Re: Преобразователь 12/220В с синусом на выходе
Добавлено: Вс янв 01, 2017 02:54:06
Чтобы киловатт от 12В через БЖТ прокачивать с мин. нагревом радиаторов и без отгорания 75-амперных ног у >100-амперных (по паспорту) полевиков в ТО-220, я спаял два шестикорпусных "баяна" на медные 1 мм подложки.
Полевики набрал 70T03GH с двух мат.плат Asus разных лет (сокет 478/775).
Ёмкость затвора одного ключа при околонулевом напряжении ~2200 пФ.
Выборка из 14 шт отличалась по пороговому напряжению 1,69-2,2В и ёмкости 1900-2240 пФ.
Логотип фирмы Advanced Power Electronics Corp. совпадает.
Одинаковых обмеров набралось только 6 шт на одну сборку, другая пусть статистически усредняет свои параметры.
В худшем случае самый шустрый ключ отпаяется от сплава Розе.
Может я их уже перегрел при отпайке 100-ваттным паялом? Но процесс был быстрым, натренировался снимать на других, которые покололись.
В НЧ стойку моста поставлю 2*(3-4) ключей в ТО-220 с минимальным сопр. канала, но и макс. ёмкостями затворов, до 15 нФ на корпус.
Теперь вопрос: чем лучше драйверить 13нФ затворов при частоте 23 кГц. Чтоб радиаторов поменьше ставить и ёмкости аккумуляторов надольше хватало.
IR2110 в ВЧ часть не хочу, у них нет встроенной защиты от сквозного тока.
Зато в закромах имеются б/у 8-ногие низковольтные драйверы строго для полевиков, следующих марок:
1) SC1211S
capable of providing up to 3.5A peak drive current, но год разработки 2003
2) ISL6612ACBZ
макс ток 1,25А вытекающий/2А втек. верхний ключ, 2А/3А нижний.
Значит ли это, что к ней и полевики можно ставить настолько же разные по ёмкости затвора?
3) uP6281s8 - год разработки ~2008.
Параметры из даташита прилагаю, тока там нет, как бы его прикинуть? И про фото полевиков. Справа расколотые, сверху вниз:
AP70T03GH - кристалл макс. площади из трёх. китайская малоизвестная фирма, 2005г., ток 60А, припоя не выступает.
IPD09N03LA - припоя не пожалели для кристалла (охватывает его наплывами), но сам кристалл чуть мельче первого. Infineon, 2002 г., 50А.
NTD4906N - кремния меньше всех, ток 54A, On semiconductor, 2008 г., припой строго под кристаллом.
Верна ли теория, что с годами бумажно-маркетинговые параметры полевиков и IGBT растут, но материалы в них экономят, кристаллы мельче и "разогнаннее", надёжность поэтому падает?
Почему горят IGBT
"В IRG4BC40F диода нет, и он не сгорает, в FGH75T65SQD диод есть, но он сгорает."
Второй транзистор на 16 лет моложе и втрое "толще" по длительному току. В 1,5 - по импульсному.
Тогда чего и сколько мосфетного лучше ставить для БЖТ, чтобы не нажечь ведро ключей и драйверов?
Ёмкость затвора одного ключа при околонулевом напряжении ~2200 пФ.
Выборка из 14 шт отличалась по пороговому напряжению 1,69-2,2В и ёмкости 1900-2240 пФ.
Логотип фирмы Advanced Power Electronics Corp. совпадает.
Одинаковых обмеров набралось только 6 шт на одну сборку, другая пусть статистически усредняет свои параметры.
В худшем случае самый шустрый ключ отпаяется от сплава Розе.
Может я их уже перегрел при отпайке 100-ваттным паялом? Но процесс был быстрым, натренировался снимать на других, которые покололись.
В НЧ стойку моста поставлю 2*(3-4) ключей в ТО-220 с минимальным сопр. канала, но и макс. ёмкостями затворов, до 15 нФ на корпус.
Теперь вопрос: чем лучше драйверить 13нФ затворов при частоте 23 кГц. Чтоб радиаторов поменьше ставить и ёмкости аккумуляторов надольше хватало.
IR2110 в ВЧ часть не хочу, у них нет встроенной защиты от сквозного тока.
Зато в закромах имеются б/у 8-ногие низковольтные драйверы строго для полевиков, следующих марок:
1) SC1211S
capable of providing up to 3.5A peak drive current, но год разработки 2003
2) ISL6612ACBZ
макс ток 1,25А вытекающий/2А втек. верхний ключ, 2А/3А нижний.
Значит ли это, что к ней и полевики можно ставить настолько же разные по ёмкости затвора?
3) uP6281s8 - год разработки ~2008.
Параметры из даташита прилагаю, тока там нет, как бы его прикинуть? И про фото полевиков. Справа расколотые, сверху вниз:
AP70T03GH - кристалл макс. площади из трёх. китайская малоизвестная фирма, 2005г., ток 60А, припоя не выступает.
IPD09N03LA - припоя не пожалели для кристалла (охватывает его наплывами), но сам кристалл чуть мельче первого. Infineon, 2002 г., 50А.
NTD4906N - кремния меньше всех, ток 54A, On semiconductor, 2008 г., припой строго под кристаллом.
Верна ли теория, что с годами бумажно-маркетинговые параметры полевиков и IGBT растут, но материалы в них экономят, кристаллы мельче и "разогнаннее", надёжность поэтому падает?
Почему горят IGBT
"В IRG4BC40F диода нет, и он не сгорает, в FGH75T65SQD диод есть, но он сгорает."
Второй транзистор на 16 лет моложе и втрое "толще" по длительному току. В 1,5 - по импульсному.
Тогда чего и сколько мосфетного лучше ставить для БЖТ, чтобы не нажечь ведро ключей и драйверов?