:1000.По идее должно было показать.
Или я чего-то не так понимаю и тут нужно просто использовать щуп с делением 1:100 ?

Это надо уже разбираться с осциллографом. Программное ослабление не ослабляет сигнал поступающий на вход УВО.

Программное ослабление неправильно названо. Его надо было бы назвать "установленное значение внешнего делителя" для правильного вычисления параметров исходного сигнала..

kentgaryk, тогда спасибо....

Смысл программного ослабления в этом случае не понимаю.
Скажу чтоб брали щуп для этих целей 1:100 тогда.

Стрелочный тестер стоит совсем недорого.

Муркиз, кажись вы правы,так оно и есть....

Просто любопытное видео о вскрытии мощного транзистора лазером.

Помогите разобраться. Мне необходимо использовать NPN транзистор SS8050 как ключ, которым ранее управлял МК CMS16P53, сейчас транзистор нужно включать кнопкой. Какой ток поступал на базу от МК я не знаю.

Макс Iк=1500мА
hfe2 по даташиту 160~300 (для моего экземпляра "D")
Насыщение Iб=80мА Iк=800мА

Мне не понятно:

Почему указан диапазон hfe2 160~300. 160 это макс. коэф. усиления, а 300 мин.? Или наоборот?

Если 1500мА разделить на 160, получаю ток базы 9,4мА, тогда не понятно, почему насыщение будет при токе Iб=80мА и Iк=800мА, причём 800мА это ток не полностью открытого ключа, но ток базы уже 80мА! Как это понимать?

Напряжение питания схемы у меня 5 вольт, а нагрузка питается 12 вольт. Как мне правильно рассчитать ток базы для тока коллектора 1000-1200 мА и не сжечь транзистор?

Потому что так работает биполярный транзистор и чтобы он лучше продавался в ДШ включили такие цифры.
Делайте как в ДШ - ток базы в 10 раз меньше тока коллектора, если нужно малое напряжение Vcesat. Или в 40 раз меньше тока коллектора, ориентируясь на hfemin @ 800 mA Ice.
1,2 А я бы через этот транзистор не стал пропускать.

==hfe2 160~300. 160 это макс. коэф. усиления, а 300 мин.? Или наоборот?

Минимальный 160, а максимальный 300. Для расчётов обычно берётся средний.

==Если 1500мА разделить на 160, получаю ток базы 9,4мА,

Это будет ток базы, при котором транзистор будет открыт, но не будет находится в полном насыщении.

==тогда не понятно, почему насыщение будет при токе Iб=80мА и Iк=800мА, причём 800мА это ток не полностью открытого ключа, но ток базы уже 80мА! Как это понимать?

Режим насыщения, это когда увеличение тока базы уже не даёт увеличения тока коллектора. Но обычный режим это обычный усилительный режим, а вот ключевой режим это другое дело. Для того чтоб быстро загнать транзистор в насыщение, на базу импульсно подают несколько номиналов постоянного тока базы. То есть не 10 миллиампер как вы рассчитали, а 50 миллиампер к примеру.
Только SS8050 это очень слабый транзистор для таких режимов.
Для управления нагрузкой от МК лучше взять транзистор типа BD875, BD877. Или вообще полевик.

Alexandr27 писал(а):Почему указан диапазон hfe2 160~300

Потому что технология производства допускает такой разброс.

Gudd-Head писал(а):Потому что так работает биполярный транзистор и чтобы он лучше продавался в ДШ включили такие цифры.

Во-первых нет, во-вторых числа.
[uquote="electroget",url="/forum/viewtopic.php?p=4386446#p4386446"]Для расчётов обычно берётся средний.[/uquote]
для расчетов, в зависимости от задачи и возможностей берется либо худшее, либо номинальное значение (если указано), никаких средних вычислений не делается.
[uquote="electroget",url="/forum/viewtopic.php?p=4386446#p4386446"]Режим насыщения, это когда увеличение тока базы уже не даёт увеличения тока коллектора.[/uquote]Не надо выдумывать своих определений. Режим насыщения - когда переходы полностью открыты.
[uquote="electroget",url="/forum/viewtopic.php?p=4386446#p4386446"]Для того чтоб быстро загнать транзистор в насыщение, на базу импульсно подают несколько номиналов постоянного тока базы.[/uquote] да ну?

Добавлено after 3 minutes 46 seconds:
[uquote="Gudd-Head",url="/forum/viewtopic.php?p=4386445#p4386445"]1,2 А я бы через этот транзистор не стал пропускать.[/uquote] Это почему? Если по даташиту 1.5 - максимальный продолжительный ток? Предчувствие рекомендует? Или посчитал рассеиваемую мощность?

[uquote="Martian",url="/forum/viewtopic.php?p=4386462#p4386462"]Во-первых нет, во-вторых числа.[/uquote] Числа состоят из цифр — это во-вторых.
А во-первых, мне неудобно было писать с телефона и развивать мысль о том, что ближе к насыщению падает hfe.

Или посчитал рассеиваемую мощность?

И это тоже. Но если раньше как-то и долго работало...

Насыщение Iб=80мА Iк=800мА

Нет, нет и нет. Не так. Учитесь читать ДШ. Там написано, что при токе базы 80 мА и токе коллектора 800 мА (80/800 мА) напряжение насыщения Vce НЕ ПРЕВЫШАЕТ 0,5 В — это гарантировано производителем (и, возможно, проверяется на всех кристаллах). В подтверждение этому взгляните хотя бы на рисунок 3 — там ТИПИЧНОЕ Vce даже при токе 100/1000 мА до 400 мВ не дотягивает.

Ну и для включения "с кнопки" я бы лучше полевик поставил, что-то вроде IRLML2502.

Мне вообще кажется, что при постоянном токе базы в 80 мА транзистор SS8050 просто сгорит. Жаль, что такого нету чтоб провести эксперимент.